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米国の電子特殊ガス市場規模、シェアおよび業界分析、タイプ別(レガシーおよび新規)、ウェーハサイズ別(200 mm、300 mm、その他)、機能別(蒸着前駆体、ドーパントガス、エッチングおよびクリーニングガス、反応剤およびキャリアガスなど)、アプリケーション別(メモリ、ロジックなど)、および国別予測(2025~2032年)

最終更新: December 19, 2025 | フォーマット: PDF | 報告-ID: FBI114856

 

主要市場インサイト

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米国の電子特殊ガス市場規模は、2024 年に 6 億 2,410 万米ドルと評価されました。市場は、予測期間中に 4.3% の CAGR で、2025 年の 6 億 4,950 万米ドルから 2032 年までに 8 億 7,240 万米ドルに成長すると予測されています。

電子特殊ガスとは、半導体製造および関連する電子製造プロセス全体で使用される超高純度のガスおよび化合物を指します。これらのガスは、堆積、エッチング、ドーピング、ウェーハ洗浄などの重要なステップに不可欠であり、微量の不純物でもデバイスの歩留まりや性能に影響を与える可能性があります。これらは、使用量と純度要件に応じて、オンサイト生成システム、パイプライン、または高純度シリンダーを介して供給されます。このカテゴリには、基本的なファブ環境を形成する大量の産業用ガスと、高度な用途向けに設計された高度に特殊化されたプロセス固有のガスの両方が含まれます。半導体ノード。 Linde plc、Air Liquide、Air Products and Chemicals, Inc.、Matheson Tri-Gas、Merck KGaA が市場で活動する主要企業です。

米国のエレクトロニクス特殊ガス市場の動向

低GWPガスソリューションへの移行による新たな競争フロンティアの創出

半導体製造における持続可能性をめぐる議論は、広範な目標から測定可能な成果へと移りつつあり、プロセスガスはその変化の中心となっています。工場はサプライヤーをコストや純度だけでなく、供給されたガス1キログラム当たりの炭素パフォーマンスによって評価し始めており、この指標は調達枠組みにますます組み込まれている。この変化により、ガス生産会社はウェーハの歩留まりやスループットを犠牲にすることなく排出量を削減する化学反応や回収システムの再設計を進めています。

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市場ダイナミクス

市場の推進力

半導体製造の成長により国内ガス消費量が強化され、市場の成長を牽引

米国における半導体製造の拡大は、電子特殊ガス市場を推進する大きな原動力となっています。 2021 年に加速し始めたファブ建設では、エッチング、蒸着、クリーニングなどの前工程プロセス全体でガス消費量が大幅に増加しました。この勢いは、CHIPS および科学法によってさらに強化され、国内の半導体エコシステムにおける能力構築の新たな段階を促進しました。

SEMIと半導体産業協会(SIA)によると、インテル、TSMC、サムスン、マイクロンによる米国ファブへの投資総額は現在2億ドルを超えている。新しい施設ごとに、三フッ化窒素 (NF₃)、シラン (SiH₄)、塩化水素 (HCl)、およびアンモニア(NH₃)、高精度のウェーハ製造には不可欠です。この製造活動の急増は、アリゾナ、テキサス、ニューヨークなどの州での物流の動きの拡大、精製装置の利用率の向上、オンサイトのガス配送ネットワークの拡大などにすでに現れています。

市場の制約

高い資本集約度とインフラの制約が市場拡大を妨げる

米国の電子特殊ガス市場は、超高純度ガスの生産に必要な高い資本集中と複雑なインフラストラクチャによって引き続き課題にさらされています。半導体グレードの純度基準を満たす施設を構築するには、高度な精製システム、汚染のない流通ネットワーク、EPA、OSHA、DOT の安全規制への厳格な準拠が必要です。これらの要素を総合すると、容量の追加にコストと時間がかかり、商業供給が開始されるまでのプロジェクトのリードタイムが延長されることがよくあります。

市場機会

現地でのガス生成とリサイクルのソリューションにより、現地供給の信頼性を強化

米国の半導体産業が拡大するにつれ、チップメーカーはガス供給をより安全、効率的、持続可能なものにする方法を模索しています。この変化により、製造施設またはその近くでガスが直接生成および精製される、オンサイトのガス生成およびリサイクル システムに大きな可能性が生まれています。このアプローチは輸送リスクを最小限に抑え、供給の一貫性を改善し、工場のより広範な持続可能性の目標をサポートします。

大手ガス生産会社は、米国全土の新しい半導体製造拠点に局所的な生成および再生システムをますます統合するようになっています。CHIPS法の奨励金の支援を受けて、これらの取り組みは、廃棄物を削減し、進化するEPAおよびDOEの環境基準に適合する自給自足供給モデルへの動きを反映しています。使用済みガスを排出するのではなく回収して再処理することにより、工場は材料消費量と温室効果ガス排出量の両方を削減できます。

市場の課題

厳しい純度基準とプロセス信頼性リスクが市場成長の課題要因となっている

米国の半導体エコシステムは、NF₃、WF₆、SiH₄、CF₄、および希ガス100 万分の 1 (ppb) から 1000 万分の 1 (ppt) までの純度レベルで測定されます。このようなレベルの微小汚染であっても、ウェーハの歩留まりやデバイスの性能に大きな影響を与える可能性があります。これらの厳しい基準を維持するには、高精度の精製技術、高度な分析機器、サプライチェーンの完全性を確保するための漏れのないガス供給システムへの継続的な投資が必要です。

この市場の生産者は、これらの超高純度基準の達成と検証に関連する運用の複雑さの増大とコストの増大に直面しています。これには、極低温蒸留や吸着などの精製段階への投資や、バッチ試験や認証用のガスクロマトグラフ質量分析計 (GC-MS) などの最先端の分析装置の導入が含まれます。半導体メーカーとのこうした検証および認定プロセスには時間がかかり、新規サプライヤーの市場浸透が遅れ、参入障壁や競争圧力がさらに高まります。

規制順守が市場のハードルとなる可能性がある拡大

環境規制、有害物質プロトコル、進化する州レベルの義務の組み合わせにより、規制遵守は依然として米国の電子特殊ガス市場の成長にとって顕著な課題となっています。 NF₃、SF₆、CF₄、その他のフッ素化化合物などの多くの重要な電子特殊ガス製品は、高 GWP 分類に該当し、EPA、CARB、および AIM 法のフェーズダウン要件からの直接の精査を受けています。生産者は、新しい報告枠組み、排出量上限、漏洩防止基準、削減期待値に頻繁に適応する必要があり、これらすべてに複雑なエンジニアリングのアップグレードが必要です。同時に、次のようなガスが発生します。シラン、アルシン、ホスフィン、塩化水素は、OSHA の厳しい危険物規則のトリガーとなり、生産、輸送、使用時点の各段階にわたる高度な封じ込め、監視、安全システムへの継続的な投資が求められます。

貿易保護主義と地政学的影響

特にこの分野が高純度ガス、希ガス、および前駆体化学物質の国境を越えたサプライチェーンに大きく依存していることを考えると、保護貿易主義と地政学的な緊張が米国の電子特殊ガス市場の大きな制約として浮上しています。米国と中国、ロシア、韓国などの主要生産国との間で輸出管理、関税、技術関連の制限が強化されており、半導体工場の調達戦略は複雑になっている。ネオン、キセノン、クリプトン、フルオロカーボン、特定の金属ハロゲン化物などの重要な電子特殊ガスの投入は、いくつかの国際拠点に集中しているため、地政学的混乱に対して非常に敏感です。

ロシア・ウクライナ戦争などの紛争はすでに希ガス供給の不安定さを引き起こしており、米国による半導体関連技術の輸出規制強化は化学品の貿易の流れを混乱させる報復措置につながる可能性がある。

研究開発(R&D)の動向

半導体製造と極紫外(EUV)リソグラフィーの進歩に伴い、超高純度ガスの需要が高まり、高度な精製技術への多額の投資が促されています。主要な精製方法には、強化された極低温蒸留技術、プラズマベースの精製プロセス、および微量汚染物質を兆分率 (ppt) レベルで効果的に除去する高度なゲッター材料が含まれます。さらに、リアルタイムの不純物計測は、厳しい品質基準を維持するために微量の不純物を検出および制御するために重要になっています。

セグメンテーション分析

タイプ別

Newは汎用性と広範な使用により人気のタイプになりました

タイプに基づいて、市場は従来のものと新しいものに分類されます。

この新しいセグメントは、2024 年に米国の電子特殊ガス市場で最大のシェアを獲得しました。先進特殊ガスとも呼ばれる新しいガスには、高度な次世代製造プロセスをサポートするために開発された、より洗練された高度に設計された製品が含まれます。例としては次のものが挙げられます。三フッ化窒素(NF3)、高度な堆積用のシランガス、EUVリソグラフィー用のフルオロカーボン、特定のエッチングおよびドーピングステップに合わせて調整された塩素化または臭素化化合物などです。

レガシー部門は顕著な市場シェアを保持していました。レガシーガスは、予測期間を通じて引き続き米国の電子特殊ガス市場で大きなシェアを占め続けます。アンモニア、塩化水素、一酸化炭素、亜酸化窒素、塩基性炭化水素などのガスは、エレクトロニクス製造において長年存在しており、主に確立されたプロセスをサポートしています。その主な用途には、エッチング、ドーピング、クリーニングなどの基本的なタスクが含まれており、特に古い半導体製造ノードでは実証済みの信頼性が大きな利点となります。

ウェーハサイズ別

最先端の半導体製造での使用により需要が増加している 300 mm セグメント

市場はウェーハサイズに基づいて、200 mm、300 mm、その他に分類されます。

米国の電子特殊ガス市場における 300 mm ウェーハの優位性は、先進的な半導体製造における米国のリーダーシップに直接結びついています。過去 10 年間に建設された新しい製造工場のほとんどは、特に高性能コンピューティングと次世代メモリをターゲットとしており、300 mm ウェーハ処理用の設備を備えています。この移行により、生産効率の向上、チップあたりのコストの削減、および拡張性の向上が可能になりますが、これらすべてに大量の継続的な高純度プロセスガスが必要となります。

米国の電子特殊ガス市場における 200 mm ウェーハセグメントは、さまざまな用途にわたって継続的に重要であるため、大幅な成長を記録しています。このセグメントは、自動車エレクトロニクス、アナログおよびパワーデバイス、MEMS、センサーなどの市場にサービスを提供しており、これらの市場は成熟したプロセスノードに依存し続けています。

並行して、非標準のウェーハサイズ (≤150 mm) で構成され、特殊なアプリケーションまたは新興アプリケーションに対応するその他のセグメントも、プラスの成長見通しを示しています。これらのウェーハは、研究開発、フォトニクス、カスタム マイクロ電子デバイス、および新技術のパイロット プロジェクトでよく利用されます。

機能別

最先端の半導体製造における成長により、堆積プリカーサーが主流

機能に基づいて、市場は堆積前駆体、ドーパントガス、エッチングおよびクリーニングガス、反応剤およびキャリアガスなどに分類されます。

蒸着プリカーサーは、米国の電子機器の最大の機能セグメントを表します。特殊ガス市場、これは、特にロジックや 3D メモリ デバイスなど、先進的な半導体製造に国家が強く注力していることを反映しています。シラン (SiH4)、ジクロロシラン (DCS)、六フッ化タングステン (WF6)、その他のシリコン、タングステン、有機金属前駆体を含むこれらのガスは、トランジスタのゲート、配線、誘電体層用の薄膜を堆積するために使用される CVD および ALD プロセスに不可欠です。

ホスフィン (PH₃)、ジボラン (B₂H₆)、アルシン (AsH₃)、ゲルマン (GeH₄) などのドーパント ガスは、少ないながらも戦略的に重要なシェアを占めています。これらにより、シリコンおよび化合物半導体の正確な電気的特性の調整が可能になり、トランジスタの性能に重要な n 型および p 型領域が形成されます。ドーパント ガスは、超浅接合、チャネル歪み、および高移動度材料が高純度で厳密に制御されたドーピング プロファイルを必要とするアドバンスト ノード トランジスタ設計に適合します。

エッチングおよびクリーニングガスは、プロセスサイクルの複雑さの増加、クリーニング頻度の増加、および 300 mm ファブ全体にわたる汚染制御の重要性の高まりにより、持続的な成長を遂げています。

用途別

電気自動車(EV)、再生可能エネルギー、産業オートメーションの成長によりその他セグメントがリード

アプリケーションに基づいて、市場はメモリ、ロジック、その他に分類されます。

その他のセグメントは、MEMSおよびセンサー、アナログおよびミックスドシグナル/ディスクリート、パワー半導体、RFおよびワイヤレスフロントエンド、イメージセンサー、その他のニッチなアプリケーション。このうち、パワー半導体は予測期間中に圧倒的なシェアを記録します。このサブセグメントは、電気自動車 (EV)、再生可能エネルギー、産業オートメーションの導入増加によって急速に成長しています。パワー半導体は、炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) などのワイドバンドギャップデバイスの製造において特殊ガスに大きく依存しており、ガスを大量に使用するエピタキシーやエッチングプロセスが必要です。

ロジック デバイスは、単一アプリケーション セグメントの中で最大のものであり、AI、データ センター、家庭用電化製品で使用される高性能プロセッサなど、高度なコンピューティング テクノロジに対する旺盛な需要を反映しています。このセグメントでは、特に先端技術ノードにおける最先端のウェーハ製造に不可欠な精密なエッチング、堆積、ドーピングプロセスのために、高純度の特殊ガスが必要です。

メモリセグメントは、スマートフォン、クラウドコンピューティング、およびエンタープライズサーバーにおけるデータストレージ容量の強化に対するニーズの高まりにより、市場の重要な部分を維持しています。特殊ガスは、DRAM や NAND などのメモリ チップの高精度製造に不可欠であり、メモリ デバイスの継続的なスケーリングとパフォーマンスの向上をサポートします。

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競争環境

主要な業界関係者

Linde plc、Air Liquide、Air Products and Chemicals, Inc.、Matheson Tri-Gas、Merck KGaA が市場の主要企業です。持続可能性とパフォーマンスに対する進化する需要に対応する製品の開発に対する企業による大規模な投資。

プロファイルされている主要な米国の特殊ガス会社のリスト:

主要な業界の発展:

  • 2025年5月 –メッサーは、ペンシルベニア州クールボータウンシップに新しいエレクトロニクスおよび特殊製品レーザーミックス施設を開設し、半導体、レーザー、および高度な製造用途で使用される高純度および混合ガスの生産能力を拡大しました。この投資により、メッサー社の米国特殊ガス事業の展開が強化され、精密ガスソリューションに対する国内需要の拡大をサポートします。
  • 2025年1月 –メッサーは、米国南部全域での産業用ガスと特殊ガスの生産量を増やすため、アーカンソー州ベリービルの新しい空気分離装置(ASU)に7,000万ドルを投資すると発表した。この工場は、地域の供給の信頼性を通じてエレクトロニクスと高純度ガスの顧客にサービスを提供するメッサーの能力を強化する。
  • 2024年7月 –レゾナックホールディングス株式会社は、シリコンバレーで「US-JOINT」コンソーシアムを立ち上げ、日米の大手企業と提携して最先端のパッケージングおよび半導体材料を共同開発しました。この取り組みにより、米国の半導体エコシステムにおけるレゾナックの存在感が強化され、材料とガスの供給を国内工場に近づけることができます。
  • 2024年7月 –EFCは、テキサス州マクレガーに高純度ガスおよび材料の製造施設を建設するための2億1,000万ドルの投資を発表した。新しいサイトは、半導体工場向けの化学合成業務、特殊ガス移送充填、および高度な蒸着プリカーサーに焦点を当てます。
  • 2024年6月 –レゾナックホールディングスは、AIや次世代デバイスによる世界的な需要の急増に対応するため、先端ロジックやメモリチップに使用される前工程材料を含む高性能半導体材料の生産能力を拡大する計画を発表した。

レポートの範囲

レポートは市場の詳細な分析を提供します。主要企業、タイプ、アプリケーションなどの重要な側面に焦点を当てています。これに加えて、市場と現在の業界トレンドについての洞察を提供し、主要な業界の発展に焦点を当てています。上記の要因に加えて、レポートには市場の成長に寄与するいくつかの要因が含まれています。

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レポートの範囲とセグメント化

属性

詳細

学習期間

2019~2032年

基準年

2024年

予測期間

2025~2032年

歴史的時代

2019-2023

ユニット

価値 (100万米ドル)

成長率

2025 年から 2032 年までの CAGR は 4.3%

セグメンテーション

種類別、ウェーハサイズ別、機能別、用途別

タイプ別

・ 遺産

・ 新しい

ウェーハサイズ別

・200mm

・300mm

・その他

機能別

· 堆積前駆体

· ドーパントガス

· エッチングおよびクリーニングガス

· 反応物とキャリアガス

・その他

用途別

・ メモリ

・ロジック

・その他

ああMEMSとセンサー

ああアナログ & ミックスドシグナル / ディスクリート

ああパワー半導体

ああRF およびワイヤレス フロントエンド

ああイメージセンサー (CMOS)

ああその他



よくある質問

Fortune Business Insights によると、世界市場規模は 2024 年に 6 億 2,410 万米ドルと評価され、2032 年までに 8 億 7,240 万米ドルに達すると予測されています。

4.3%のCAGRを記録し、市場は2025年から2032年の予測期間中に安定した成長を示すと予想されています。

300 mm ウェハサイズセグメントが市場をリードしています。

半導体製造の成長により国内のガス消費が増加し、それが市場拡大を推進しています。

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