Tamaño del mercado de semiconductores Gan & Sic Power, análisis de acciones e industria, por producto (módulo de potencia sic, módulo de potencia GAN, sic discreto, GaN discreto), por aplicación (alimentación, unidades de motor industrial, H/EV, inversores fotovoltaicos, tracción, otros) y pronóstico regional, 2025-2032

Los materiales de próxima generación para reemplazar el silicio, el sic (carburo de silicio) y el GaN (nitruro de galio) están atrayendo mucha atención. Los semiconductores de potencia de GaN y SIC son dispositivos de potencia pequeños y confiables que superan a los dispositivos basados ​​en silicio en términos de eficiencia. En una variedad de aplicaciones de potencia, como la electrónica automotriz, los motores industriales e inversores fotovoltaicos, estos semiconductores de potencia GAN & SIC ayudan a minimizar el volumen, el peso y los costos del ciclo de vida. El silicio es un material directo. SIC es una combinación de carbono y silicio, mientras que GaN es un compuesto de galio y nitrógeno. Como resultado, los semiconductores que usan estos productos químicos se denominan "semiconductores compuestos". "GaN y SIC tienen una brecha de banda más grande que el silicio, lo que lesará el apodo" Semiconductores de brecha de banda ancha "." La resistencia al campo de la descomposición dieléctrica se usa para identificar semiconductores de manzana ancha. Cuando tiene como objetivo alcanzar el mismo voltaje de descomposición, esto permite que la capa de voltaje de soporte se fabrique considerablemente más delgada que la del silicio.

Las mejoras en la calidad de los sustratos de obleas SIC utilizadas en los materiales semiconductores han dado como resultado el uso de obleas de mayor diámetro en los últimos años. Como resultado, se han creado dispositivos de alto costo y bajo costo y están comenzando a usarse en una variedad de equipos. Un sustrato de oblea GaN, por otro lado, sigue siendo costoso, por lo tanto, la mayoría de las personas usan una disposición horizontal con una capa activa GaN producida en un sustrato de silicio de bajo costo. Se proyecta que GAN se utilizará en aplicaciones que necesitan una operación de conmutación excepcionalmente de alta velocidad, a pesar de que crear un producto de alta corriente es desafiante.

En 2020, la crisis de la pandemia tuvo una influencia significativa en el crecimiento de los mercados de semiconductores GaN y SIC Power. Varios países hicieron cumplir un bloqueo, lo que resultó en el cierre de varios sitios de producción de líderes del mercado y OEM de uso final, como fabricantes de vehículos eléctricos, fabricantes de componentes solares, etc. El bloqueo, por otro lado, ha impulsado la tendencia hacia iniciativas de trabajo desde el hogar y brindó una oportunidad para que las empresas locales adquieran una ventaja sustancial en el segmento de dispositivos informáticos, UPS y otras áreas. Además, la pandemia ha alentado a las empresas de semiconductores GaN y SIC Power a expandir su huella geográfica en nuevas ubicaciones para realinear las operaciones de la cadena de suministro.

Impulsor clave del mercado -

Factors like rising government initiatives, increasing penetration of electric vehicles and technology innovation are growing to drive the GaN & SiC Power Semiconductor Market.

Restricción clave del mercado -

High manufacturing cost and Usage of conventional silicon materials will restrain the market growth.

Jugadores clave

Alpha y Omega Semiconductor, Fuji Electric Co., Ltd, Infineon Technologies AG, Littelfuse, Inc., Microsemi, Mitsubishi Electric Corporation, Renesas Electronics Corporation, Rohm Semiconductor, Sanken Electric Co Saint-Gobain, Genesic Semiconductor Inc .., las tecnologías sublimes y otras son algunos de los jugadores clave de este mercado.

Análisis regional

Debido al creciente número de instalaciones de plantas de energía solar en los Estados Unidos, se espera que la industria de semiconductores de potencia de GaN y SIC en América del Norte se desarrolle a un ritmo rápido. Según un comunicado de prensa emitido por la Asociación de Industrias de Energía Solar en diciembre de 2020, en el tercer trimestre de 2020,

En la región del Pacífico de Asia, los dispositivos semiconductores GaN y SIC Power están ganando rápidamente cuota de mercado, con dispositivos GaN y SIC reemplazando progresivamente los equivalentes de silicio en muchas áreas de aplicación, como el consumidor y la empresa, las telecomunicaciones, las automotas e industriales. En términos de fabricación y distribución, China es el mejor proveedor de materias primas para el amplio sector de semiconductores de banda. También se predice que esto tendrá una influencia beneficiosa indirecta en el crecimiento de ventas del mercado de dispositivos de semiconductores GaN y SIC en la región de Asia Pacífico.

Debido al aumento de los intentos gubernamentales de promover la adopción de automóviles eléctricos en el país, el mercado de energía GAN y SIC en Europa se está desarrollando a una tasa fenomenal. El gobierno alemán, por ejemplo, declaró en marzo de 2021 que proporcionará dinero para la infraestructura de carga de vehículos eléctricos. Las empresas que participan en el mercado regional se beneficiarán de estos esfuerzos de apoyo, lo que las ayudará a acelerar sus posibilidades de crecimiento.

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Segmentación

Desarrollos de la industria del mercado de semiconductores Gan & Sic Power

• En marzo de 2019, Alpha & Omega Semiconductor ha anunciado el lanzamiento del dispositivo AONV070V65G1 de nitruro de galio en su plataforma de tecnología GaN. Este nuevo dispositivo tiene una salida de 650 V y 45 A, así como 70mohm RDS. Esta nueva introducción completa la gama de productos Power MOSFET.
• En marzo de 2019, el semiconductor ha lanzado el NTHL080N120SC1 y los dispositivos MOSFET de grado automotriz AEC-Q101 NVHL080N120SC1-Carbide (SIC) MOSFET. Estos nuevos gadgets están destinados específicamente a su uso con cargadores a bordo de automóviles eléctricos.