炭化ケイ素（SiC）デバイス市場規模、シェア及び業界分析：製品タイプ別（SiC MOSFET、SiCダイオード/SBD、SiCモジュール）、定格電圧別（650V以下、650V～1200V、1200V～1700V、1700V超）、 電力範囲別（低電力（＜1kW）、中電力（1kW～50kW）、高電力（＞50kW））、用途別（自動車、産業、エネルギー・公益事業、航空宇宙・防衛、その他）、地域別予測、2026年～2034年
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属性 |
詳細 |
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研究期間 |
2021-2034 |
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基準年 |
2025 |
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推定年 |
2026 |
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予測期間 |
2026～2034年 |
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歴史的時代 |
2021-2024 |
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成長率 |
2026年から2034年までのCAGRは17.72% |
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ユニット |
価値（10億米ドル） |
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セグメンテーション |
製品タイプ別
電圧定格別
パワーレンジ別
アプリケーション別
地域別
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レポートで紹介されている企業 |
STMicroelectronics（米国）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、Wolfspeed, Inc.（米国）、ローム株式会社（日本）、Semiconductor Components Industries, LLC（onsemi）（米国）、三菱電機株式会社（日本）、富士電機株式会社（日本）、Microchip Technology Inc.（米国）、NXP Semiconductors（オランダ）、Coherent Corp.（米国）など。 |
- 2021-2034
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