Marktgröße, Anteil und Branchenanalyse für Siliziumkarbid (SiC)-Geräte, nach Produkttyp (SiC-MOSFETs, SiC-Dioden/SBDs und SiC-Module), nach Nennspannung (bis zu 650 V, 650 V–1200 V, 1200 V–1700 V und über 1700 V), nach Leistungsbereich (niedrige Leistung (50 kW)), nach Anwendung (Automobil, Industrie, Energie und Versorgungsunternehmen, Luft- und Raumfahrt & Verteidigung und andere) und regionale Prognose, 2026 – 2034

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