Taille du marché du dispositif GAN, analyse de la part et de l'industrie, par type (Gan Power Distes Devices, GaN Power ICS, Gan Power Power Modules), par gamme de tension (basse tension (inférieure à 200 volts), par application (200 600 volts)

Le dispositif d'alimentation du nitrure de gallium (GAN) est un transistor à mobilité électronique élevée avec une résistance au champ électrique plus élevée que les dispositifs d'alimentation en silicium. Le matériau Gan a une bande interdite large qui offre des performances élevées, il s'agit donc d'un substitut réalisable au silicium pur dans l'électronique et le champ semi-conducteur. Ce matériau est largement utilisé dans les applications de puissance très haute tension. Le dispositif d'alimentation basé sur les matériaux GAn offre une capacité de gestion à haute efficacité, une capacité de gestion élevée et une commutation rapide. Ces avantages peuvent faire que Gan Power Devices est une solution principale pour diverses industries des utilisateurs finaux tels que l'aérospatiale et la défense, l'automobile, l'électronique grand public et entre autres.

Le marché des périphériques GAN Power a été segmenté sur la base du type de périphérique, de la plage de tension, de l'application, de l'utilisateur final et de la région. Sur la base du type, le marché est bifurqué en dispositifs discrets de puissance, ICS de puissance et modules de puissance. Le segment des périphériques GAN Power Discret comprend un périphérique d'alimentation RF et des dispositifs d'alimentation non RF.

Facteur clé du marché -

• Rising adoption of GaN RF Power Device in aerospace and defense industry • Growing worldwide focus on fuel conservation • Growing aircraft deliveries across the globe

Contraintes clés du marché -

• High penetration of Si based power devices • Lack of availability of GaN Material

Actuellement, la demande de dispositif de puissance GAN est augmentée dans le monde car elle améliore l'économie de carburant en réduisant les pertes de commutation. En outre, la caractéristique d'économie de carburant des dispositifs GAN Power peut en faire une solution idéale pour les applications de l'industrie aérospatiale et de la défense, y compris la communication par satellite, les missiles, les radars et la guerre électronique entre autres. Par conséquent, l'adoption accrue des dispositifs de puissance GAN dans les applications de l'industrie aérospatiale et de la défense devrait stimuler la croissance du marché. De plus, les dispositifs de puissance GAn permettent l'utilisation d'une puissance élevée dans une variété de bandes en fournissant des watts élevés aux fréquences RF. Ainsi, le dispositif de puissance GAn a d'abord été développé et utilisé en Irak pour fabriquer un brouillard explosif improvisé (IED). Et maintenant, il est utilisé dans la guerre électronique. Cette adoption accrue devrait en outre stimuler la demande d'appareils électriques basés sur GAN dans le secteur de la défense. L'utilisation croissante des dispositifs d'alimentation GaN dans les chargeurs sans fil est également susceptible d'alimenter le marché au cours de la période de prévision. De plus, la production croissante d'avions en raison de l'augmentation du trafic aérien et de l'utilisation cumulative de GaN dans l'application de réseau 5G sera susceptible de créer de nombreuses opportunités pour le marché des dispositifs de puissance GAN dans un avenir proche.

Players clés couverts:

Certains des principaux acteurs du marché Gan Power Disposiles incluent Microsemi Corporation (aux États-Unis), Analog Devices, Inc. (aux États-Unis), Cree, Inc. (aux États-Unis), Qorvo, Inc. (aux États-Unis), Macom Technology Solutions (The U.S.), Efficient Power Conversion Corporation (The U.S.), Integra Technologies, Inc. (The U.S.), Transphorm Inc. (The U.S.), Navitas Semicuctor (the U.S.), Transphor Inc. (the U. NXP Semiconductors N.V. (Pays-Bas), Texas Instruments, Inc (aux États-Unis), Infineon Technologies AG (Allemagne), sur Semiconductor Corporation (les États-Unis), Texas Instruments, Inc (les États-Unis) et entre autres.

Sur la base du type de module de puissance de marché de dispositifs discrets GAN Power Discite, devrait être témoin d'une croissance massive au cours de la période de prévision 2019-2026. L'adoption croissante des dispositifs d'alimentation GAN RF dans divers lieux verticaux de l'industrie pour une application à haute puissance alimente la croissance du marché des dispositifs de puissance GAN.

Analyse régionale:

Le marché des dispositifs de puissance GAN est analysé dans les grandes régions, notamment l'Amérique du Nord, l'Europe, l'Asie-Pacifique et le reste du monde

L'Amérique du Nord devrait diriger le marché des dispositifs de puissance de Gan et des témoins pour maintenir la position dans le calendrier des prévisions. Cette grande part de marché est due à la présence d'un grand nombre de fabricants de dispositifs de puissance GAN aux États-Unis. Également que l'investissement élevé dans la R&D spatiale et le domaine de défense devrait conduire le marché des dispositifs de puissance GAN en Amérique du Nord.

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Suivi par l'Amérique du Nord, l'Asie-Pacifique montrera une croissance significative au cours des années à venir en raison de l'adoption croissante des dispositifs de puissance GAN dans diverses industries telles que la défense, l'aérospatiale, l'automobile, l'armée et les télécommunications dans les économies émergentes telles que la Chine et l'Inde. L'augmentation des investissements dans les programmes de R&D et militaires à la hausse des pays comme la Chine, l'Inde et le Japon devrait également stimuler le marché en Asie-Pacifique au cours de la période de prévision.

Segmentation

Développements clés de l'industrie

• En 2019- Panasonic Corporation a présenté son nouveau dispositif d'alimentation GAN et SI à la conférence et à l'exposition (APEC) de la conférence et de l'APEC (APEC). Le nouveau produit, le transistor de puissance Panasonic 600V X-Gan offre une capacité thermique élevée, une conductivité thermique et un mode de panne de 600 V amélioré. De plus, les opérations à grande vitesse du transistor de puissance X-Gan 600 V offrent une efficacité de conversion de puissance améliorée et une taille réduite.
• En 2018- Panasonic Corporation a introduit son transistor de puissance GaN à l'emporte-isolée nouvellement conçue qui est capable d'opérations stables continues avec variation de tension de seuil supprimée. Cette technologie devait augmenter davantage la vitesse du dispositif de puissance GaN qui permet de miniaturisation des produits électroniques supplémentaires.
• En 2017- MACOM Technology Solutions a introduit son nouveau dispositif GAN [Power Device pour les systèmes de radar en bande L pulsés qui utilisaient pour les applications radar de surveillance aéroportuaire (ASR).