Tamanho do mercado de RAM magneto resistiva (MRAM), participação e análise da indústria, por tipo de produto (MRAM de torque de transferência de rotação (STT-MRAM), alternar MRAM), por aplicação (eletrônicos de consumo, automotivo, robótica, aeroespacial e defesa, armazenamento empresarial, outros) e previsão regional, 2025-2032

O tamanho global do mercado de carneiros magneto resistivos foi avaliado em US$ 3,23 bilhões em 2024. O mercado deve crescer de US$ 3,98 bilhões em 2025 para US$ 17,02 bilhões até 2032, exibindo um CAGR de 38,97% durante o período de previsão.

RAM magneto resistiva (MRAM), uma tecnologia de memória que armazena informações usando o spin do elétron. Várias empresas e pesquisadores estão investindo no desenvolvimento da tecnologia MRAM de próxima geração, o que provavelmente impulsionará o crescimento do mercado em um futuro próximo. A RAM magneto resistiva pode operar em um ambiente de alta temperatura e é resistente a violações. Assim, é altamente adequado para indústrias como manufatura, aeroespacial, defesa, automotiva, militar, entre outras, o que provavelmente aumentará a demanda.

MRAMs são a tecnologia de memória com eficiência energética e têm potencial para substituir SRAM (Static Random Access Memory), DRAM (Dynamic Random Access Memory), memória flash, entre outras. É mais rápido, consome menos energia e é capaz de reter dados. Sua funcionalidade de escrita e leitura rápida do que as tecnologias tradicionais provavelmente impulsionará o crescimento do mercado de RAM magneto-resistiva. Espera-se que a crescente demanda por memória autônoma e incorporada em dispositivos eletrônicos de consumo, dispositivos vestíveis, dispositivos inteligentes, entre outros, impulsione o mercado. Da mesma forma, a crescente procura pela Internet das coisas, dispositivos artificiais, realidade virtual e aumentada deverá aumentar a procura de MRAM.

Principal impulsionador do mercado -

• Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth • Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

Principal restrição do mercado -

• High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

Principais participantes cobertos:

Alguns dos principais participantes da RAM magneto resistiva global (MRAM) são Everspin Technologies, Inc., Inc., Intel Corporation, IBM Corporation, NVE Corporation, Qualcomm, Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., Toshiba Corporation, Spin Transfer Technologies e Crocus Nano Electronics LLC, Avalanche Technology, Inc., Honeywell International, entre outros. Essas empresas estão concentrando pesquisa e desenvolvimento para suas vastas aplicações. Além disso, para expandir a presença empresarial e a quota de mercado, as empresas estão a celebrar parcerias e colaborações estratégicas. Os principais participantes também pretendem fornecer produtos inovadores e desenvolver novas tecnologias de memória incorporada.

Análise Regional

Espera-se que a América do Norte ganhe uma participação de mercado dominante durante o período de previsão. A presença de intervenientes dominantes na região está a impulsionar o crescimento. Além disso, o interesse e o investimento significativos em investigação e desenvolvimento de tecnologia in-memory estão a impulsionar a procura de MRAM na região. Da mesma forma, espera-se que a Europa obtenha um crescimento significativo devido à presença da indústria automóvel dominante. A tecnologia de memória eficiente e resistente à temperatura está ganhando força na indústria automotiva do país. É provável que isso impulsione o crescimento do mercado.

É provável que a Ásia-Pacífico obtenha um rápido crescimento durante o período de previsão devido ao aumento da fabricação e da demanda dos usuários por dispositivos vestíveis. As principais indústrias de eletrônicos de consumo, dispositivos inteligentes e outras indústrias estão adotando constantemente a tecnologia MRAM na região para oferecer memória rápida e de alta capacidade. A região contém várias empresas fabricantes de memória que deverão impulsionar a demanda por MRAM. Além disso, espera-se que a crescente penetração da Internet, a implantação da nuvem, a infraestrutura 5G, entre outros, impulsionem o crescimento do mercado de RAM magneto resistiva. Da mesma forma, considerando as capacidades e aplicações da MRAM, espera-se que a sua procura em todo o Médio Oriente, África e América do Sul cresça de forma constante.

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Segmentação

 Principais desenvolvimentos da indústria

• Fevereiro de 2019 – A Intel Corporation anunciou a disponibilidade da produção de MRAM. A empresa compartilhou seus detalhes para incorporar o torque de transferência de spin (STT) MRAM em dispositivos. A empresa anunciou que está usando uma técnica de detecção de corrente de dois estágios e um esquema “gravar-verificar-escrever” para desenvolver STT-MRAM.
• Março de 2020:Everspin Technologies, Inc. em parceria com o provedor de computação inteligente Xilinx, Inc. lançou um novo guia de design para STT-MRAM de 1 Gb com controlador DDR4 FPGA da Xilinx. A integração da solução de duas empresas oferece diversos benefícios como redução da frequência operacional, eficiência na transferência de dados, entre outros.