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RF GaN市場規模、シェア及び用途分析：デバイスタイプ別（RFパワーアンプ、RFトランジスタ、スイッチ、低雑音増幅器（LNA）、その他）、材料タイプ別（GaN-on-SiC、GaN-on-Si、その他）、用途別（レーダーシステム、衛星通信、通信インフラ、電子戦、航空電子機器、その他）および地域別予測、2025年～2032年

最終更新: December 01, 2025 | フォーマット: PDF | 報告-ID: FBI110874

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属性	詳細
研究期間	2019-2032
基地年	2024
推定年	2025
予測期間	2025-2032
歴史的期間	2019-2023
ユニット	価値（10億米ドル）
成長率	2025年から2032年までの20.1％のCAGR
セグメンテーション	デバイスタイプごとに RFパワーアンプ RFトランジスタスイッチ低ノイズアンプ（LNA）その他（オシレーター、ミキサーなど）材料タイプによって gan-on-sic gan-on-si その他（ガンオンダイヤモンド）アプリケーションによってレーダーシステム衛星通信通信インフラストラクチャ電子戦アビオニクスその他（テストおよび測定機器）地域別北米（デバイスタイプ、材料タイプ、アプリケーション、および地域）米国（申請別）カナダ（アプリケーション別）メキシコ（アプリケーション別）南アメリカ（デバイスタイプ、材料タイプ、アプリケーション、および地域）ブラジル（申請書）アルゼンチン（アプリケーション別）南アメリカの残りヨーロッパ（デバイスタイプ、材料タイプ、アプリケーション、および地域）英国（アプリケーション別）ドイツ（申請書）フランス（アプリケーション別）イタリア（アプリケーション）スペイン（アプリケーション別）ロシア（申請書） Benelux（アプリケーション別）北欧（アプリケーション別）ヨーロッパの残り中東とアフリカ（デバイスタイプ、材料タイプ、アプリケーション、および地域）トルコ（アプリケーション別）イスラエル（申請書） GCC（アプリケーション別）北アフリカ（アプリケーション）南アフリカ（申請書）中東とアフリカの残りアジア太平洋（デバイスタイプ、材料タイプ、アプリケーション、および地域）中国（申請書）日本（アプリケーション別）インド（アプリケーション別）韓国（申請書） ASEAN（アプリケーション別）オセアニア（アプリケーション別）アジア太平洋地域の残り
報告書で紹介した企業		Qorvo、Inc。（米国） Sumitomo Electric Device Innovations（日本） NXP半導体N.V.（オランダ） Macom Technology Solutions（米国） Analog Devices、Inc。（米国） Infineon Technologies AG（ドイツ） Stmicroelectronics N.V.（スイス）三菱エレクトリックコーポレーション（日本）マイクロチップテクノロジー（米国） Broadcom Inc.（米国）

RF GaN市場

勉強期間: 2019-2032
基準年: 2024
歴史的なデータ: 2019-2023
ページ数: 150

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