GaNパワーデバイス市場規模、シェアおよび業界分析、タイプ別（GaNパワーディスクリートデバイス、GaNパワーIC、GaNパワーモジュール）、電圧範囲別（低電圧（200ボルト未満）、中電圧（200,600ボルト）、高電圧（600ボルト以上））、アプリケーション別（パワードライブ、電源およびインバータ、無線周波数）、エンドユーザー別（商用、軍事）および地域予測、2026 ～ 2034 年

窒化ガリウム (GaN) パワーデバイスは、シリコンパワーデバイスよりも高い電界強度を持つ高電子移動度トランジスタです。 GaN材料はバンドギャップが広く、高い性能を発揮するため、エレクトロニクスおよび半導体分野で純粋なシリコンの代替として利用可能です。この材料は主に非常に高圧の電力用途に使用されます。 GaN 材料ベースのパワー デバイスは、高効率、高電力処理能力、高速スイッチングを実現します。このような利点により、GaN パワー デバイスは、航空宇宙、防衛、自動車、家庭用電化製品などのさまざまなエンド ユーザー産業にとって主要なソリューションとなります。

GaNパワーデバイス市場は、デバイスタイプ、電圧範囲、アプリケーション、エンドユーザー、地域に基づいて分割されています。タイプに基づいて、市場はパワーディスクリートデバイス、パワーIC、およびパワーモジュールに分かれています。 GaN パワー ディスクリート デバイス セグメントには、RF パワー デバイスと非 RF パワー デバイスが含まれます。

主要な市場推進要因 -

• Rising adoption of GaN RF Power Device in aerospace and defense industry • Growing worldwide focus on fuel conservation • Growing aircraft deliveries across the globe

主要な市場制約 -

• High penetration of Si based power devices • Lack of availability of GaN Material

現在、GaNパワーデバイスはスイッチング損失の低減による燃費の向上により、世界中で需要が高まっています。また、GaN パワーデバイスの燃料節約機能により、特に衛星通信、ミサイル、レーダー、電子戦などの航空宇宙および防衛産業のアプリケーションにとって理想的なソリューションとなります。したがって、航空宇宙および防衛産業アプリケーションにおけるGaNパワーデバイスの採用の増加が市場の成長を促進すると予想されます。さらに、GaN パワー デバイスは、RF 周波数で高ワットを供給することにより、さまざまな帯域で大電力の使用を可能にします。したがって、GaN パワーデバイスはイラクで即席爆発装置 (IED) 妨害装置を作るために初めて開発され、使用されました。そして今では電子戦にも使われています。この採用の増加により、防衛分野におけるGaNベースのパワーデバイスの需要がさらに高まることが予想されます。また、ワイヤレス充電器における GaN パワーデバイスの使用の増加も、予測期間中に市場を刺激する可能性があります。さらに、航空交通量の増加と5Gネットワ​​ークアプリケーションにおけるGaNの累積的な使用による航空機の生産の増加は、近い将来、GaNパワーデバイス市場に十分な機会を生み出す可能性があります。

対象となる主要企業:

GaNパワーデバイス市場の主要企業には、Microsemi Corporation (米国)、Analog Devices, Inc. (米国)、Cree, Inc. (米国)、Qorvo, Inc. (米国)、MACOM Technology Solutions (米国)、Efficient Power Conversion Corporation (米国)、Integra Technologies, Inc. (米国)、Transphormなどがあります。 Inc.（米国）、Navitas Semiconductor Inc.（米国）、NXP Semiconductors N.V.（オランダ）、Texas Instruments, Inc（米国）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、On Semiconductor Corporation（米国）、Texas Instruments, Inc（米国）など。

GaNパワーディスクリートデバイス市場のタイプに基づいて、パワーモジュールは2019年から2026年の予測期間中に大幅な成長を目撃すると推定されています。高出力アプリケーション向けのさまざまな業界で GaN RF パワーデバイスの採用が増加しており、GaN パワーデバイス市場の成長を促進しています。

地域分析:

GaNパワーデバイス市場は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、その他の世界を含む主要地域にわたって分析されています。

北米はGaNパワーデバイス市場をリードすると予想されており、予測タイムライン中にその地位を維持することが証明されています。この大きな市場シェアは、米国に多数のGaNパワーデバイスメーカーが存在することによるものです。また、宇宙研究開発および防衛分野への多額の投資が、北米のGaNパワーデバイス市場を牽引すると予測されています。

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北米に続き、アジア太平洋地域でも、中国やインドなどの新興国における防衛、航空宇宙、自動車、軍事、通信などのさまざまな業界でのGaNパワーデバイスの採用の増加により、今後数年間で大幅な成長を示すと予想されます。また、中国、インド、日本などの国々からの研究開発や軍事アップグレードプログラムへの投資の増加も、予測期間中にアジア太平洋地域の市場を牽引すると予想されます。

セグメンテーション

主要な業界の発展

• 2019年– パナソニック株式会社は、Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) で、新しく開発した GaN および Si ベースのパワーデバイスを展示しました。新しい製品であるパナソニック 600V X-GaN パワー トランジスタは、高い熱容量、熱伝導率、および強化された 600 V ブレークダウン モードを提供します。また、600V X-GaNパワートランジスタの高速動作により、電力変換効率の向上とサイズの縮小が実現します。
• 2018年– パナソニック株式会社は、しきい値電圧の変動を排除し、継続的に安定した動作が可能な新設計の絶縁ゲートGaNパワートランジスタを発表しました。この技術により、GaNパワーデバイスのさらなる高速化が期待され、電子製品のさらなる小型化が可能となります。
• 2017年– MACOM Technology Solutions は、新しく開発した GaN [空港監視レーダー (ASR) アプリケーションに使用されるパルス L バンド レーダー システム用のパワー デバイス] を紹介しました。