Magnetoresistive RAM (MRAM) Marktgröße, Anteil und Branchenanalyse, nach Produkttyp (Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM), Toggle MRAM), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, Automobil, Robotik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Unternehmensspeicher, andere) und regionale Prognose, 2025–2032

Die globale Marktgröße für magnetoresistive RAMs wurde im Jahr 2024 auf 3,23 Milliarden US-Dollar geschätzt. Der Markt wird voraussichtlich von 3,98 Milliarden US-Dollar im Jahr 2025 auf 17,02 Milliarden US-Dollar im Jahr 2032 wachsen und im Prognosezeitraum eine jährliche Wachstumsrate von 38,97 % aufweisen.

Magnetoresistiver RAM (MRAM), eine Speichertechnologie, speichert Informationen mithilfe des Elektronenspins. Verschiedene Unternehmen und Forscher investieren in die Entwicklung der MRAM-Technologie der nächsten Generation. Dies dürfte das Marktwachstum in naher Zukunft ankurbeln. Der magnetoresistive RAM kann in einer Umgebung mit hohen Temperaturen betrieben werden und ist manipulationssicher. Daher eignet es sich hervorragend für Branchen wie Fertigung, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Automobil, Militär und andere, was die Nachfrage wahrscheinlich ankurbeln wird.

MRAMs sind die energieeffiziente Speichertechnologie und haben das Potenzial, unter anderem SRAM (Static Random Access Memory), DRAM (Dynamic Random Access Memory) und Flash-Speicher zu ersetzen. Es ist schneller, verbraucht weniger Strom und kann Daten speichern. Seine im Vergleich zu herkömmlichen Technologien schnellere Schreib- und Lesefunktion dürfte das Wachstum des magnetoresistiven RAM-Marktes vorantreiben. Es wird erwartet, dass die steigende Nachfrage nach eigenständigen und eingebetteten Speichergeräten für Unterhaltungselektronikgeräte, tragbare Geräte und intelligente Geräte den Markt antreiben wird. Ebenso dürfte die wachsende Nachfrage nach dem Internet der Dinge, künstlichen Geräten sowie virtueller und erweiterter Realität die MRAM-Nachfrage ankurbeln.

Wichtiger Markttreiber -

• Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth • Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

Wichtiges Markthindernis -

• High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

Abgedeckte Hauptakteure:

Zu den Hauptakteuren im globalen magnetoresistiven RAM (MRAM) gehören unter anderem Everspin Technologies, Inc., Inc., Intel Corporation, IBM Corporation, NVE Corporation, Qualcomm, Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., Toshiba Corporation, Spin Transfer Technologies und Crocus Nano Electronics LLC, Avalanche Technology, Inc., Honeywell International. Diese Unternehmen konzentrieren sich auf Forschung und Entwicklung für ihre umfangreichen Anwendungen. Um die Geschäftspräsenz und den Marktanteil auszubauen, gehen die Unternehmen außerdem strategische Partnerschaften und Kooperationen ein. Die Hauptakteure streben außerdem die Bereitstellung innovativer Produkte und die Entwicklung neuer eingebetteter Speichertechnologien an.

Regionale Analyse

Es wird erwartet, dass Nordamerika im Prognosezeitraum einen dominanten Marktanteil gewinnen wird. Die Präsenz dominanter Akteure in der Region fördert das Wachstum. Auch das große Interesse und die Investitionen in Forschung und Entwicklung der In-Memory-Technologie treiben die MRAM-Nachfrage in der Region voran. Auch für Europa wird aufgrund der Präsenz der dominierenden Automobilindustrie ein deutliches Wachstum erwartet. Die temperaturbeständige und effiziente Speichertechnologie gewinnt in der Automobilindustrie des Landes an Bedeutung. Dies dürfte das Marktwachstum vorantreiben.

Der asiatisch-pazifische Raum dürfte im Prognosezeitraum aufgrund der steigenden Herstellungs- und Benutzernachfrage nach tragbaren Geräten ein schnelles Wachstum verzeichnen. Die führenden Branchen der Unterhaltungselektronik, intelligenter Geräte und anderer Branchen setzen in der Region zunehmend auf die MRAM-Technologie, um schnelle Speicher mit hoher Kapazität anzubieten. In der Region gibt es verschiedene Speicherhersteller, von denen erwartet wird, dass sie die MRAM-Nachfrage ankurbeln. Darüber hinaus wird erwartet, dass die zunehmende Verbreitung des Internets, der Cloud-Bereitstellung und der 5G-Infrastruktur unter anderem das Wachstum des magnetoresistiven RAM-Marktes ankurbeln werden. Angesichts der Fähigkeiten und Anwendungen von MRAM wird auch erwartet, dass die Nachfrage im Nahen Osten, in Afrika und Südamerika stetig wächst.

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Segmentierung

 Wichtige Branchenentwicklungen

• Februar 2019 – Die Intel Corporation gab die Verfügbarkeit der MRAM-Produktion bekannt. Das Unternehmen teilte seine Details zur Einbettung des MRAM-Spin-Transfer-Torque (STT) in Geräte mit. Das Unternehmen gab bekannt, dass es zur Entwicklung von STT-MRAM eine zweistufige Stromerfassungstechnik und ein Schema „Schreiben-Verifizieren-Schreiben“ verwendet.
• März 2020:Everspin Technologies, Inc. hat in Zusammenarbeit mit dem intelligenten Computeranbieter Xilinx, Inc. einen neuen Designleitfaden für 1 GB STT-MRAM mit dem DDR4-FPGA-Controller von Xilinx veröffentlicht. Die Integration der Lösung zweier Unternehmen bietet verschiedene Vorteile, wie unter anderem eine geringere Betriebsfrequenz und eine effizientere Datenübertragung.