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Taille, part et analyse de l’industrie du film SiC-sur-isolant (SiCOI), par substrat (substrat de silicium (Si), substrat de carbure de silicium (SiC), substrat de saphir et autres), par taille de plaquette (100 mm (4 pouces) Warfare, 150 mm (6 pouces) Warfare, 200 mm (8 pouces) Warfare et 300 mm (12 pouces) Warfare) ; Par technologie (technologie Smart Cut et technologie de meulage/polissage/liage) ; Par application (électronique de puissance, aérospatiale et défense, automobile, électronique grand public et autres) ; et prévisions régionales, 2026-2034

Dernière mise à jour: November 24, 2025 | Format: PDF | Numéro du rapport: FBI111298

 

APERÇUS CLÉS DU MARCHÉ

La taille du marché mondial des films SiC sur isolant était évaluée à 2,29 milliards USD en 2025. Le marché devrait passer de 4,58 milliards USD en 2026 à 1 163,85 milliards USD d’ici 2034, avec un TCAC de 99,83 % au cours de la période de prévision.

Le marché mondial des films SiC sur isolant (SiCOI) connaît une expansion rapide en raison de la demande croissante d’électronique de haute puissance. Il s'agit d'une forme de matériau semi-conducteur qui combine les qualités isolantes du dioxyde de silicium (SiO2) avec les meilleures propriétés électriques du carbure de silicium (SiC). Par rapport aux semi-conducteurs conventionnels à base de silicium, cette combinaison produit un matériau capable de supporter de plus grandes densités de puissance, de fonctionner à des températures plus élevées et de commuter à des fréquences plus élevées. 

  •  Sur le marché du film SiCOI 150 mm, SOITEC, leader du marché, propose des solutions pour l'électronique de puissance dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les applications industrielles. De plus, SOITEC, l'un des principaux producteurs, utilise sa méthode unique Smart Cut pour fabriquer ces films SiCOI de 150 mm afin de répondre à la demande croissante.

Impact de l'IA générative sur leFilm SiC sur isolant (SiCOI) Marché

L’intelligence artificielle (IA) générative a un impact significatif sur l’industrie des films SiC sur isolant (SiCOI), car elle améliore la R&D grâce à la conception de matériaux et à l’optimisation des processus, conduisant à une fabrication plus efficace. En automatisant la maintenance prédictive et l’identification des problèmes, essentielles au contrôle qualité et à l’inspection, elle garantit une cohérence accrue des produits. L'IA trouve de nouvelles applications, ce qui facilite l'innovation et la création de produits. En réduisant les déchets dans les processus de fabrication et en augmentant l’efficacité énergétique, cela favorise également la durabilité.

Film SiC sur isolant (SiCOI) Moteur du marché

Demande accrue d’électronique haute puissance à mesure que l’adoption des véhicules électriques se développe

La demande en électronique de haute puissance augmente continuellement dans de nombreux secteurs, en raison de facteurs tels que la demande accrue de véhicules électriques, l'expansion des infrastructures d'énergie renouvelable et l'adoption de technologies d'automatisation dans les processus industriels. Par exemple, l’industrie automobile évolue rapidement vers les véhicules électriques (VE), motivée par les préoccupations concernant la durabilité environnementale et la législation gouvernementale visant à réduire les niveaux d’émissions des voitures. Cette évolution vers les véhicules électriques nécessite des systèmes électroniques de puissance améliorés, capables de contrôler efficacement les tensions et les courants élevés, créant ainsi une demande pour des matériaux semi-conducteurs tels que le film SICOI.

  • Selon l'Agence internationale de l'énergie (AIE), l'industrie mondiale des véhicules électriques (VE) devrait croître de 35 % par an, augmentant ainsi la demande d'appareils électroniques de haute puissance tels que les films SiCOI. En outre, une déclaration de Wolfspeed indique que l'utilisation des films SiCOI dans l'électronique de puissance augmente en raison de leurs performances supérieures dans la gestion des tensions et des courants élevés, les revenus de la société provenant des produits basés sur SiC devant doubler d'ici 2026.

Film SiC sur isolant (SiCOI) Restriction du marché

Le coût élevé et la complexité du processus de fabrication pourraient entraver l’expansion du marché

Le coût de production élevé constitue un obstacle important pour de nombreuses entreprises, en particulier les petites et moyennes entreprises, qui peuvent avoir besoin de ressources supplémentaires pour investir dans les équipements et les processus coûteux nécessaires à la génération de cristaux SiC de haute qualité. Le processus de fabrication du SiC sur isolant et d'autres substrats est extrêmement complexe et nécessite des compétences spécifiques dans des domaines tels que la croissance épitaxiale, le dopage et la fabrication de dispositifs. Cette complexité fait augmenter les coûts de production, ce qui rend difficile pour les entreprises de réaliser des économies d'échelle et de baisser les prix. En outre, l'exigence d'une standardisation accrue dans la procédure de fabrication, ainsi que le recours à un petit nombre de fournisseurs pour les cristaux SiC de haute qualité, contribuent aux coûts de production élevés.

  • X-FAB Silicon Foundries a déclaré que le coût de production des films SiCOI restait élevé en raison de la complexité des processus tels que la croissance épitaxiale et le dopage, les coûts de production étant estimés jusqu'à 40 % plus élevés que ceux des tranches de silicium ordinaires. En outre, Soitec a révélé que les équipements de pointe requis pour la production de cristaux SiC de haute qualité entraînent d'importantes dépenses d'investissement, pouvant dépasser 20 millions de dollars par usine, soulignant les contraintes financières liées à l'augmentation de la production.

Film SiC sur isolant (SiCOI) Opportunité de marché

Développements en électronique de puissance

Le film SICOI offre une solution attrayante pour la mise à niveau de l'électronique de puissance en raison de sa forte conductivité électrique et de sa stabilité thermique. Ces fonctionnalités répondent aux défis importants auxquels l'électronique de puissance actuelle est confrontée, tels que les limites de gestion de la puissance et les fréquences de fonctionnement. Le film SICO a le potentiel de permettre le développement de dispositifs plus puissants capables de répondre aux demandes d'applications telles que l'intégration des énergies renouvelables et les systèmes de recharge des véhicules électriques. De plus, ses caractéristiques suggèrent la possibilité d’un fonctionnement à haute fréquence, ce qui se traduirait par des systèmes électroniques de puissance plus compacts et plus efficaces.

Segmentation

Par substrat

Par taille de plaquette

Par technologie

Par candidature

Par région

  • Substrat de silicium (Si)
  • Substrat en carbure de silicium (SiC)
  • Substrat Saphir
  • Autres 
  • Plaquettes de 100 mm (4 pouces)
  • Plaquettes de 150 mm (6 pouces)
  • Plaquettes de 200 mm (8 pouces)
  • 300 mm (12 pouces)

Gaufrettes

  • Technologie de coupe intelligente
  • Technologie de meulage/polissage/liage
  • Électronique de puissance
  • Aéronautique et Défense
  • Automobile
  • Electronique grand public
  • Autres
  • Amérique du Nord (États-Unis, Canada et Mexique)
  • Amérique du Sud (Brésil, Argentine et reste de l'Amérique du Sud)
  • Europe (Royaume-Uni, Allemagne, France, Italie, Espagne, Russie, Benelux, pays nordiques et reste de l'Europe)
  • Moyen-Orient et Afrique (Turquie, Israël, CCG, Afrique du Nord, Afrique du Sud et reste de la MEA)
  • Asie-Pacifique (Chine, Inde, Japon, Corée du Sud, ASEAN, Océanie et reste de l'Asie-Pacifique)

Informations clés

Le rapport couvre les informations clés suivantes :

  • Indicateurs micro-macroéconomiques
  • Facteurs, contraintes, tendances et opportunités
  • Stratégies commerciales adoptées par les acteurs clés
  • Analyse SWOT consolidée des principaux acteurs

Analyse par substrat :

En fonction du substrat, le marché est fragmenté en substrat de silicium (Si), substrat en carbure de silicium (SiC), substrat en saphir et autres.

Les différents substrats du film SiCOI, notamment le silicium, le carbure de silicium (SiC) et le saphir, ont un impact sur la fonctionnalité, la longévité et l'application du film. En particulier, le substrat SiC est extrêmement souhaitable en raison de ses excellentes propriétés électriques et thermiques, nécessaires aux dispositifs haute fréquence et haute puissance. Les experts prédisent une forte augmentation de la demande de substrats SiC, entraînée par la demande croissante de voitures électriques et d’électronique de puissance.

  • Avec un taux de croissance annuel composé (TCAC) de plus de 20 %, le marché mondial des substrats SiC devrait atteindre 700 millions de dollars d'ici 2024, contre sa valorisation estimée à 300 millions de dollars en 2020.

Analyse par taille de plaquette : 

En fonction de la taille des plaquettes, le marché est fragmenté en guerre de 100 mm (4 pouces), guerre de 150 mm (6 pouces), guerre de 200 mm (8 pouces) et guerre de 300 mm (12 pouces).

Les plaquettes ont un diamètre allant de 100 mm à 300 mm. Il est recommandé d'utiliser des tranches plus grandes, telles que 200 mm et 300 mm, car elles peuvent être produites à moindre coût et plus efficacement. Alors que les fabricants s’efforcent de réduire leurs dépenses et d’augmenter leur productivité, les plaquettes de plus grande taille deviennent de plus en plus courantes. Le marché des tranches de 300 mm devrait croître considérablement grâce aux progrès des technologies de fabrication de semi-conducteurs. Une réduction de 30 % des coûts de fabrication et une augmentation de la capacité de production sont attendues lorsque des tranches de 300 mm sont utilisées.

  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) a révélé que les tranches de 300 mm représentent désormais plus de 80 % de sa fabrication, soulignant leur rentabilité et leur capacité croissante. La société a déclaré que le passage aux tranches de 300 mm a entraîné une diminution de 30 % des coûts de fabrication, ce qui est cohérent avec les tendances de l'industrie vers des tranches de plus grande taille pour une productivité accrue et des réductions de coûts.

Analyse par technologie : 

Basé sur la technologie, le marché est fragmenté entre la technologie de coupe intelligente et la technologie de meulage/polissage/liage.

Cette division concerne les procédures et les technologies, telles que le collage, le meulage et le polissage, utilisées dans la production du film SiCOI. Ces technologies affectent la capacité, la précision et la qualité du produit fini. En particulier, un déplacement efficace de couches minces rendu possible par la technologie de découpe intelligente améliore l'utilisation des matériaux et réduit les coûts de production. Le marché se développe grâce aux innovations dans ces technologies, la technologie de coupe intelligente contribuant à elle seule à réduire les coûts de certains processus de production jusqu'à 50 %.

  • Dans une récente mise à jour de l'industrie, Soitec a déclaré que sa technologie de coupe intelligente avait permis de réduire jusqu'à 50 % les coûts de production des plaquettes de silicium sur isolant (SOI), soulignant ainsi des avantages d'efficacité significatifs dans la fabrication de semi-conducteurs.

Analyse par application :

En fonction des applications, le marché est fragmenté en électronique de puissance, aérospatiale et défense, automobile, électronique grand public et autres.

Le segment de l’électronique de puissance connaît une croissance significative en raison de l’utilisation croissante de sources d’énergie renouvelables et de véhicules électriques.  SiCOI Film est essentiel au développement de systèmes de gestion de l’énergie fiables et efficaces pour les voitures électriques et hybrides, qui constituent un autre moteur important de l’industrie automobile.

  • Récemment, Infineon Technologies a annoncé un investissement de 2,5 milliards de dollars pour étendre ses installations d'électronique de puissance afin de répondre à la demande croissante dans les secteurs des énergies renouvelables et des voitures électriques. Cet investissement souligne l'importance croissante des matériaux innovants, tels que SiCOI Film, dans le développement de systèmes efficaces de gestion de l'énergie pour différentes utilisations.

Analyse régionale

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En fonction des régions, le marché a été étudié en Amérique du Nord, en Amérique du Sud, en Europe, au Moyen-Orient, en Afrique et en Asie-Pacifique.

En 2023, l’Amérique du Nord détenait 40 % de la part du marché mondial. L'innovation et l'acceptation des nouvelles technologies sont très appréciées, en particulier dans des secteurs tels que l'automobile, l'aérospatiale et les télécommunications, où les films SiCOI sont utilisés de diverses manières. De plus, des investissements importants et des environnements réglementaires favorables encouragent la croissance du marché. De plus, les instituts de recherche et les entreprises industrielles formant des alliances stratégiques favorisent l’innovation et l’expansion du marché dans la région.

Le marché des films SiC sur isolant (SICOI) connaît une expansion significative dans la région Asie-Pacifique en raison des dépenses publiques en semi-conducteurs de pointe, de la présence des principaux producteurs de SiCOI et de la forte demande de l'industrie électronique. Les technologies SiC et SiCOI reçoivent un financement gouvernemental important et de grands producteurs tels que Isabers Materials et SIOXS CORPORATION augmentent leur production. La forte demande des secteurs de l’électronique grand public, de l’automobile et des énergies renouvelables stimule la croissance du marché des films SICOI dans la région Asie-Pacifique.

  • En Chine, Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) a annoncé un investissement de 2,35 milliards de dollars pour accroître sa capacité en matière de nœuds semi-conducteurs avancés, notamment les technologies SiC.
  • La société sud-coréenne Samsung a engagé plus de 116 milliards de dollars d’ici 2030 dans la R&D sur les semi-conducteurs, dont une part importante dédiée aux matériaux avancés tels que le SiC.

Répartition du marché des films SiC sur isolant (SiCOI), par région d’origine :

  • Amérique du Nord – 35 %
  • Amérique du Sud – 5 %
  • Europe – 30%
  • Moyen-Orient et Afrique – 5 %
  • Asie-Pacifique – 25 %

Acteurs clés couverts

Les principaux acteurs de ce marché sont :

  • Soitec (France)
  • Sicoxs Corporation (Japon)
  • SICC Co., Ltd. (Chine)
  • Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd (Chine)
  • Wolfspeed Inc. (États-Unis)
  • MTI Corporation (États-Unis)
  • Hebei Synlight Semiconductor Co., Ltd. (Chine)
  • GlobalWafers Co. Ltd. (Taïwan)
  • Coherent Corporation (États-Unis)
  • Ceramicforum Co. Ltd. (Japon)

Développements clés de l’industrie

  • Novembre 2023 :ROHM a finalisé l'acquisition des actifs de l'usine Kunitomi de Solar Frontier au Japon, sous réserve d'accords préliminaires. Cette usine est désormais connue sous le nom d'usine Miyazaki n°2 et est gérée par LAPIS Semiconductor, une filiale de ROHM. Cette usine, qui devrait démarrer ses activités en 2024, sera la principale plaque tournante de la fabrication de dispositifs de puissance SiC. Sa construction sera conforme à la stratégie de production accrue de ROHM, détaillée dans son plan de gestion à moyen terme.
  • Octobre 2023 :Le fabricant de plaquettes de silicium Globalwafers a l'intention de commencer à produire en masse un substrat de puce de pointe d'ici 2025 pour répondre à la demande en croissance rapide de semi-conducteurs de puissance dans l'industrie automobile.
  • Mai 2023 :Hitachi Energy a inauguré une nouvelle ligne de production SiC e-Mobility à Lenzburg, en Suisse. Il s'agit d'un exemple de fabrication intelligente, et la ligne de production entièrement automatisée comprend des systèmes de données entièrement intégrés.


  • 2021-2034
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