Mercado IGBT para tocar US $ 11,24 bilhões até 2028; Lançamento de 650 V Faixa IGBT híbrida Coolsic pela Infineon Technologies AG para impulsionar o mercado

O globalMercado de transistor bipolar isoladoEspera -se que o tamanho atinja US $ 11,24 bilhões até 2028. A crescente popularidade dos veículos híbridos criará oportunidades colossais para o mercado global, em um relatório, intitulado,““Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Market Size, Share & COVID-19 Impact Analysis, By Voltage (Low Voltage, Medium Voltage, and High Voltage), By Application (Consumer Electronics, Industrial Manufacturing, Automotive (EV/HEV), Inverters/UPS, Railways, Renewables, and Others), and Regional Forecast, 2021-2028.”De acordo com o relatório, o tamanho do mercado ficou em US $ 5,40 bilhões em 2020 e deve exibir um CAGR de 9,8% entre 2021 e 2028.

Devido à escassez de materiais em meio ao surto de Covid-19, a produção de transistores bipolares de porta isolada foi severamente interrompida. No entanto, após a pandemia, o setor deve se expandir significativamente devido ao aumento da adoção de energia limpa, aumento da demanda por veículos elétricos e aumento da automação e revolução industrial.

Lançamento do módulo Igbt da série X 7ª geração por Fuji para aumentar o crescimento

A Fuji Electric Co., Ltd., transmissores de pressão, medidores de fluxo, analisadores de gás, reguladores, inversores, bombas, motores, ICs, motores e dispositivos de energia são fabricados por esta corporação japonesa de equipamentos elétricos. A empresa anunciou recentemente a fabricação comercial de seu HPNC*1 para a indústria ferroviária, que seria configurada com módulos IGBT*2 da série X de 7ª geração. O HPNC, um módulo IGBT de alta capacidade, tem a capacidade de reduzir a perda de energia e economizar eletricidade. De acordo com a empresa, a indústria ferroviária elétrica deve se expandir em um ritmo anual de 6%, atingindo cerca de 50 a 60 bilhões de ienes em 2023. A produção em massa de HPNC terá um efeito pendente na participação de mercado da IGBT.Como O HPNC tem alguns dos melhores desempenho de baixa perda do setor, será altamente eficiente. O Fuji Electric cortou a indutância interna, que interfere na comutação de alta velocidade, em 76 % em comparação com os dispositivos tradicionais, melhorando a configuração do kit, resultando em baixas perdas.

Para obter um resumo detalhado de relatório e escopo de pesquisa deste mercado, clique aqui:

https://www.fortunebusinessIrighs.com/industry-reports/igbt-module-market-100501

Mudança rápida para os VEs para favorecer o crescimento do mercado IGBT

As mudanças climáticas e o aquecimento global estão aumentando a compreensão pública do suprimento de energia em todos os campos. A indústria automobilística é uma delas e, à medida que avança em seu modo de economia de energia, há um mercado crescente paraVeículos elétricos (VEs)e carros híbridos. Considerando incentivos do governo, as principais montadoras planejam investir na produção de veículos elétricos inovadores. Agora, os usuários estão sendo obrigados a passar de carros convencionais para veículos elétricos devido ao aumento dos custos de combustível. Espera -se que a demanda por transistores bipolares de portão isolados aumente como resultado disso. Portanto, promovendo essa indústria.

Mitsubishi Electric Corporation para dominar o mercado

De acordo com o relatório, o mercado é dominado por várias empresas de destaque. Isso inclui empresas como Hitachi, Mitsubishi Electric Corporation, Infineon Technologies AG, Abb Ltd. e Fuji Electric Co. Ltd. Os principais fabricantes estão se voltando para a tecnologia emergente para criar transistores avançados para atender à crescente demanda automotiva por aplicações de alta potência. Os IGBTs automotivos avançados com base em módulos de médio e alta potência estão sendo desenvolvidos por empresas como a Fuji Electric Co., Ltd. e a Mitsubishi Electric Corporation. Por exemplo, a Mitsubishi Electric Corporation introduziu o módulo IGBT da série T do tipo LV100 para aplicações industriais em agosto de 2020. O módulo ajuda os conversores de energia e os inversores a perder menos energia e ocupar menos espaço. Esses conversores e inversores são usados ​​em aplicações de energia limpa, incluindo turbinas eólicas, painéis fotovoltaicos e acionamentos motores de alta capacidade.

Desenvolvimento -chave:

• Fevereiro de 2021:A Infineon Technologies AG introduziu a faixa IGBT híbrida Coolsic 650 V. O transistor avançado abrange a tensão de bloqueio de 650 V. A faixa híbrida oferece benefícios, incluindo diodos coolsic de barreira Schottky e TrenchStop 5 IGBT de 650 V.

O relatório lista as principais empresas do mercado global:

• Infineon Technologies AG (Munique, Alemanha)
• Danfoss Group (Nordborg, Dinamarca)
• Rohm CO., Ltd (Kyoto, Japão)
• Hitachi, Ltd. (Tóquio, Japão)
• Abb Ltd (Zurique, Suíça)
• Mitsubishi Electric Corporation (Tóquio, Japão)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Tóquio, Japão)
• Toshiba Corporation (Tóquio, Japão)
• Littelfuse, Inc. (Illinois, Estados Unidos)
• Starpower Semiconductor Ltd. (Jiaxing, China)

Outras descobertas de relatórios:

Insights regionais:

• A crescente conscientização sobre os recursos renováveis ​​ajudará a crescimento na América do Norte.
• A crescente demanda por veículos elétricos (VEs) e iniciativas governamentais favoráveis ​​promoverão a expansão na Ásia -Pacífico.
• A crescente adoção de dispositivos IGBT em eletrônicos de consumo e ferrovias elevará o mercado de transistores bipolares isolados na América Latina e no Oriente Médio e na África.

Segmento principal: Com base na aplicação, o mercado é agrupado em eletrônicos de consumo, fabricação industrial, automotivo (EV/HEV), renováveis, inversores/ups, ferrovias e outros (energia e energia, tração e outros). Entre isso, espera -se que o setor automotivo mantenha uma parcela significativa devido à crescente adoção de transistores bipolares na condução de motores.

O mercado global é segmentado da seguinte maneira: