Taille, part et analyse de l’industrie des dispositifs en carbure de silicium (SiC), par type de produit (MOSFET SiC, diodes/SBD SiC et modules SiC), par tension nominale (jusqu’à 650 V, 650 V-1 200 V, 1 200 V-1 700 V et au-dessus de 1 700 V), par plage de puissance (faible puissance (50 kW)), par application (automobile, industrie, énergie et services publics, Aérospatiale et défense, et autres) et prévisions régionales, 2026 – 2034