Taille, part et analyse de l’industrie des dispositifs en carbure de silicium (SiC), par type de produit (MOSFET SiC, diodes/SBD SiC et modules SiC), par tension nominale (jusqu’à 650 V, 650 V-1 200 V, 1 200 V-1 700 V et au-dessus de 1 700 V), par plage de puissance (faible puissance (50 kW)), par application (automobile, industrie, énergie et services publics, Aérospatiale et défense, et autres) et prévisions régionales, 2026 – 2034

La taille du marché mondial des dispositifs en carbure de silicium (SiC) était évaluée à 4,02 milliards USD en 2025 et devrait passer de 5,04 milliards USD en 2026 à 18,61 milliards USD d’ici 2034, avec un TCAC de 17,72 % au cours de la période de prévision. L’Asie-Pacifique a dominé le marché mondial avec une part de 33,58 % en 2025.

Le carbure de silicium est une large bande interditesemi-conducteurmatériau aux propriétés supérieures à celles du silicium traditionnel, ce qui le rend parfaitement adapté aux appareils électroniques hautes performances fonctionnant dans des conditions extrêmes. En raison de ces propriétés uniques, les dispositifs SiC sont très recherchés pour les applications haute puissance, offrant une efficacité et une fiabilité améliorées dans les environnements difficiles.

Aperçu du marché mondial des dispositifs en carbure de silicium (SiC)

Taille du marché :

• Valeur 2025 :4,02 milliards USD
• Valeur 2026 :5,04 milliards USD
• Valeur prévue pour 2034 :18,61 milliards USD
• TCAC (2026-2034) :17,72%

Part de marché :

• Responsable régional :L’Asie-Pacifique détenait la plus grande part en 2023 en raison de forts investissements dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les infrastructures de télécommunications.
• Région à la croissance la plus rapide :L’Asie-Pacifique devrait également enregistrer le taux de croissance le plus élevé au cours de la période de prévision.

Tendances de l'industrie :

• Les MOSFET SiC représentaient la plus grande part en 2023, tandis que les modules SiC devraient croître au TCAC le plus rapide.
• Les appareils de la gamme 650-1 200 V ont dominé le marché en 2023, les appareils 1 200-1 700 V devant se développer rapidement pour les applications haute tension.
• Les appareils de moyenne puissance (1 kW à 50 kW) ont dominé en 2023, tandis que les appareils de haute puissance (> 50 kW) devraient connaître la croissance la plus rapide à mesure que les systèmes de recharge rapide des véhicules électriques et d’alimentation à grande échelle se développent.
• Les applications industrielles détenaient la plus grande part, tandis que le segment automobile devrait connaître la croissance la plus rapide en raison de l'adoption croissante des véhicules électriques.

Facteurs déterminants :

• Demande croissante d’électronique de puissance économe en énergie dans les véhicules électriques, les systèmes d’énergie renouvelable et les applications industrielles.
• Les avantages des dispositifs SiC, notamment un rendement, des performances thermiques et une densité de puissance plus élevés, favorisent leur adoption dans les onduleurs automobiles, les chargeurs et les onduleurs renouvelables.
• Expansion des réseaux 5G et des systèmes électroniques haute fréquence augmentant le besoin de composants SiC.
• Des investissements importants de la part des principaux fabricants pour étendre la production de plaquettes et de modules SiC à l’échelle mondiale.

L’utilisation croissante de dispositifs en carbure de silicium (SiC) dans l’électronique de puissance, ainsi que les diverses applications fournies par les dispositifs à semi-conducteurs SiC dans les infrastructures de recharge des véhicules électriques, alimentent l’expansion du marché.

• Par exemple, Audi intègre des onduleurs à semi-conducteurs SiC dans ses modèles de véhicules électriques, augmentant ainsi l'efficacité du véhicule de près de 60 % tout en améliorant également la fiabilité. Audi propose actuellement ces onduleurs refroidis par eau dans ses modèles, qui excellent particulièrement dans des conditions de charge partielle.

La baisse globale du pouvoir d’achat des consommateurs pendant la pandémie de COVID-19 a entraîné une baisse de la demande pour divers produits technologiques, ce qui a eu un impact négatif sur le marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC). De plus, la disparité entre la demande et l’offre de dispositifs semi-conducteurs SiC a créé une lacune dans l’industrie des semi-conducteurs.

IMPACT DE L’IA GÉNÉRATIVE

Demande croissante d’IA générative pour développer des dispositifs SiC personnalisés afin de propulser la croissance du marché

L’impact de l’IA générative sur l’industrie des dispositifs en carbure de silicium (SiC) est multiforme, entraînant des améliorations dans la conception, la fabrication et la dynamique du marché. Gen AI peut aider à la personnalisation des produits SiC pour répondre aux besoins spécifiques des clients de divers secteurs. En tirant parti des techniques de conception générative, l’IA peut créer des composants SiC sur mesure qui répondent à des exigences opérationnelles particulières, en particulier pour les utilisations automobiles, énergétiques ou industrielles. Cette personnalisation peut conduire à une approche plus adaptée et plus efficace tant pour les fabricants que pour les consommateurs.

En électronique de puissance, les dispositifs SiC tels que les diodes, les MOSFET et les IGBT jouent un rôle crucial dans l'amélioration de l'efficacité des systèmes de conversion d'énergie. L'IA générative peut être utilisée pour concevoir des modules d'alimentation plus efficaces en simulant les interactions électriques, thermiques et mécaniques dans divers environnements d'exploitation. Cela accélère la mise sur le marché des appareils électroniques de puissance tout en réduisant le risque de défauts de conception.

Ainsi,IA générativeest appelé à jouer un rôle transformateur dans l'industrie du SiC en accélérant la recherche et le développement, en optimisant la production, en améliorant la fiabilité des produits et en fournissant des informations plus approfondies sur les tendances du marché.

TENDANCES DU MARCHÉ DES DISPOSITIFS EN CARBURE DE SILICIUM (SiC)

Adoption croissante des appareils SiC dans la technologie 5G pour stimuler la croissance du marché

Le réseau sans fil 5G devrait révolutionner les systèmes de communication dans le monde entier, offrant des vitesses de données nettement plus rapides, une latence ultra-faible et des connexions plus fiables par rapport aux générations précédentes.

L’avènement de la technologie 5G a entraîné une demande croissante de composants électroniques hautes performances capables de fonctionner à des fréquences plus élevées. Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) sont particulièrement bien adaptés à une utilisation dans les stations de base 5G et autres systèmes de communication à haut débit en raison de leur capacité à fonctionner efficacement à des fréquences et des températures plus élevées.

DYNAMIQUE DU MARCHÉ

Facteurs du marché

Augmentation de la demande d’électronique de puissance efficace pour stimuler la croissance du marché

L'électronique de puissance est cruciale pour convertir et contrôler l'énergie électrique des véhicules électriques, notamment les onduleurs, les chargeurs et les systèmes de commande de moteur. L’électronique de puissance des véhicules électriques (onduleurs, chargeurs, etc.) représente environ 10 à 15 % du coût total d’un véhicule électrique. Ces systèmes convertissent le courant continu (courant continu) haute tension dubatterieau courant alternatif (courant alternatif) pour le moteur et gérer le flux d'énergie pendant la charge. À mesure que l’adoption des véhicules électriques s’accélère, la demande de systèmes électroniques de puissance efficaces et fiables augmente.

La transition mondiale vers les énergies renouvelables, associée aux progrès des technologies de stockage d’énergie, est un autre facteur important qui stimule la demande d’électronique de puissance. L'électronique de puissance est utilisée dans les onduleurs d'éoliennes, les onduleurs solaires et les systèmes de stockage d'énergie pour gérer la conversion, la régulation et la distribution de l'énergie électrique.

• Par exemple,selon l'Agence internationale des énergies renouvelables (IRENA), la capacité d'énergie renouvelable devrait croître de 7,8 % par an d'ici 2032. D'ici 2030, l'énergie solaire et éolienne représenterait plus de 70 % de la production mondiale totale d'électricité, entraînant une demande accrue d'appareils électroniques de puissance dans les onduleurs solaires, les contrôleurs d'éoliennes et les équipements de connexion au réseau.

Restrictions du marché

Des défis d'intégration complexes peuvent limiter l'utilisation des appareils SiC dans les entreprises

De nombreuses industries qui pourraient bénéficier des dispositifs basés sur SiC s'appuient encore sur des systèmes existants basés sur des systèmes traditionnels.siliciumcomposants, ce qui rend difficile l’intégration avec l’infrastructure existante. La mise à niveau des systèmes existants (par exemple, les réseaux électriques, les moteurs industriels et les groupes motopropulseurs automobiles) pour intégrer des dispositifs SiC nécessite un investissement important dans de nouveaux équipements, et le processus de mise à niveau peut être techniquement complexe. Le coût initial élevé du remplacement ou de la modernisation des infrastructures peut constituer un obstacle à l’adoption du SiC, en particulier dans les installations industrielles plus anciennes ou dans les secteurs où les dépenses en capital pour les nouvelles technologies sont limitées.

Opportunités de marché

Accroître les progrès dans le domaine de l'automobile et des véhicules électriques (VE) pour créer de nouvelles opportunités de marché

Alors que l’industrie automobile évolue vers des technologies plus économes en énergie, plus performantes et plus respectueuses de l’environnement, le SiC apparaît comme un outil clé en raison de ses caractéristiques supérieures par rapport aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium. Les progrès des technologies automobiles, en particulier des véhicules électriques, créent des opportunités de marché substantielles pour les acteurs du SiC, motivées par la nécessité d'améliorer la conversion de puissance, l'efficacité et la fiabilité.

Les véhicules électriques nécessitent des systèmes électroniques de puissance capables de gérer efficacement l’énergie entre la batterie, le moteur et les autres composants du véhicule. Le carbure de silicium est adopté dans les modules de puissance pour les onduleurs, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC-DC en raison de sa conductivité thermique supérieure, de sa fréquence de commutation élevée et de son efficacité à haute tension. Par conséquent, les progrès dans le domaine de l’automobile et des véhicules électriques créent de nouvelles opportunités pour les acteurs du marché.

• Par exemple,en octobre 2022,Jaguar Land Rover s'est associé à Wolfspeed, Inc. pour fournir des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) destinés aux futurs véhicules électriques. Cette collaboration est cruciale pour améliorer l’efficacité du groupe motopropulseur et augmenter l’autonomie.

ANALYSE DE SEGMENTATION

Par type de produit

Les MOSFET SiC sont en tête en raison de leur utilisation croissante dans diverses industries

Le marché est segmenté en MOSFET SiC, diodes/SBD SiC et modules SiC en fonction du type de produit.

Les MOSFET SiC détenaient la part de marché la plus élevée, soit 40,59 % en 2026, alors que de nombreuses entreprises déploient des MOSFET en carbure de silicium pour capitaliser sur une augmentation potentielle de la demande dans divers secteurs. Par exemple, en août 2022, Toshiba Corporation a lancé ses MOSFET en carbure de silicium de troisième génération 650 V et 1 200 V, qui ont permis de réduire de 20 % les pertes de commutation pour les machines industrielles. Le large éventail d’avantages offerts par les transistors MOSFET a stimulé la croissance du segment ces dernières années.

Le segment des modules SiC devrait croître avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Les modules d'alimentation en carbure de silicium permettent d'utiliser le carbure de silicium comme commutateur pour la conversion de puissance et sont largement utilisés dans les secteurs de la mobilité électrique, de l'industrie et de l'énergie. Ils améliorent l’efficacité énergétique et réduisent les dépenses opérationnelles.

• Par exemple, en janvier 2024,United Nova Technology, un fabricant chinois de puces et de modules automobiles, a annoncé avoir signé un accord avec Nio, un constructeur automobile, pour la production de modules en carbure de silicium (SiC).

Par tension nominale

Le besoin croissant d'énergie haute tension parmi diverses applications industrielles et automobiles stimule la croissance du 1 200 V-1 700 V

Le marché est divisé en 650 V, 650 V-1 200 V, 1 200 V-1 700 V et au-dessus de 1 700 V en fonction de la tension nominale.

Le segment 1 200 V-1 700 V devrait croître avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Différentes applications industrielles, telles que les infrastructures de recharge, les entraînements de moteur et le photovoltaïque, utilisent des dispositifs SiC 1 200 V. Les dispositifs SiC d'une puissance nominale de 1 700 V sont principalement destinés aux secteurs de l'industrie, des transports et de l'énergie, représentant un volume global plus faible. Par exemple,

• En mars 2024,Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a commencé la production en série de son module MOSFET en carbure de silicium (SiC) de troisième génération, le « MG250V2YMS3 », qui présente une tension nominale de 1 700 V et un courant de drain (CC) de 250 A pour une utilisation dans les équipements industriels, élargissant ainsi sa gamme de produits.

Le segment 650 V-1 200 V dominait la part de marché mondiale de 37,08 % en 2026. Ces dispositifs SiC, évalués entre 650 V et 1 200 V, s'attaquent efficacement au segment de puissance inférieure qui était autrefois dominé par le silicium. De nos jours, la technologie SiC constitue une véritable option pour les applications à 650 V et plus, offrant une puissance élevée, des fréquences de commutation modérées à élevées et des performances fiables dans des conditions de température élevée.

Par plage de puissance

Le segment de puissance moyenne (1 kW à 50 kW) est dominé en raison de ses propriétés matérielles uniques

En fonction de la plage de puissance, le marché est divisé en puissance faible (<1 kW), puissance moyenne (1 kW – 50 kW) et puissance élevée (>50 kW).

Le segment de puissance moyenne (1 kW à 50 kW) détenait la plus grande part de marché mondial, soit 42,52 % en 2026. Le carbure de silicium est considéré comme un substitut prometteur au silicium en raison de ses propriétés matérielles uniques telles qu'une conductivité thermique élevée, une stabilité thermique et mécanique, une dureté, une inertie chimique et autres, qui conduisent à son utilisation dans les applications de puissance moyenne (1 kW à 50 kW). Les principales applications des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium comprennent les chargeurs embarqués, véhicule électriquechargeurs de batterie, systèmes de récupération d'énergie, groupes motopropulseurs de véhicules électriques hybrides, convertisseurs DC-DC, onduleurs photovoltaïques, alimentations IRM, éoliennes, unités de climatisation, alimentations auxiliaires, alimentations à rayons X, systèmes intégrés pour véhicules et distribution d'énergie.

Le segment des hautes puissances (>50 kW) connaît une croissance avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Des composants discrets sont utilisés pour les chargeurs <30 kW, tandis que les modules SiC sont mieux adaptés au chargement de modules >50 kW. À partir de 2022, les chargeurs CC commerciaux haute puissance peuvent fonctionner à 270 kilowatts (kW) et devraient atteindre 350 kW dans les prochaines années. Ces facteurs devraient contribuer à la croissance du segment dans les années à venir.

Par candidature

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Le segment industriel est en tête grâce à la forte adoption des dispositifs SiC

En fonction des applications, le marché est classé en automobile, industrie, énergie et services publics, aérospatiale et défense, etc.

Le segment industriel représente la plus grande part de marché de 30,26 % en 2026. Le secteur industriel exploite les propriétés exceptionnelles du SiC grâce à l’automatisation et à la robotique. La résistance du matériau aux températures élevées et sa capacité à bien fonctionner sous contrainte électrique garantissent un fonctionnement plus fiable et avec une précision accrue de l'équipement. Cela se traduit par une productivité plus élevée et des dépenses de maintenance réduites.

Le segment automobile devrait croître avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Cela peut être attribué à l’utilisation croissante de semi-conducteurs SiC dans les véhicules électriques et les automobiles à combustion interne. En 2024, les véhicules alimentés par des systèmes électriques à batterie de 400 V, tels que les modèles Tesla, représentaient la plus grande demande de dispositifs SiC. Le lancement d’un plus grand nombre de véhicules électriques à batterie de 800 V par les fabricants d’équipement d’origine (OEM) accélère la croissance du segment. Par exemple,

• En septembre 2024,STMicroelectronics a lancé sa technologie MOSFET en carbure de silicium (SiC) STPOWER de quatrième génération. Ce dernier MOSFET SiC est proposé en variantes 750 V et 1 200 V et améliore l'efficacité énergétique et les performances des onduleurs de traction de bus de véhicules électriques 400 V et 800 V. La société a dévoilé d’autres innovations technologiques avancées SiC d’ici 2027 dans le cadre de son engagement en faveur de l’innovation.

PERSPECTIVES RÉGIONALES DU MARCHÉ DES DISPOSITIFS EN CARBURE DE SILICIUM (SiC)

Le marché est étudié géographiquement en Amérique du Nord, en Amérique du Sud, en Europe, au Moyen-Orient, en Afrique et en Asie-Pacifique, et chaque région est étudiée plus en détail dans tous les pays.

Asie-Pacifique

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L'Asie-Pacifique a dominé la part de marché mondiale des dispositifs en carbure de silicium (SiC) en 2023. L'Asie-Pacifique a dominé le marché avec une valorisation de 1,35 milliard de dollars en 2025 et de 1,72 milliard de dollars en 2026. La croissance de la région est principalement due à des secteurs en constante évolution tels que l'automobile, le gouvernement, l'énergie et l'électricité, ainsi que la fabrication. L'industrie des semi-conducteurs connaît une demande accrue, ce qui incite les pays de la région Asie-Pacifique à intensifier leurs efforts en matière de recherche et de développement. Par exemple, au cours du premier semestre 2024, la Chine a investi 24,73 milliards de dollars dans l’acquisition de machines de fabrication de puces, selon les données du SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International). Le marché japonais devrait atteindre 0,38 milliard USD d'ici 2026, le marché chinois devrait atteindre 0,52 milliard USD d'ici 2026 et le marché indien devrait atteindre 0,21 milliard USD d'ici 2026.

• D’ici 2025, ROHM Co., Ltd. s’est associé à Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation pour produire et augmenter le volume de dispositifs électriques, avec l’aide du ministère de l’Économie, du Commerce et de l’Industrie, conformément à l’objectif du gouvernement japonais d’assurer un approvisionnement fiable et stable en semi-conducteurs. ROHM et Toshiba ont réalisé des investissements importants dans les dispositifs d'alimentation en carbure de silicium (SiC) et en silicium (Si), ce qui a amélioré leurs capacités de fabrication et leur a permis de tirer parti de leurs ressources de production respectives.

Ainsi, les scénarios mentionnés précédemment sont susceptibles de stimuler davantage la demande de dispositifs en carbure de silicium (SiC) dans les années à venir.

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L’industrie des dispositifs en carbure de silicium (SiC) en Chine devrait connaître un fort taux de croissance au cours de la période de prévision. Selon les experts du secteur, plus de 50 initiatives d'expansion liées au SiC ont été lancées en Chine en 2023, avec des investissements totaux dépassant ~12,70 milliards de dollars. En 2024, on prévoit que plus de 100 entreprises chinoises se lanceront dans l’industrie du SiC, et plus de 50 projets SiC connaissent des progrès considérables.

• En décembre 2024,Les États-Unis ont annoncé une extension de leurs sanctions commerciales contre la Chine pour inclure le carbure de silicium et les anciens dispositifs à semi-conducteurs utilisant une technologie plus ancienne. Cela englobe les dispositifs en carbure de silicium (SiC), qui, outre l'accent mis sur la chaîne d'approvisionnement américaine en semi-conducteurs, sont considérés comme une stratégie visant à protéger des entreprises telles que Wolfspeed et Microchip Technologies qui ont fait face à des défis, tout en soutenant également l'usine Bosch SiC en Californie.

Amérique du Nord

L'Amérique du Nord détenait la deuxième part de marché la plus élevée en 2023. L'accent mis par la région sur la réduction des émissions et la promotion de la mobilité électrique soutient la demande de dispositifs en carbure de silicium (SiC). Les incitations gouvernementales, les cadres réglementaires et la présence des principaux constructeurs automobiles contribuent à la croissance du marché des dispositifs en carbure de silicium (SiC) dans la région. De plus, les progrès de la technologie SiC et l’augmentation des investissements dans la recherche et le développement stimulent davantage l’expansion du marché. Le marché américain devrait atteindre 0,83 milliard de dollars d’ici 2026.

• Par exemple, dansdécembre 2024,Le ministère du Commerce a conclu un protocole d'accord préliminaire avec Bosch pour proposer un financement de 225 millions de dollars pour l'agrandissement de l'usine SiC de la société située à Roseville, en Californie. Selon l'accord, les États-Unis soutiendraient l'investissement de Bosch de 1,9 milliard de dollars pour moderniser son usine de fabrication de SiC dans le cadre du CHIPS and Science Act, permettant à l'entreprise de fabriquer des puces sur des tranches de 200 mm en 2026.

Le marché des dispositifs en carbure de silicium (SiC) aux États-Unis détenait la plus grande part de marché en 2023 en Amérique du Nord. Les gouvernements et les organisations du pays fixent des objectifs ambitieux en matière d’efficacité énergétique. Les États-Unis se sont engagés à réduire de 50 % leurs émissions de gaz à effet de serre d'ici 2030. Ces objectifs renforcent le besoin d'une électronique de puissance avancée capable d'offrir un rendement élevé dans des applications telles que le stockage d'énergie,énergie renouvelablel’intégration et la mobilité électrique.

Europe

L’Europe devrait conquérir une solide part de marché au cours de la période de prévision. Le marché régional des semi-conducteurs profite de la numérisation croissante des industries et du besoin accru d'appareils électroniques. Pour répondre à la demande d’électronique de pointe, les entreprises investissent dans les nouvelles technologies et augmentent leur capacité de production. Le marché britannique devrait atteindre 0,22 milliard de dollars d'ici 2026, tandis que le marché allemand devrait atteindre 0,24 milliard de dollars d'ici 2026.

La loi européenne sur les puces, annoncée en février 2022 et opérationnelle depuis septembre 2023, prévoit une aide financière ciblée pouvant atteindre 43 milliards de dollars à l'industrie des semi-conducteurs en Europe. Ces incitations visent à renforcer les capacités de fabrication de pointe de l'UE et à encourager les investissements en recherche et développement dans les technologies de nouvelle génération.

Moyen-Orient et Afrique

Les pays du Moyen-Orient et d'Afrique, tels que les Émirats arabes unis et l'Arabie saoudite, connaissent une croissance avec un TCAC modéré grâce à la numérisation croissante et aux initiatives gouvernementales. La concentration de la chaîne d’approvisionnement a poussé l’Arabie saoudite à investir de manière significative dans la création de capacités locales de fabrication de semi-conducteurs dans le cadre de son initiative Vision 2030. Actuellement, Taïwan occupe la première place avec 46 % de la capacité mondiale de fonderie de semi-conducteurs, suivie par la Chine, la Corée du Sud, les États-Unis et le Japon. Cette chaîne d'approvisionnement concentrée a conduit l'Arabie saoudite à réaliser des investissements substantiels dans les capacités locales de fabrication de semi-conducteurs dans le cadre de son initiative Vision 2030.

Amérique du Sud

Le marché sud-américain devrait enregistrer un modeste TCAC au cours de la période de prévision. La mondialisation de l'industrie microélectronique et la localisation des capacités de fabrication créent de nouvelles opportunités dans la région. Cette tendance crée de nouvelles perspectives pour les entreprises de fabrication de produits électroniques et de chaîne d’approvisionnement sur le marché sud-américain. En conséquence, de nouveaux investissements sont réalisés dans la fabrication front-end et back-end par des fabricants d'appareils tels que Unitec Blue en Argentine, Unitec Semiconductor et CEITEC au Brésil.

PAYSAGE CONCURRENTIEL

Acteurs clés de l'industrie

Les principaux acteurs se concentrent sur le lancement de nouveaux produits pour répondre à des besoins d'alimentation spécifiques

Les principaux acteurs du marché des dispositifs en carbure de silicium (SiC), notamment STMicroelectronics, Infineon Technologies AG, Onsemi, Wolfspeed, ROHM Semiconductors et d'autres, se concentrent sur le lancement de nouveaux produits adaptés pour répondre aux besoins spécifiques de conversion de puissance, de charge rapide et d'efficacité opérationnelle améliorée. De plus, ces entreprises ont formé des collaborations pour combiner leur expertise et leurs ressources uniques dans les domaines des semi-conducteurs et des systèmes de gestion de batteries. Ces partenariats visent souvent à créer des solutions innovantes pour les véhicules électriques, améliorant l’efficacité tant en termes d’utilisation que de fonctionnalités.

• Par exemple,en septembre 2022,ON SEMICONDUCTOR CORPORATION (on semi) a élargi ses opérations en République tchèque avec l'ouverture de son usine de fabrication améliorée de carbure de silicium. L'installation modernisée devrait multiplier par 16 la production de plaquettes d'Onsemi au cours des deux prochaines années et répondre à la demande croissante de micropuces.

Acteurs majeurs du marché des dispositifs en carbure de silicium (SiC)

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Le marché mondial des dispositifs en carbure de silicium (SiC) se caractérise par une saine concurrence, les 5 principaux acteurs représentant environ 55 à 60 % de la part de marché. L’évolution vers des véhicules électriques plus abordables et les changements ultérieurs dans la demande d’appareils électriques sont susceptibles de stimuler les fusions, les partenariats et les acquisitions. La consolidation du marché devrait influencer considérablement la chaîne d’approvisionnement.

Les principaux fabricants de plaquettes SiC sont confrontés à une rivalité accrue avec des concurrents plus petits qui utilisent des tactiques de prix compétitives. Alors que la Chine intensifie ses initiatives visant à améliorer ses capacités nationales de production d’appareils électriques, les entreprises en Europe, aux États-Unis et au Japon sont confrontées à une concurrence croissante.

Liste des principaux dispositifs en carbure de silicium (SiC) Entreprises étudiées :

• STMicroélectronique(NOUS.)
• Infineon Technologies AG (Allemagne)
• Wolfspeed, Inc.(NOUS.)
• ROHM Co., Ltd. (Japon)
• Semiconductor Components Industries, LLC (onsemi) (États-Unis)
• Société électrique Mitsubishi(Japon)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
• Technologie Microchip Inc.(NOUS.)
• NXP Semiconductors (Pays-Bas)
• Coherent Corp. (États-Unis)
• Diodes Inc. (États-Unis)
• GeneSiC Semiconductor (États-Unis)
• Allegro MicroSystems, LLC (États-Unis)
• Renesas Electronics Corporation (Japon)
• TT Electronics Plc (Royaume-Uni)
• Vishay Intertechnology, Inc. (États-Unis)
• DENSO Corporation (Japon)
• BASiC Semiconductor Co., Ltd. (Chine)
• Alpha & Omega Semiconductor (États-Unis)

..et plus

DÉVELOPPEMENTS CLÉS DE L’INDUSTRIE

• Décembre 2024 :STMicroelectronics a conclu un partenariat stratégique avec Ampere, qui devrait démarrer en 2026. Ce partenariat comprend un contrat pluriannuel entre le groupe Renault et STMicroelectronics pour la fourniture de modules de puissance en carbure de silicium (SiC). Ces modules seront essentiels dans la création d’un boîtier d’alimentation pour l’onduleur qui facilitera le groupe motopropulseur électrique hautement efficace d’Ampère.
• Décembre 2024 :Onsemi a annoncé l'acquisition de la division technologique Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor (SiC JFET), qui comprend la filiale United Silicon Carbide, auprès de Qorvo. Cette acquisition renforcera le portefeuille d'alimentation EliteSiC d'Onsemi et contribuera à répondre à la demande croissante de haute densité de puissance et d'efficacité énergétique dans les centres de données d'IA.
• Novembre 2024 :ROHM a acquis une centrale solaire japonaise située au Japon, anciennement connue sous le nom de centrale de Kunitomi. L'usine est exploitée par une filiale du groupe ROHM, LAPIS Semiconductor, en tant qu'usine n°2 de Miyazaki.
• Novembre 2024 :Infineon Technologies a collaboré avec Stellantis pour créer un Power Lab commun. Ce laboratoire vise à définir une puissance intelligente et une architecture évolutive de nouvelle génération qui prend en charge le véhicule défini par logiciel de Stellantis.
• Septembre 2024 :Wolfspeed a introduit un module en carbure de silicium pour transformer les secteurs du stockage d'énergie, des énergies renouvelables et de la charge rapide à haute capacité en améliorant la durabilité, l'efficacité de l'évolutivité et la fiabilité.

ANALYSE D'INVESTISSEMENT ET OPPORTUNITÉS

Les gouvernements du monde entier offrent des financements et des incitations pour le progrès des technologies EV et le développement de produits durables. Ces initiatives stimulent les investissements dans la construction et le développement de semi-conducteurs de puissance à entraînement SiC. Par exemple,

• En octobre 2024,l'administration Biden-Harris a déclaré que Wolfspeed et le département américain du Commerce, Inc. avaient conclu un PMT (mémorandum préliminaire de conditions) non contraignant pour un montant pouvant aller jusqu'à 750 millions de dollars en financement direct prévu dans le cadre de la loi CHIPS and Science. Le financement prévu contribuerait à la construction de la nouvelle usine de fabrication de plaquettes de carbure de silicium à Siler City, en Caroline du Nord. Il contribue à garantir un approvisionnement national constant en semi-conducteurs qui renforcera les progrès imminents de l’économie énergétique.

COUVERTURE DU RAPPORT

Le rapport d’étude de marché fournit une analyse détaillée du marché. Il se concentre sur des points clés, tels que les entreprises, les offres et les applications leaders. En plus de cela, le rapport offre une compréhension des dernières tendances du marché et met en évidence les principaux développements du secteur. Outre les facteurs mentionnés ci-dessus, le rapport contient plusieurs facteurs qui ont contribué à la croissance du marché ces dernières années.

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PORTÉE ET SEGMENTATION DU RAPPORT