GAN＆SIC Power Semiconductor市場規模、シェア＆業界分析、製品（SICパワーモジュール、GANパワーモジュール、離散SIC、離散GAN）、アプリケーション（電源、産業モータードライブ、H/EV、PVインバーター、トラクション、その他）および地域予測、2025-2032

シリコン、SIC（炭化シリコン）、ガン（窒化ガリウム）を置き換える次世代材料は、多くの注目を集めています。 GANおよびSICパワーの半導体は、効率の観点からシリコンベースのデバイスよりも優れた小さくて信頼できる電源デバイスです。自動車電子機器、産業モーター、PVインバーターなどのさまざまな電源アプリケーションでは、これらのGan＆SICパワーの半導体が、体積、体重、ライフサイクルコストを最小限に抑えるのに役立ちます。シリコンは簡単な素材です。 SICは炭素とシリコンの組み合わせですが、GANはガリウムと窒素化合物です。その結果、これらの化学物質を使用する半導体は「化合物半導体」と呼ばれます。GANとSICは、シリコンよりも大きなバンドギャップを持ち、「ワイドバンドギャップ半導体」を獲得します。同じブレークダウン電圧を達成することを目指している場合、これにより、シリコンよりもかなり薄く製造された耐率電圧層を可能にします。

半導体材料で使用されるSICウェーハ基板の品質の改善により、近年、より大きな直径のウェーハが使用されています。その結果、高電流の低コストのデバイスが作成されており、さまざまな機器で使用され始めています。一方、GANウェーハ基板は依然として高価であるため、ほとんどの人は、低コストのシリコン基板に生成されたGANアクティブ層を使用して水平方向の配置を使用しています。 GANは、高電流製品の作成が困難であるという事実にもかかわらず、非常に高速スイッチング操作を必要とするアプリケーションで利用されると予測されています。

2020年、パンデミック危機は、GANおよびSICパワー半導体市場の成長に大きな影響を与えました。さまざまな国が封鎖を実施し、その結果、市場のリーダーや電気自動車メーカー、ソーラーコンポーネントメーカーなどの最終用途のOEMのいくつかの生産サイトが閉鎖されました。一方、ロックアウトは、在宅勤務イニシアチブへの傾向を推進し、地元企業がコンピューティングデバイスセグメント、UPS、その他の分野でかなりの優位性を獲得する機会を提供しました。さらに、パンデミックは、GanおよびSIC Power Semiconductor企業が、サプライチェーンの運用を再開するために、新しい場所で地理的フットプリントを拡大することを奨励しています。

主要な市場推進要因 -

主要な市場制約 -

キープレーヤー

Alpha and Omega Semiconductor、Fuji Electric Co.、Ltd、Ltd、Infineon Technologies AG、Littelfuse、Inc.、Microsemi、Mitsubishi Electric Corporation、Renesas Electronics Corporation、Rohm Semiconductor、Sanken Electric Co。、Ltd。、Stmicroelectronic Saint-Gobain、Genesic Semiconductor Inc ..、Sublime Technologiesなどは、この市場の重要なプレーヤーの一部です。

地域分析

米国での太陽光発電所の設備の数が増えているため、北米のGANおよびSICパワー半導体産業は、迅速に発展すると予想されています。 2020年12月にSolar Energy Industries Associationが発行したニュースリリースによると、2020年の第3四半期に

アジア太平洋地域では、GANおよびSICパワー半導体デバイスが市場シェアを急速に獲得しており、GANおよびSICデバイスは、消費者と企業、電気通信、自動車、産業などの多くのアプリケーション分野でシリコンに相当するものを徐々に置き換えています。製造と流通の観点から、中国は広いバンドギャップ半導体セクターにとって原材料の最大のプロバイダーです。これはまた、アジア太平洋地域におけるGANおよびSIC半導体市場の売上成長に間接的な有益な影響を与えると予測されています。

政府が国内で電気自動車の採用を促進しようとしている増加のため、ヨーロッパのGan＆SIC電力市場は驚異的な速度で発展しています。たとえば、ドイツ政府は、2021年3月に、電気自動車充電インフラストラクチャにお金を提供すると述べました。地域市場に参加している企業は、これらの支援努力の恩恵を受け、成長の可能性を加速するのに役立ちます。

市場に関する詳細なインサイトを得るには、 カスタマイズ用にダウンロード

セグメンテーション

Gan＆SIC Power Semiconductor Market Industry開発

• 2019年3月、Alpha＆Omega Semiconductorは、GANテクノロジープラットフォームでAONV070V65G1 Gallium Nitride Deviceのリリースを発表しました。この新しいガジェットには、650 Vと45の出力があり、70mohm RDSがあります。この新しい紹介では、Power MOSFET製品範囲が完成します。
• 2019年3月、半導体では、NTHL080N120SC1およびAEC-Q101 Automotive-Grade NVHL080N120SC1 Silicon-Carbide（SIC）MOSFETデバイスをリリースしました。これらの新しいガジェットは、電気自動車上の充電器で使用することを特に意図しています。