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O dispositivo de energia de nitreto de gálio (GaN) é um transistor de alta mobilidade de elétrons com maior força de campo elétrico do que os dispositivos de energia de silício. O material GaN tem ampla lacuna de banda que oferece alto desempenho; portanto, é um substituto viável para o silício puro no campo eletrônico e semicondutor. Este material é usado principalmente em aplicações de energia de alta tensão. O dispositivo de energia baseado em material GaN oferece alta eficiência, alta capacidade de manuseio de energia e comutação rápida. Tais vantagens podem fabricar dispositivos de energia GaN é uma solução primária para várias indústrias de usuários finais, como aeroespacial e defesa, automotivo, eletrônicos de consumo e entre outros.

O mercado de dispositivos de energia GAN foi segmentado com base no tipo de dispositivo, faixa de tensão, aplicativo, usuário final e região. Com base no tipo, o mercado é bifurcado em dispositivos discretos de energia, ICs de potência e módulos de energia. O segmento de dispositivo discreto de energia GAN inclui dispositivos de energia de RF e dispositivos de energia não RF.

Principal impulsionador do mercado -

• Rising adoption of GaN RF Power Device in aerospace and defense industry • Growing worldwide focus on fuel conservation • Growing aircraft deliveries across the globe

Principal restrição do mercado -

• High penetration of Si based power devices • Lack of availability of GaN Material

Atualmente, a demanda por dispositivo de energia GaN é aumentada em todo o mundo, à medida que melhora a economia de combustível, reduzindo as perdas de comutação. Além disso, o recurso de economia de combustível dos dispositivos GaN Power pode torná -lo uma solução ideal para as aplicações da indústria aeroespacial e de defesa, incluindo comunicação por satélite, mísseis, radares e guerra eletrônica, entre outros. Portanto, espera -se que o aumento da adoção de dispositivos de energia GaN nas aplicações aeroespaciais e da indústria de defesa impulsione o crescimento do mercado. Além disso, os dispositivos GaN Power permitem o uso de alta potência em uma variedade de bandas, fornecendo altos watts nas frequências de RF. Assim, o dispositivo GaN Power foi desenvolvido e usado primeiro no Iraque para fazer jammer improvisado de dispositivo explosivo (IED). E agora é usado na guerra eletrônica. Essa adoção aumentou ainda mais a demanda por dispositivos de energia baseados em GaN no setor de defesa. Também é provável que o uso crescente de dispositivos de energia GaN em carregadores sem fio aliviem o mercado durante o período de previsão. Além disso, a crescente produção de aeronaves devido ao aumento do tráfego aéreo e o uso cumulativo de GaN no aplicativo de rede 5G provavelmente criará muitas oportunidades para o mercado de dispositivos GAN Power em futuro próximo.

Jogadores -chave cobertos:

Alguns dos principais players do mercado de dispositivos de energia GaN incluem Microsemi Corporation (EUA), Analog Devices, Inc. (os EUA), Cree, Inc. (EUA), Qorvo, Inc. (os EUA), Macom Technology Solutions (U.S.), a Inc. U.S. U.S.S.S.S.Technologies, Inc. Inc. (The U.S.SPH), Inc. NXP Semicondutores N.V. (Holanda), Texas Instruments, Inc (os EUA), Infineon Technologies AG (Alemanha), em Semiconductor Corporation (EUA), Texas Instruments, Inc (EUA) e entre outros.

Com base no tipo do módulo de potência do mercado de dispositivos discretos do GAN Power Discrete para testemunhar um crescimento maciço durante o período de previsão 2019-2026. A crescente adoção de dispositivos de energia GAN RF em várias verticais do setor para aplicação de alta energia está alimentando o crescimento do mercado de dispositivos de energia GaN.

Análise Regional:

O mercado de dispositivos de energia GAN é analisado nas principais regiões, incluindo América do Norte, Europa, Ásia -Pacífico e Resto do mundo

Prevê -se que a América do Norte lidere o mercado de dispositivos de energia GAN e testemunhas para manter a posição durante a linha do tempo prevista. Essa grande participação de mercado se deve à presença de um grande número de fabricantes de dispositivos de energia GaN nos EUA e também o alto investimento em P&D e domínio de defesa espaciais é projetado para impulsionar o mercado de dispositivos GAN Power na América do Norte.

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Seguido pela América do Norte, a Ásia -Pacífico mostrará um crescimento significativo nos próximos anos devido à crescente adoção de dispositivos de energia GAN em vários setores, como defesa, aeroespacial, automotivo, militar e telecomunicações em economias emergentes, como China e Índia. Além disso, o aumento de investimentos em programas de pesquisa e desenvolvimento militar de países como China, Índia e Japão também deve impulsionar o mercado na Ásia-Pacífico durante o período de previsão.

Segmentação

Principais desenvolvimentos da indústria

• Em 2019- A Panasonic Corporation mostrou seu recém -desenvolvido dispositivo de energia baseado em GaN e SI na Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC). O novo produto, Panasonic 600V X-Gan Power Transistor oferece alta capacidade de calor, condutividade térmica e modo de quebra de 600 V aprimorado. Além disso, as operações de alta velocidade do transistor de potência X-Gan 600V fornecem eficiência aprimorada de conversão de energia e tamanho reduzido.
• Em 2018-A Panasonic Corporation introduziu seu recém-projetado transistor de potência GaN de porta isolada, capaz de operações estáveis ​​contínuas com variação de tensão limite removida. Esperava -se que essa tecnologia aumentasse ainda mais a velocidade do dispositivo de energia GaN, que possibilita a miniaturização adicional de produtos eletrônicos.
• Em 2017-A MacOM Technology Solutions introduziu seu recém-desenvolvido GaN [Power Disposition para sistemas de radar de banda L pulsada que usam para aplicações de radar de vigilância aeroportuária (ASR).