Silicon Carbide (SiC) Dispositions Taille du marché, partage et analyse de l'industrie, par type de produit (MOSFETS SIC, diodes SIC / SBDS et modules SIC), par tension (jusqu'à 650V, 650V - 1200V, 1200V - 1700 V et supérieur à 1700v), par gamme d'énergie (50 kW),, par application (Automotive, Industria Défense, et autres) et les prévisions régionales, 2024 - 2032

La taille du marché mondial des appareils en carbure de silicium (SIC) était évaluée à 2,59 milliards USD en 2023. Le marché devrait passer de 3,21 milliards USD en 2024 à 21,27 milliards USD d'ici 2032, présentant un TCAC de 26,7% au cours de la période de prévision.

Le carbure de silicium est un large bandesemi-conducteurMatériel aux propriétés supérieures par rapport au silicium traditionnel, ce qui le rend très adapté aux dispositifs électroniques haute performance qui fonctionnent dans des conditions extrêmes. En raison de ces propriétés uniques, les appareils SIC sont très recherchés pour des applications de haute puissance, offrant une efficacité améliorée et une fiabilité dans des environnements sévères.

Aperçu du marché mondial des appareils en carbure de silicium (SIC)

Taille du marché:

• 2023 Valeur:2,59 milliards de dollars
• Valeur 2024:3,21 milliards de dollars
• 2032 Valeur de prévision:21,27 milliards USD
• CAGR (2024-2032):26,7%

Part de marché:

• Leader régional:L'Asie-Pacifique a détenu la plus grande part en 2023 en raison de l'investissement solide dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les infrastructures de télécommunications.
• Région à la croissance la plus rapide:L'Asie-Pacifique devrait également enregistrer le taux de croissance le plus élevé au cours de la période de prévision.

Tendances de l'industrie:

• Les MOSFET SIC ont représenté la plus grande part en 2023, tandis que les modules SIC devraient croître au TCAC le plus rapide.
• Les dispositifs de la gamme 650–1200V ont mené le marché en 2023, avec des dispositifs de 1200 à 1700 V devraient se développer rapidement pour les applications à haute tension.
• Les dispositifs moyens (1kw - 50 kW) ont dominé en 2023, tandis que les dispositifs à haute puissance (> 50 kW) sont définis pour la croissance la plus rapide à mesure que les systèmes d'alimentation rapide et à grande échelle se développent.
• Les applications industrielles détenaient la part la plus importante, tandis que le segment automobile devrait croître au taux le plus rapide en raison de l'augmentation de l'adoption des véhicules électriques.

Facteurs moteurs:

• Demande croissante d'électronique d'énergie économe en énergie dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les applications industrielles.
• Avantages des dispositifs SIC, notamment une efficacité plus élevée, des performances thermiques et une densité de puissance, stimulant l'adoption dans les onduleurs automobiles, les chargeurs et les onduleurs renouvelables.
• L'expansion des réseaux 5G et des systèmes électroniques à haute fréquence augmentant le besoin de composants SIC.
• Investissements importants par les principaux fabricants à l'échelle de la production de plaquettes et de modules SIC à l'échelle mondiale.

L'utilisation croissante des dispositifs de carbure de silicium (SIC) dans l'électronique de puissance, ainsi que les différentes applications fournies par les dispositifs semi-conducteurs SIC dans les infrastructures de charge des véhicules électriques, alimente l'expansion du marché.

• Par exemple, Audi incorpore des onduleurs semi-conducteurs SIC dans ses modèles de véhicules électriques, augmentant l'efficacité du véhicule de près de 60% tout en améliorant la fiabilité. Audi fournit actuellement ces onduleurs refroidis par eau dans leurs modèles, qui excellent en particulier dans des conditions de charge partielle.

La baisse globale du pouvoir d'achat des consommateurs pendant la pandémie Covid-19 a entraîné une baisse de la demande de divers produits technologiques, ce qui a un impact négatif sur le marché des appareils semi-conducteurs en carbure de silicium (SIC). De plus, la disparité entre la demande et l'offre de dispositifs semi-conducteurs sic a créé une lacune dans l'industrie des semi-conducteurs.

Impact de l'IA générative

La demande croissante d'IA générative pour développer des appareils SIC personnalisés pour propulser la croissance du marché

L'impact de l'IA génératrice sur l'industrie des appareils en carbure de silicium (SIC) est multiforme, ce qui stimule les améliorations de la conception, de la fabrication et de la dynamique du marché. Gen AI peut aider à la personnalisation des produits SIC pour répondre aux besoins spécifiques des clients dans diverses industries. En tirant parti des techniques de conception génératives, l'IA peut créer des composants sic sur mesure qui correspondent aux exigences opérationnelles particulières, en particulier pour les utilisations automobiles, énergétiques ou industrielles. Cette personnalisation peut conduire à une approche plus personnalisée et efficace pour les fabricants et les consommateurs.

Dans l'électronique de puissance, les dispositifs SIC tels que les diodes, les MOSFET et les IGBT jouent un rôle crucial dans l'amélioration de l'efficacité des systèmes de conversion d'énergie. L'IA générative peut être utilisée pour concevoir des modules de puissance plus efficaces en simulant les interactions électriques, thermiques et mécaniques dans divers environnements de fonctionnement. Cela accélère le délai de commercialisation des appareils électroniques de puissance tout en réduisant le risque de défauts de conception.

Ainsi,AI génératifdevrait jouer un rôle transformateur dans l'industrie du SIC en accélérant la recherche et le développement, l'optimisation de la production, l'amélioration de la fiabilité des produits et la fourniture de renseignements plus approfondis sur les tendances du marché.

Tendances du marché des appareils en carbure de silicium (sic)

Adoption croissante des appareils SIC dans la technologie 5G pour augmenter la croissance du marché

Le réseau sans fil 5G devrait révolutionner les systèmes de communication dans le monde, offrant des vitesses de données beaucoup plus rapides, une latence ultra-faible et des connexions plus fiables par rapport aux générations précédentes.

L'avènement de la technologie 5G a entraîné une demande croissante de composants électroniques hautes performances capables de fonctionner à des fréquences plus élevées. Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SIC) sont particulièrement bien adaptés à une utilisation dans les stations de base 5G et d'autres systèmes de communication à grande vitesse en raison de leur capacité à fonctionner efficacement à des fréquences et des températures plus élevées.

Dynamique du marché

Moteurs du marché

Augmentation de la demande d'électronique de puissance efficace pour stimuler la croissance du marché

L'électronique d'alimentation est cruciale pour convertir et contrôler la puissance électrique dans les véhicules électriques, y compris les onduleurs, les chargeurs et les systèmes de contrôle des moteurs. L'électronique électrique dans les véhicules électriques (onduleurs, chargeurs, etc.) représentent environ 10% à 15% du coût total d'un EV. Ces systèmes convertissent DC à haute tension (courant direct) à partir dubatterieà AC (courant alternatif) pour le moteur et gérer le flux de puissance pendant la charge. À mesure que l'adoption EV accélère, la demande de systèmes électroniques efficaces et fiables augmente.

La transition mondiale vers les énergies renouvelables, associées à des progrès dans les technologies de stockage d'énergie, est un autre facteur important stimulant la demande d'électronique électrique. L'électronique de puissance est utilisée dans les onduleurs d'éoliennes, les onduleurs solaires et les systèmes de stockage d'énergie pour gérer la conversion, la réglementation et la distribution de l'énergie électrique.

• Par exemple,Selon l'International Renewable Energy Agency (IRENA), la capacité des énergies renouvelables devrait augmenter de 7,8% par an d'ici 2032. D'ici 2030, l'énergie solaire et éolienne représenteraient plus de 70% de la production totale d'électricité mondiale, ce qui entraîne une plus grande demande d'appareils électroniques électriques dans les onduleurs solaires, les contrôleurs d'énergie éolienne et les équipements de connexion à grille.

Contraintes de marché

Des défis d'intégration complexes peuvent limiter l'utilisation des appareils SIC parmi les entreprises

De nombreuses industries qui pourraient bénéficier des appareils à base de SiC s'appuient toujours sur des systèmes hérités basés sursiliciumComposants, rendre difficile l'intégration avec l'infrastructure existante. La mise à niveau des systèmes existants (par exemple, les réseaux électriques, les moteurs industriels et les groupes motopropulseurs automobiles) pour incorporer des dispositifs SIC nécessite un investissement important dans de nouveaux équipements, et le processus de rénovation peut être techniquement complexe. Le coût initial élevé de remplacement ou de modernisation des infrastructures peut être un obstacle à l'adoption de la SIC, en particulier dans les usines ou secteurs industriels plus anciens avec des dépenses en capital limitées pour les nouvelles technologies.

Opportunités de marché

Augmentation des progrès des véhicules automobiles et électriques (EVS) pour créer de nouvelles opportunités de marché

Alors que l'industrie automobile se déplace vers des technologies plus économes en énergie, haute performance et respectueuses de l'environnement, le SIC émerge en tant que catalyseur clé en raison de ses caractéristiques supérieures par rapport aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium. L'avancement des technologies automobiles, en particulier les véhicules électriques, crée des opportunités de marché substantielles pour les acteurs du SIC, motivées par la nécessité d'une amélioration de la conversion, de l'efficacité et de la fiabilité.

Les véhicules électriques nécessitent des systèmes électroniques d'alimentation qui peuvent gérer efficacement l'énergie entre la batterie, le moteur et d'autres composants de véhicule. Le carbure de silicium est adopté dans des modules de puissance pour les onduleurs, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC-DC en raison de sa conductivité thermique supérieure, de sa fréquence de commutation élevée et de sa efficacité à haute tension. Par conséquent, les progrès des véhicules automobiles et électriques créent de nouvelles opportunités pour les acteurs du marché.

• Par exemple,en octobre 2022,Jaguar Land Rover s'est associé à WolfSpeed, Inc. pour fournir des semi-conducteurs de carbure de silicium (SIC) pour les futurs véhicules électriques. Cette collaboration est cruciale pour améliorer l'efficacité du groupe motopropulseur et l'augmentation du practice.

Analyse de segmentation

Par type de produit

Les mosfets SIC ont mené en raison de son utilisation croissante dans diverses industries

Le marché est segmenté en MOSFET SIC, diodes SIC / SBDS et modules SIC basés sur le type de produit.

Les MOSFET SIC ont détenu la part de marché la plus élevée en 2023, car de nombreuses entreprises déploient les MOSFET en carbure de silicium pour capitaliser sur une forte augmentation de la demande dans divers secteurs. Par exemple, en août 2022, Toshiba Corporation a lancé ses MOSFET en carbure de silicium de 650 V et 1200 V, ce qui a réalisé une réduction de 20% des pertes de commutation pour les machines industrielles. Le large éventail d'avantages fourni par les transistors MOSFET a entraîné la croissance du segment ces dernières années.

Le segment des modules SIC devrait se développer avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Les modules de puissance en carbure de silicium permettent l'utilisation de carbure de silicium comme interrupteur pour la conversion de puissance et sont largement utilisés dans les secteurs de la mobilité, industrielle et énergétique. Ils améliorent l'efficacité énergétique et la baisse des dépenses opérationnelles.

• Par exemple, en janvier 2024,United Nova Technology, un fabricant de puces et modules automobiles chinois, a annoncé qu'elle avait signé un accord avec Nio, un constructeur automobile, pour la production de modules de carbure de silicium (SIC).

Par cote de tension

Le besoin croissant de puissance de haute tension parmi diverses applications industrielles et automobiles entraîne la croissance de 1200 V-1700 V

Le marché est divisé en jusqu'à 650 V, 650 V - 1200 V, 1200 V - 1700 V et supérieur à 1700 V sur la base de la tension.

Le segment 1200 V - 1700 V devrait croître avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Différentes applications industrielles, telles que les infrastructures de charge, les disques moteurs et les photovoltaïques, utilisent des dispositifs de 1200 V sic. Les dispositifs SIC avec une note de 1700 V principalement axé sur les secteurs industriel, des transports et de l'énergie, représentant un plus petit volume global. Par exemple,

• En mars 2024,Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a commencé la production de masse de son module MOSFET de troisième génération en carbure de silicium (SIC), le «MG250V2YMS3», qui comporte une cote de tension de 1700 V et une note de courant de drain (DC) de 250 A pour une utilisation dans des équipements industriels, l'élargissement de sa gamme de produits.

Le segment 650V - 1200 V a dominé le marché mondial en 2023. Ces dispositifs SIC, évalués entre 650 V - 1200 V, s'attaquent efficacement au segment de puissance inférieur qui était autrefois dominé par le silicium. De nos jours, la technologie SIC est une véritable option pour les applications à 650 V et plus, offrant une puissance élevée, des fréquences de commutation modérées à élevées et des performances fiables dans des conditions de température élevées.

Par gamme de puissance

Segment de puissance moyenne (1 kW - 50KW) dominée en raison de ses propriétés de matériau uniques

Sur la base de la gamme de puissance, le marché est trifurqué en faible puissance (<1 kW), puissance moyenne (1 kW à 50 kW) et élevée (> 50 kW).

Le segment de puissance moyenne (1 kW à 50 kW) détenait la plus grande part du marché mondial en 2023. Le carbure de silicium est considéré comme un substitut prometteur au silicium en raison de ses propriétés de matériaux uniques telles que la conductivité thermique élevée, la stabilité thermique et mécanique, la dureté, l'inertie chimique et d'autres, ce qui entraîne son utilisation dans les applications de puissance moyenne (1 kW - 50 KW). Les applications clés pour les appareils semi-conducteurs en carbure de silicium comprennent les chargeurs à bord,véhicule électriqueChargeurs de batterie, systèmes de récupération d'énergie, groupes motopropulseurs hybrides électriques, convertisseurs DC-DC, onduleurs photovoltaïques, alimentations IRM, éoliennes, unités de climatisation, alimentations auxiliaires, alimentation en rayons X, systèmes de véhicules intégrés et distribution d'électricité.

Le segment élevé de puissance (> 50 kW) augmente avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Des composants discrets sont utilisés pour les chargeurs <30 kW, tandis que les modules SIC sont mieux adaptés à la charge de module> 50 kW. En 2022, les chargeurs commerciaux de DC de haute puissance peuvent fonctionner à 270 kilowatts (KW) et devraient atteindre 350 kW au cours des prochaines années. Ces facteurs devraient contribuer à la croissance du segment dans les années à venir.

Par demande

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Le segment industriel mène en raison d'une forte adoption des dispositifs SIC

Sur la base de l'application, le marché est classé en automobile, industriel, énergie et services publics, aérospatiale et défense et autres.

Le segment industriel représente la plus grande part de marché. Le secteur industriel tire parti des propriétés exceptionnelles du SIC par l'automatisation et la robotique. La résistance du matériau aux températures élevées et sa capacité à bien fonctionner sous la contrainte électrique garantissent que l'équipement fonctionne plus de manière fiable et avec une précision améliorée. Il en résulte une productivité plus élevée et des dépenses de maintenance plus élevées.

Le segment automobile devrait se développer avec le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision. Cela peut être attribué à l'utilisation croissante des semi-conducteurs SIC dans les véhicules électriques et les automobiles à combustion interne. D'ici 2024, les véhicules alimentés par des systèmes électriques de batterie 400 V, tels que les modèles Tesla, représentaient la plus grande demande de dispositifs SIC. Le lancement de plus de véhicules électriques de batterie 800 V par les fabricants d'équipements d'origine (OEM) accélère la croissance du segment. Par exemple,

• En septembre 2024,Stmicroelectronics a lancé sa technologie MOSFET de carbure de silicium STPower de quatrième génération (SIC). Ce dernier MOSFET SIC est proposé dans les variantes 750 V et 1200 V et améliore l'efficacité énergétique et les performances pour les onduleurs de traction de bus de véhicules électriques 400 V et 800 V. L'entreprise a dévoilé des innovations de technologie Advanced Advanced supplémentaires d'ici 2027 dans le cadre de son dévouement à l'innovation.

Dispositifs en carbure de silicium (SIC) Marché des perspectives régionales

Le marché est étudié géographiquement en Amérique du Nord, en Amérique du Sud, en Europe, au Moyen-Orient et en Afrique et en Asie-Pacifique, et chaque région est étudiée dans tous les pays.

Asie-Pacifique

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L'Asie-Pacifique a dominé la part de marché des dispositifs de carbure de silicium mondial (SIC) en 2023. La croissance de la région est principalement due aux secteurs en constante évolution tels que l'automobile, le gouvernement, l'énergie et l'énergie et la fabrication. L'industrie des semi-conducteurs connaît une demande accrue, incitant les pays en Asie-Pacifique à intensifier leurs efforts dans la recherche et le développement. Par exemple, au cours de la première moitié de 2024, la Chine a investi un nombre important de 24,73 milliards USD dans l'acquisition de machines de fabrication de puces, conformément aux données semi-semi (équipement semi-conducteur et matériaux International).

• D'ici 2025, Rohm Co., Ltd. a uni ses forces avec Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation pour produire et stimuler le volume des dispositifs de puissance, avec l'aide du ministère de l'économie, du commerce et de l'industrie, conformément à l'objectif du gouvernement japonais d'assurer un approvisionnement fiable et stable de semi-conducteurs. Rohm et Toshiba ont fait des investissements importants dans les dispositifs d'alimentation en carbure de silicium (SIC) et en silicium (Si), ce qui a amélioré leurs capacités de fabrication et leur a permis de tirer parti des ressources de production de l'autre.

Ainsi, les scénarios mentionnés précédemment sont susceptibles de propulser davantage la demande d'appareils en carbure de silicium (SIC) dans les années à venir.

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L'industrie des appareils en carbure de silicium (SIC) en Chine devrait connaître un taux de croissance fort au cours de la période de prévision. Selon des experts de l'industrie, plus de 50 initiatives d'expansion liées au SIC ont été lancées en Chine en 2023, les investissements totaux dépassant environ 12,70 milliards USD. En 2024, il est prévu que plus de 100 entreprises en Chine s'aventureront dans l'industrie du SIC, et plus de 50 projets SIC affichent des progrès considérables.

• En décembre 2024,Les États-Unis ont annoncé une extension de ses sanctions commerciales contre la Chine pour inclure des dispositifs de semi-conducteurs en carbure de silicium et hérités utilisant une technologie plus ancienne. Cela englobe les appareils en carbure de silicium (SIC) qui, ainsi que l'accent mis sur la chaîne d'approvisionnement américaine des semi-conducteurs, est considéré comme une stratégie pour protéger des entreprises telles que WolfSpeed et Microchip Technologies qui ont été confrontées à des défis, tout en soutenant le Bosch SIC Facility en Californie.

Amérique du Nord

L'Amérique du Nord a détenu la deuxième plus grande part de marché en 2023. L'accent mis par la région sur la réduction des émissions et la promotion de la mobilité électrique soutient la demande d'appareils en carbure de silicium (SIC). Les incitations gouvernementales, les cadres réglementaires et la présence de principaux constructeurs automobiles contribuent à la croissance du marché des dispositifs de carbure de silicium (SIC) dans la région. De plus, les progrès de la technologie SIC et l'augmentation des investissements dans la recherche et le développement stimulent encore l'expansion du marché.

• Par exemple, dansDécembre 2024,Le ministère du Commerce a conclu un protocole d'accord préliminaire avec Bosch pour proposer un financement de 225 millions USD pour l'expansion de l'usine SIC de la société située à Roseville, en Californie. Selon l'accord, les États-Unis aideraient l'investissement de Bosch de 1,9 milliard USD pour mettre à niveau son usine de fabrication en SIC en vertu de la Chips and Science Act, permettant à l'entreprise de fabriquer des puces sur des plaquettes de 200 mm en 2026.

Les appareils en carbure de silicium (SIC) aux États-Unis ont présenté une plus grande part de marché en 2023 en Amérique du Nord. Les gouvernements et les organisations du pays fixent des objectifs d'efficacité énergétique ambitieux. Les États-Unis se sont engagés à une réduction de 50% des émissions de gaz à effet de serre d'ici 2030. Ces objectifs stimulent la nécessité d'électronique de puissance avancée qui peut fournir une grande efficacité dans des applications telles que le stockage d'énergie,énergie renouvelableintégration et mobilité électrique.

Europe

L'Europe devrait saisir la part de marché robuste au cours de la période de prévision. Le marché des semi-conducteurs de la région bénéficie de la numérisation croissante des industries et du besoin accru d'appareils électroniques. Pour répondre à la demande d'électronique avancée, les entreprises investissent dans de nouvelles technologies et élargissent leur capacité de production.

La loi UE Chips, annoncée en février 2022 et opérationnelle depuis septembre 2023, fournit une aide financière ciblée à jusqu'à 43 milliards de dollars à l'industrie des semi-conducteurs en Europe. Ces incitations sont conçues pour renforcer les capacités de fabrication frontale de l'UE et encourager les investissements de recherche et développement dans les technologies de nouvelle génération.

Moyen-Orient et Afrique

Le Moyen-Orient et les pays africains, tels que les EAU et l'Arabie saoudite, se développent avec un TCAC modéré avec l'augmentation des initiatives de numérisation et de gouvernement. La chaîne d'approvisionnement concentrée a poussé l'Arabie saoudite à investir considérablement dans la création de capacités de fabrication de semi-conducteurs locaux dans le cadre de son initiative Vision 2030. Actuellement, Taiwan détient la première position avec 46% de la capacité mondiale de la fonderie des semi-conducteurs, avec la Chine, la Corée du Sud, les États-Unis et le Japon. Cette chaîne d'approvisionnement concentrée a conduit l'Arabie saoudite à faire des investissements substantiels dans les capacités de fabrication de semi-conducteurs locaux dans le cadre de son initiative Vision 2030.

Amérique du Sud

Le marché sud-américain est susceptible d'enregistrer un TCAC modeste au cours de la période de prévision. La mondialisation de l'industrie de la microélectronique et la localisation des capacités de fabrication créent de nouvelles opportunités dans la région. Cette tendance crée de nouvelles perspectives pour les sociétés de fabrication d'électronique et de chaîne d'approvisionnement sur le marché sud-américain. En conséquence, de nouveaux investissements sont effectués dans la fabrication frontale et back-end par des fabricants d'appareils tels que Unitec Blue en Argentine, Unitec Semiconductor et Ceitec au Brésil.

Paysage compétitif

Jouants clés de l'industrie

Les acteurs clés se concentrent sur le lancement de nouveaux produits pour répondre à des besoins en puissance spécifiques

Les principaux acteurs du marché des appareils en carbure de silicium (SIC), notamment Stmicroelectronics, Infineon Technologies AG, ONSEMI, WolfSpeed, Rohm Semiconductors et autres, se concentrent sur le lancement de nouveaux produits adaptés pour répondre aux besoins spécifiques de conversion de puissance, de charge rapide et d'efficacité opérationnelle améliorée. En outre, ces entreprises ont formé des collaborations pour combiner leur expertise et leurs ressources uniques dans les domaines des semi-conducteurs et des systèmes de gestion des batteries. Ces partenariats visent souvent à créer des solutions innovantes pour les véhicules électriques, améliorant l'efficacité de l'utilisation et des caractéristiques.

• Par exemple,en septembre 2022,Sur Semiconductor Corporation (en semi), a élargi ses opérations en République tchèque avec l'ouverture de son usine de fabrication de carbure de silicium améliorée. L'installation améliorée devrait augmenter la production de plaquettes d'Onsemi de 16 fois au cours des deux prochaines années et répondre à la demande croissante de micropuces.

Acteurs majeurs du marché des appareils en carbure de silicium (sic)

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Le marché mondial des appareils en carbure de silicium (SIC) se caractérise par une concurrence saine, les 5 meilleurs acteurs représentant environ 55% à 60% de la part de marché. Le changement vers des véhicules électriques plus abordables et les changements ultérieurs de la demande de dispositifs électriques sont susceptibles de stimuler les fusions, les partenariats et les acquisitions. La consolidation du marché devrait influencer considérablement la chaîne d'approvisionnement.

Les principaux fabricants de plaquettes SIC connaissent une rivalité accrue de petits concurrents en utilisant des tactiques de tarification compétitives. Alors que la Chine intensifie ses initiatives visant à améliorer ses capacités de production de dispositifs de puissance intérieure, les entreprises en Europe, les États-Unis et le Japon sont confrontées à une concurrence croissante.

Liste des principaux appareils en carbure de silicium (SIC) Les entreprises ont étudié:

• Stmicroelectronics(NOUS.)
• Infineon Technologies AG (Allemagne)
• WolfSpeed, Inc.(NOUS.)
• Rohm Co., Ltd. (Japon)
• Semiconductor Components Industries, LLC (ONSEMI) (États-Unis)
• Mitsubishi Electric Corporation(Japon)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
• Microchip Technology Inc.(NOUS.)
• Semi-conducteurs NXP (Pays-Bas)
• Coherent Corp. (États-Unis)
• Diodes Inc. (États-Unis)
• Semi-conducteur gène (États-Unis)
• Allegro Microsystems, LLC (États-Unis)
• Renesas Electronics Corporation (Japon)
• TT Electronics Plc (Royaume-Uni)
• Vishay Intertechnology, Inc. (États-Unis)
• Denso Corporation (Japon)
• Basic Semiconductor Co., Ltd. (Chine)
• Alpha & Omega Semiconductor (États-Unis)

..et plus

Développements clés de l'industrie

• Décembre 2024:Stmicroelectronics a conclu un partenariat stratégique avec Ampère, qui devrait commencer en 2026. Ce partenariat englobe un contrat pluriannuel entre Renault Group et Stmicroelectronics pour la fourniture de modules d'électricité en carbure de silicium (SIC). Ces modules seront essentiels pour créer une boîte électrique pour l'onduleur qui facilitera le groupe motopropulseur électrique très efficace d'Ampère.
• Décembre 2024:ONSEMI a annoncé l'acquisition de la division technologique du transistor à effet sur le terrain de la jonction de carbure de silicium (SIC JFET), qui comprend la filiale United Silicon Carbide, de Qorvo. Cette acquisition améliorera le portefeuille de puissance élilisiques d'Onsemi et contribuera à répondre à la demande croissante de densité de puissance élevée et d'efficacité énergétique dans les centres de données d'IA.
• Novembre 2024:Rohm a acquis une plante de frontière solaire japonaise au Japon, anciennement connu sous le nom de l'usine de Kunitomi. L'usine est exploitée par une filiale du groupe Rohm, Lapis Semiconductor, comme son usine de Miyazaki n ° 2.
• Novembre 2024:Infineon Technologies a collaboré avec Stellantis pour établir un laboratoire de pouvoir conjoint. Ce laboratoire vise à définir une puissance intelligente et une architecture évolutive de nouvelle génération qui prend en charge le véhicule défini par le logiciel de Stellantis.
• Septembre 2024:WolfSpeed a introduit un module de carbure de silicium pour transformer le stockage d'énergie, les énergies renouvelables et les secteurs à forte capacité à grande capacité en améliorant la durabilité, l'efficacité de l'évolutivité et la fiabilité.

Analyse des investissements et opportunités

Les gouvernements du monde entier offrent un financement et des incitations aux progrès des technologies EV et des développements de produits durables. Ces initiatives stimulent les investissements dans la construction et le développement de semi-conducteurs de puissance à entraînement sic. Par exemple,

• En octobre 2024,L'administration de Biden-Harris a déclaré que Wolfpeed et le département américain de Commerce, Inc. avaient contracté un PMT non contraignant (mémorandum préliminaire de termes) pour jusqu'à 750 millions USD de financement direct prévu en vertu de la Chips and Science Act. Le financement prévu aiderait à la construction du nouveau centre de fabrication de plaquettes en carbure de silicium à Siler City, en Caroline du Nord. Il aide à garantir un approvisionnement national cohérent en semi-conducteurs qui renforcera les progrès imminents de l'économie énergétique.

Reporter la couverture

Le rapport d'étude de marché fournit une analyse détaillée du marché. Il se concentre sur des points clés, tels que les principales entreprises, les offres et les applications. En plus de cela, le rapport offre une compréhension des dernières tendances du marché et met en évidence les principaux développements de l'industrie. En plus des facteurs susmentionnés, le rapport contient plusieurs facteurs qui ont contribué à la croissance du marché ces dernières années.

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Rapport Portée et segmentation