絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）市場規模、シェア、COVID-19の影響分析、電圧別（低電圧、中電圧、高電圧）、用途別（民生用電子機器、産業製造、自動車（EV/HEV）、インバーター/UPS、鉄道、再生可能エネルギー、その他）、地域別予測、2021～2028年

世界の絶縁ゲート双極トランジスタ市場の市場規模は、2020年に54億米ドルであり、2021年の58億6,000万米ドルから2028年のCAGR 9.8％の112億4,000万米ドルに成長すると予測されています。アジア太平洋地域は、2020年に43.8％のシェアで世界市場を支配しました。

私たちの分析に基づいて、世界市場は、2017年から2019年の平均前年比の成長と比較して、2020年に8.0％の大幅な成長を示しました。 Covid-19の世界的な影響は、前例のない驚異的であり、断熱されたゲート双極トランジスタは、パンデミックの中ですべての地域で需要に悪影響を及ぼしています。 CAGRの増加は、この市場の需要と成長に起因し、パンデミックが終了するとパンデミック以前のレベルに戻ります。

絶縁ゲート双極トランジスタモジュールは、電圧制御電力電子デバイスとして機能します。スイッチング周波数が高いため、高電圧アプリケーションではより低い伝導損失が必要であることが広く受け入れられています。自動車、鉄道、エネルギーとパワー全体で急速な需要を目撃しています。家電産業。市場の主要なプレーヤーは、新しい革新的なアプリケーションを通じてビジネスの拡大に非常に焦点を当てています。例えば、

• 2020年11月、Fronius International GmbHとInfineon Technologiesは、IGBTおよびその他の製品を使用してオールインワンソリューション製品を提供するソーラーインバーターを立ち上げました。エネルギー貯蔵システム、安全な電源、外部システムの接続、電気自動車の充電などのソリューションを提供します。

日本のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）市場インサイト

日本では、エネルギー効率の向上や電動化の加速を背景に、IGBTは電力変換技術の中核を担う重要な半導体デバイスとして注目されています。多くの企業が、自動車、産業機器、再生可能エネルギー、鉄道システムなど多様な分野で高性能・高信頼性の電力制御を実現するため、先進的なパワーエレクトロニクス技術の採用を進めています。世界的に電力半導体の需要が増加する中、日本の市場は、効率性・安全性・持続可能性をさらに高める最先端ソリューションを取り入れる絶好の機会となっています。

covidの衝撃

Covid-19の中で市場の成長に影響を与えるハードウェアとコンポーネントの供給の混乱

コロナウイルスの発生は、半導体セクター全体に大きな影響を与えました。国際境界の閉鎖によるサプライチェーンの世界的な混乱は、半導体製品の生産に大きく影響しています。 Accenture PLCレポートによると、半導体業界の年間収益成長率は12.5％に達すると予測されていましたが、パンデミックの危機により、2020年には9％しか達しませんでした。同様に、断熱ゲート双極トランジスタの製造は、コンポーネントの入手可能性がないため、非常に妨げられています。さらに、総労働力の50％の許可も、絶縁ゲート双極トランジスタの生産能力に悪影響を及ぼしています。したがって、2020年には、市場は以前の推定と比較して成長率が低下しました。

長期的には、資本支出、製品ポートフォリオの構成、需要予測、R＆D戦略、サプライチェーンフットプリント、合併と買収のオプション（M＆A）、および生産決定など、ビジネスモデルのあらゆる側面を変更する可能性があります。市場のプレーヤーは、前進するために強固なベースラインを確立する必要があります。この財団により、企業は次の通常への道を描くことができます。  さらに、パンデミック後、市場は、再生可能エネルギーの急速な採用、電気自動車の需要の高まり、自動化と工業化の実装の拡大により、大幅な成長を遂げると予想されています。また、リモート作業の増加によるクラウドおよびデータセンターの需要の増加は、市場の成長を促進後に促進する可能性があります。

IGBT市場の最新動向

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市場を後押しするための再生可能エネルギー源に関する意識の高まり

再生可能エネルギーの基礎を後押しするための要件は、IGBT市場の成長を後押しします。 International Renewable Energy Agency（Irena）によると、再生可能エネルギーは2050年までに総電力部門の株式の85％を獲得すると予想されます。イレナレポート、電気自動車、および電気自動車、およびヒートポンプ採用は世界中でより一般的になると予想されます。いくつかの国の政府は、再生可能エネルギーを長期的な戦略的投資開発の大部分として数えています。

また、技術の強化と規模の経済により、過去10年間で太陽光や風力エネルギーなどの再生可能エネルギーのコストが50％以上減少しています。再生可能な電力源の実施におけるこの大幅な増加は、ビジネスチャンスを促進することです。市場の潜在的な機会を感じているため、Infineon Technologies AG、Abb Ltd.、Fuji Electric Ltd.などの主要企業などが、再生可能エネルギー源向けにIGBT製品を正確に設計しています。例えば、

• 2020年3月、中国の風力変換メーカーであるHopeWind Electric Co.、Ltd。がABB Ltd.と協力して、1700 V / 450 A Medium Power IGBTモジュールを提供しました。製造業者は、風力発電を使用して、風力コンバーターアプリケーションにこのトランジスタを2,000 MWに使用しています。したがって、再生可能資源の認識の高まりは、市場の成長を促進する可能性があります。

IGBT市場の成長要因

電気自動車の需要の急増は、市場の成長を促進しています

IGBTは電気自動車の重要な要素です。パワー半導体デバイスとモジュールは、各電力コンバーターの重要なモジュールです。高電圧と電流機能のため、断熱ゲート双極トランジスタモジュールは、電気自動車インバーターなどの中間から高出力アプリケーションに頻繁に使用されます。例えば、

• 2019年5月、アウディは電気自動車の最初のスロットで、日立のEVインバーターの採用を発表しました。このインバーターには、パワーモジュールと組み込みの次世代断熱ゲート双極トランジスタが装備されています。この組み合わせは、モーター性能を最大化する高出力密度出力を提供します。したがって、電気自動車の採用の増加は、断熱されたゲート双極トランジスタの需要を高めます。

また、気候変動の増加と地球温暖化は、あらゆる分野のエネルギー資源に関する認識を生み出しています。自動車セクターはその1つであり、省エネモードで前進しています。電気を製造するための需要が高まっていますハイブリッド車。自動車産業の主要メーカーは、政府のガイドラインを考慮して、高度なEV自動車に投資することを計画しています。同様に、燃料価格の上昇は、ユーザーが従来の車両から電気自動車に移行することを強制しています。これは、断熱されたゲート双極トランジスタ市場の成長の成長を促進すると予想されます。  

抑制要因

市場の成長を妨げる複雑さを設計します

絶縁ゲート双極トランジスタのゲート制御に関連付けられたラッチアップは、簡単に壊れ、デバイスの故障を引き起こす可能性があります。ラッチング電流密度のわずかな減少は、周囲温度の上昇を引き起こし、ターンオフ時間を増加させます。

トランジスタがラッチアップに入ると、ゲートはドレイン電流を制御できなくなります。この状況では、電流の強制整流がIGBTをオフにする唯一の方法です。

ラッチアップがすぐに終了しない場合、過度の電力散逸は双極トランジスタを破壊する可能性があります。これは、市場の可能性を妨げると予想されます。

セグメンテーション

電圧分析による

さまざまなセクターで高電圧の市場シェアを燃料とするためのアプリケーションの成長

電圧に基づいて、市場は低電圧、中電圧、高電圧に分割されています。高電圧は、予測期間中に最大のシェアを獲得すると予想されます。業界では、高電圧断熱ゲート双極トランジスタは、高電流を運ぶ能力、電圧を使用したゲート制御などを提供します。高電圧は、自動車、航空機、UAV、産業などのさまざまなセクターで増加しています。

中電圧は、予測期間中に急速に成長する可能性があります。自動化プロセスのための製造業の1700 V – 2500 Vトランジスタの需要の増加は、中電圧需要を促進すると予想されます。低電圧は、電気自動車および再生可能な用途での採用が大幅に増加しているため、着実に成長すると予想されます。

低、中、高電圧は、それぞれ上記の最大600 V＆601-1200 V、1700 V＆2500 Vおよび3300 V＆4500 Vでさらにセグメント化されています。

アプリケーション分析による

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工業製造におけるIGBTアプリケーションを高めるための自動化の迅速な採用

アプリケーションに基づいて、市場は家電、工業製造、自動車（EV/HEV）、インバーター/UPS、鉄道、再生可能エネルギーなどに分類されます。工業製造は、収益分配のセグメントを支配すると予想されています。成長する工場の自動化と産業用IoT製造工場での採用は、断熱ゲート双極トランジスタの需要を促進する可能性があります。

電気自動車の自動車セクターでの需要は、グリッドに定常速度で電力を移動する際に電気自動車のスムーズな運用を提供するため、主に成長しています。信頼性、電力の増加、および寿命を延ばすために、断熱されたゲート双極トランジスタとFWDチップは、複数のデバイス、分離層、保護部品を備えたモジュールにパッケージ化されます。これらのモジュールは、高温、機械的振動、湿度、ショック、および化学的汚染の可能性の過酷な環境で機能します。

市場機会のもう1つのトレンド業界は、家電です。進行が高まり、サイズが減少すると、トランジスタは家電のデバイスで牽引力を獲得しています。在宅機器では、電力の制御に広く使用されています。エアコン、冷蔵庫などの主要な電化製品の効率的で費用対効果の高い操作を強化します。マイクロ波オーブン、食器洗い機、洗濯機。また、小さな電化製品から汎用性の高いパフォーマンスを得るための力を制御します。

地域の洞察

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アジア太平洋地域は、予測期間中に最高のCAGRとともに最高の市場シェアを獲得すると予想されています。最高の成長は、中国、韓国、インドの多くの電子および半導体メーカーの存在に起因しています。中国は電気自動車製造の主要国であるため、最大の収益分配を獲得すると予想されています。電気自動車でのアプリケーションの増加は、国の市場の成長を促進しています。日本とインドはまた、技術の進歩とともに省エネ資源に対する需要の増加を目撃しています。

北米は、予測期間中に大幅な成長を遂げると予想されています。この地域の市場は、再生可能資源の意識と実装の高まりにより、膨大な機会を目撃することが期待されています。電力を消費するコンポーネントが低いため、北米での省エネに強くお勧めします。同様に、ヨーロッパは、アジア太平洋地域に次いで2番目に少ない収益シェアを獲得すると予想されています。ヨーロッパは、鉄道部門に断熱ゲート双極トランジスタベースのトラクションシステムを実装した最初の地域です。さらに、ヨーロッパは電気自動車の生産における主要な地域であり、この地域は世界中の自動車産業全体をリードしています。これは、この地域の製品の需要を促進することが期待されています。

同様に、ラテンアメリカと中東とアフリカは、健康的な成長を示すと予測されています。 LatamとMEAの企業は、とりわけ、家電、鉄道、再生可能など、多様な業界でIGBTデバイスの採用に注力しています。これは、地域の市場機会を促進することが期待されています。

主要業界のプレーヤー

市場の地位を強化するために著名な企業による新しい発売に重点を置く

製品ポートフォリオの拡大は、市場プレーヤーが採用するもう1つの重要な市場成長戦略です。製品ポートフォリオの拡張には、更新されたハードウェアとソフトウェアの提供と、製造のus騒を容易にする新しいプロセスモデルが含まれます。大手メーカーは、自動車や高出力のデバイスでの需要の増加を満たすために、高度なトランジスタを開発するための革新的な技術を採用しています。 Infineon Technologies AGやFuji Electric Co.、Ltdなどの企業は、中型および高出力モジュールに基づいてAdvanced Industrial IGBTの開発に焦点を当てています。

2020年7月 - Abb LtdとHitachi、Ltdは、「Hitachi Abb Power Grids Ltd」として、約110億米ドル相当の合弁会社を立ち上げました。同社は、電動モビリティ、産業、情報技術（IT）、Smart Lifeなどのアプリケーションで事業を展開します。

2020年8月 - Mitsubishi Electric Corporationは、産業用アプリケーション向けにLV100タイプのTシリーズIGBTモジュールを発売しました。このモジュールは、電力コンバーターとインバーターのパワーとサイズの損失を減らすのに役立ちます。これらのコンバーターとインバーターは、風力発電、太陽光発電、大容量のモータードライブなどの再生可能エネルギーアプリケーションに使用されます。

絶縁ゲート双極トランジスタ市場で紹介されている主要企業のリスト：

• Infineon Technologies AG（ミュンヘン、ドイツ）
• ABB Ltd（スイス、チューリッヒ）
• 三菱電機公社（東京、日本）
• ダンフォスグループ（デンマーク、ノードボルグ）
• Fuji Electric Co.、Ltd。（東京、日本）
• Hitachi、Ltd。（東京、日本）
• 東芝コーポレーション（東京、日本）
• Rohm Co。、Ltd（京都、日本）
• Littelfuse、Inc。（イリノイ州、米国）
• StarPower Semiconductor Ltd.（Jiaxing、中国）

主要な業界開発：

• 2021年2月 - Infineon Technologies AGは、650 V CoolsicハイブリッドIGBT範囲を発売しました。高度なトランジスタは、650 Vブロッキング電圧で構成されています。 IGBTのハイブリッド範囲は、Schottky Barrier Coolsic Diodesや650 V TrenchStop 5 IGBTなどの技術の利点を提供します。
• 2019年6月 - Toshiba Corporationは、電磁干渉（EMI）からの電力損失と騒音の正確なシミュレーションと予測のために、断熱ゲート双極トランジスタと噴射拡張ゲートトランジスタ（IEGT）のコンパクトモデルを開発しました。このモデルは、エラー率を95％削減し、シミュレーション時間を短縮します。

報告報告

An Infographic Representation of IGBTモジュール市場

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