Gan & Sic Power Semicondutores Tamanho do mercado, análise e análise da indústria, por produto (módulo de energia sic, módulo de energia GaN, SIC discreto, GaN discreto), por aplicação (fontes de alimentação, unidades industriais, h/eV, inversores de PV, tração, outros) e previsão regional, 2025-2032

Os materiais de próxima geração para substituir o silício, sic (carboneto de silício) e gan (nitreto de gálio) estão atraindo muita atenção. Os semicondutores de GAN e SIC Power são dispositivos de energia pequenos e confiáveis ​​que superam os dispositivos à base de silício em termos de eficiência. Em uma variedade de aplicações de energia, como eletrônicos automotivos, motores industriais e inversores fotovoltaicos, esses semicondutores de energia GAN & SIC ajudam a minimizar os custos de volume, peso e ciclo de vida. O silício é um material direto. O SIC é uma combinação de carbono e silício, enquanto o GAN é um composto de gálio e nitrogênio. Como resultado, os semicondutores que usam esses produtos químicos são chamados de "semicondutores compostos". Ao procurar atingir a mesma tensão de ruptura, isso permite que a camada de tensão de resistência seja fabricada consideravelmente mais fina que a do silício.

Melhorias na qualidade dos substratos de bolacha SiC usados ​​em materiais semicondutores resultaram no uso de bolachas de diâmetro maior nos últimos anos. Como resultado, dispositivos de alta corrente de baixo custo foram criados e estão começando a ser usados ​​em uma variedade de equipamentos. Um substrato de wafer gan, por outro lado, ainda é caro; portanto, a maioria das pessoas usa um arranjo horizontal com uma camada ativa GaN produzida em um substrato de silício de baixo custo. O GAN deve ser utilizado em aplicativos que precisam de operação de comutação excepcionalmente de alta velocidade, apesar do fato de a criação de um produto de alta corrente é um desafio.

Em 2020, a crise pandêmica teve uma influência significativa no crescimento dos mercados de semicondutores GaN e SiC Power. Vários países aplicaram um bloqueio, o que resultou no fechamento de vários locais de produção de líderes de mercado e OEMs de uso final, como fabricantes de veículos elétricos, fabricantes de componentes solares e assim por diante. O bloqueio, por outro lado, levou a tendência para iniciativas de trabalho de casa e proporcionou uma oportunidade para as empresas locais adquirirem uma vantagem substancial no segmento de dispositivos de computação, UPS e outras áreas. Além disso, a pandemia incentivou as empresas de semicondutores de GaN e SIC a expandir sua pegada geográfica em novos locais para realinhar as operações da cadeia de suprimentos.

Principal impulsionador do mercado -

Factors like rising government initiatives, increasing penetration of electric vehicles and technology innovation are growing to drive the GaN & SiC Power Semiconductor Market.

Principal restrição do mercado -

High manufacturing cost and Usage of conventional silicon materials will restrain the market growth.

Jogadores -chave

Alpha e Omega Semiconductor, Fuji Electric Co., LTD, Infineon Technologies AG, Littelfuse, Inc., Microsemi, Mitsubishi Electric Corporation, Renesas Electronics Corporation, ROHM Semiconductor, Sanken Electric Co. Saint-Gobain, Genesic Semiconductor Inc .., Sublime Technologies e outros são alguns dos principais participantes desse mercado.

Análise Regional

Devido ao crescente número de instalações da usina solar nos Estados Unidos, espera -se que a indústria de semicondutores GaN e SIC de energia na América do Norte se desenvolva em um ritmo rápido. De acordo com um comunicado de imprensa emitido pela Solar Energy Industries Association em dezembro de 2020, no terceiro trimestre de 2020,

Na região da Ásia -Pacífico, os dispositivos semicondutores GaN e SIC Power estão ganhando rapidamente participação de mercado, com dispositivos GaN e SIC substituindo progressivamente equivalentes de silício em muitas áreas de aplicação, como consumidores e empreendimentos, telecomunicações, automotivo e industrial. Em termos de fabricação e distribuição, a China é a maior provedora de matérias -primas para o amplo setor de semicondutores de banda. Prevê -se que isso tenha uma influência benéfica indireta no crescimento de vendas do mercado de dispositivos de semicondutores GaN e SiC semicondutores na região da Ásia -Pacífico.

Devido ao aumento do governo tenta promover a adoção de carros elétricos no país, o mercado de energia Gan & Sic na Europa está se desenvolvendo a uma taxa fenomenal. O governo alemão, por exemplo, declarou em março de 2021 que fornecerá dinheiro para a infraestrutura de cobrança de veículos elétricos. As empresas que participam do mercado regional se beneficiarão desses esforços de apoio, o que os ajudará a acelerar suas possibilidades de crescimento.

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Segmentação

Desenvolvimentos da indústria do mercado de semicondutores de energia GAN & SIC

• Em março de 2019, a Alpha & Omega Semiconductor anunciou o lançamento do dispositivo de nitreto de gálio AONV070V65G1 em sua plataforma de tecnologia GAN. Este novo gadget possui uma saída de 650 V e 45 A, bem como 70mohm RDS. Esta nova introdução completa a gama de produtos Power MOSFET.
• Em março de 2019, o semicondutor lançou o NTHL080N120SC1 e o AEC-Q101 NVHL080N120SC1 Silicon-Carbide (SIC) MOSFET Devices. Esses novos gadgets são especificamente destinados ao uso com carregadores a bordo de carros elétricos.