Mercado de IGBT tocará $ 11.24 mil millones para 2028; Lanzamiento de 650 V Coolsic Hybrid IGBT Range por Infineon Technologies AG para impulsar el mercado

Lo globalMercado de transistores bipolares de puerta aisladaSe espera que el tamaño llegue a USD 11.24 mil millones para 2028. La creciente popularidad de los vehículos híbridos creará oportunidades colosales para el mercado global, en un informe, titulado, titulado"Tamaño del mercado del transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), Share & Covid-19 Analysis de impacto, por voltaje (bajo voltaje, voltaje medio y alto voltaje), por aplicación (Electrónica de consumo, fabricación industrial, automotriz (EV/HEV), inversores/UPS, ferrocarriles, renovables y otros) y Forecast regional, 2021-2028 "".Según el informe, el tamaño del mercado se situó en USD 5.40 mil millones en 2020 y se espera que exhiba una tasa compuesta anual de 9.8% entre 2021 y 2028.

Debido a la escasez de materiales en medio del brote Covid-19, la producción de transistores bipolares de puerta aislados ha sido severamente interrumpida. Sin embargo, después de la pandemia, se proyecta que la industria se expandirá significativamente debido al aumento de la adopción de energía limpia, una mayor demanda de vehículos eléctricos y una mayor automatización y revolución industrial.

Lanzamiento del módulo IGBT de la Serie X de 7ª generación de Fuji para aumentar el crecimiento

Fuji Electric Co., Ltd., transmisores de presión, metros de flujo, analizadores de gas, reguladores, inversores, bombas, motores, ICS, motores y dispositivos de energía son fabricados por esta corporación de equipos eléctricos japoneses. La compañía anunció recientemente la fabricación comercial de su HPNC*1 para la industria ferroviaria, que se configuraría con los módulos IGBT*2 de la Serie X de séptima generación. El HPNC, un módulo IGBT de alta capacidad, tiene la capacidad de reducir la pérdida de energía y ahorrar electricidad. Según la compañía, se proyecta que la industria ferroviaria eléctrica se expandirá a un ritmo anual del 6%, alcanzando entre 50 y 60 mil millones de yenes en 2023. La producción masiva de HPNC tendrá un efecto sobresaliente en la participación del mercado de IGBT.Como HPNC tiene parte del mejor rendimiento de baja pérdida de la industria, será altamente eficiente. Fuji Electric redujo la inductancia interna, que interfiere con la conmutación de alta velocidad, en un 76 por ciento en comparación con los dispositivos tradicionales al mejorar la configuración del kit, lo que resulta en bajas pérdidas.

Para obtener un resumen de informe detallado y un alcance de investigación de este mercado, haga clic aquí:

https://www.fortunebusinessights.com/industry-reports/igbt-module-market-100501

Cambio rápido hacia los EV para favorecer el crecimiento del mercado de IGBT

El cambio climático y el calentamiento global están aumentando la comprensión pública de los suministros de energía en todos los campos. La industria automotriz es una de ellas, y a medida que avanza en su modo de ahorro de energía, hay un mercado creciente paraVehículos eléctricos (EV)y autos híbridos. Teniendo en cuenta los incentivos gubernamentales, los principales fabricantes de automóviles planean invertir en la producción de vehículos eléctricos innovadores. Los usuarios ahora se ven obligados a pasar de automóviles convencionales a vehículos eléctricos debido al aumento de los costos de combustible. Se espera que la demanda de transistores bipolares de puerta aislados aumente como resultado de esto. Por lo tanto, fomentando esta industria.

Mitsubishi Electric Corporation para dominar el mercado

Según el informe, el mercado está dominado por varias compañías prominentes. Esto incluye corporaciones como Hitachi, Mitsubishi Electric Corporation, Infineon Technologies AG, ABB Ltd. y Fuji Electric Co. Ltd. Los principales fabricantes están recurriendo a tecnología emergente para crear transistores avanzados para satisfacer la creciente demanda automotriz de aplicaciones de alta potencia. Las empresas como Fuji Electric Co., Ltd. y Mitsubishi Electric Corporation desarrollan IGBT automotrices avanzadas basados ​​en módulos medianos y de alta potencia. Por ejemplo, Mitsubishi Electric Corporation introdujo el módulo IGBT de la serie T de tipo LV100 para aplicaciones industriales en agosto de 2020. El módulo ayuda a los convertidores e inversores de energía a perder menos energía y ocupar menos espacio. Estos convertidores e inversores se utilizan en aplicaciones de energía limpia, incluidas turbinas eólicas, paneles fotovoltaicos y unidades de motor de alta capacidad.

Desarrollo clave:

• Febrero de 2021:Infineon Technologies AG introdujo el rango IGBT híbrido Coolsic 650 V. El transistor avanzado abarca el voltaje de bloqueo de 650 V. El rango híbrido ofrece beneficios, incluidos los diodos Coolsic de Barrera Schottky y el páramo de 650 V 5 IGBT.

El informe enumera las compañías clave en el mercado global:

• Infineon Technologies AG (Munich, Alemania)
• Danfoss Group (Nordborg, Dinamarca)
• Rohm co., Ltd (Kyoto, Japón)
• Hitachi, Ltd. (Tokio, Japón)
• ABB Ltd (Zürich, Suiza)
• Mitsubishi Electric Corporation (Tokio, Japón)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Tokio, Japón)
• Toshiba Corporation (Tokio, Japón)
• Littelfuse, inc. (Illinois, Estados Unidos)
• Starpower Semiconductor Ltd. (Jiaxing, China)

Otros resultados de informes:

Ideas regionales:

• La creciente conciencia sobre los recursos renovables ayudará al crecimiento en América del Norte.
• La creciente demanda de vehículos eléctricos (EV) y iniciativas gubernamentales favorables promoverán la expansión en Asia Pacífico.
• La creciente adopción de dispositivos IGBT en la electrónica y ferrocarriles de consumo elevará el mercado de transistores bipolares de puerta aislados en América Latina y Medio Oriente, y África.

Segmento principal: Según la aplicación, el mercado se agrupa en la electrónica de consumo, la fabricación industrial, la automoción (EV/HEV), las energías renovables, los inversores/UPS, los ferrocarriles y otros (energía y energía, tracción y otros). Entre esto, se espera que el sector automotriz tenga una participación significativa a causa de la creciente adopción de transistores bipolares en los motores de conducción.

El mercado global está segmentado de la siguiente manera: