"Eletrificando seu caminho para o sucesso através de uma pesquisa de mercado aprofundada"

Tamanho do mercado de filmes de SiC-on-isolante (SiCOI), participação e análise da indústria, por substrato (substrato de silício (Si), substrato de carboneto de silício (SiC), substrato de safira e outros), por tamanho de wafer (100 mm (4 polegadas) Guerra, 150 mm (6 polegadas) Guerra, 200 mm (8 polegadas) Guerra e 300 mm (12 polegadas) Guerra); Por Tecnologia (Tecnologia Smart Cut e Tecnologia de Desbaste/Polimento/Colar); Por Aplicação (Eletrônica de Potência, Aeroespacial e Defesa, Automotiva, Eletrônicos de Consumo e Outros); e Previsão Regional, 2026-2034

Última atualização: November 24, 2025 | Formatar: PDF | ID do relatório: FBI111298

 

PRINCIPAIS INFORMAÇÕES DE MERCADO

O tamanho global do mercado de filmes de SiC-on-isolante foi avaliado em US$ 2,29 bilhões em 2025. O mercado deve crescer de US$ 4,58 bilhões em 2026 para US$ 1.163,85 bilhões até 2034, exibindo um CAGR de 99,83% durante o período de previsão.

O mercado global de filmes SiC-on-insulator (SiCOI) está se expandindo rapidamente devido à crescente demanda por eletrônicos de alta potência. Eles são uma forma de material semicondutor que combina as qualidades isolantes do dióxido de silício (SiO2) com as melhores propriedades elétricas do carboneto de silício (SiC). Em comparação com os semicondutores convencionais à base de silício, esta combinação produz um material que é capaz de suportar maiores densidades de potência, funcionar a temperaturas mais elevadas e comutar a frequências mais elevadas. 

  •  No mercado de filmes SiCOI de 150 mm, a SOITEC, líder de mercado, está fornecendo soluções para eletrônica de potência em VEs, sistemas de energia renovável e aplicações industriais. Além disso, a SOITEC, um dos principais produtores, utiliza seu método exclusivo Smart Cut para fabricar esses filmes SiCOI de 150 mm para atender à crescente demanda.

Impacto da IA ​​generativa noFilme SiC-on-isolante (SiCOI) Mercado

A inteligência artificial generativa (IA) tem um impacto significativo na indústria cinematográfica de SiC-on-insulator (SiCOI), pois aprimora a P&D por meio do design de materiais e da otimização de processos, levando a uma fabricação mais eficiente. Ao automatizar a manutenção preditiva e a identificação de problemas, essenciais para o controle e inspeção de qualidade, garante maior consistência do produto. A IA encontra novas aplicações, o que auxilia na inovação e na criação de produtos. Ao reduzir o desperdício nos processos de fabrico e aumentar a eficiência energética, também promove a sustentabilidade.

Filme SiC-on-isolante (SiCOI) Motorista de mercado

Aumento da demanda por eletrônicos de alta potência à medida que cresce a adoção de veículos elétricos

A procura de produtos eletrónicos de alta potência está em constante expansão em vários setores, impulsionada por fatores como o aumento da procura de veículos elétricos, a expansão da infraestrutura de energias renováveis ​​e a adoção de tecnologia de automação em processos industriais. Por exemplo, a indústria automóvel está a fazer uma rápida transição para veículos eléctricos (VE), impulsionada por preocupações com a sustentabilidade ambiental e pela legislação governamental que visa reduzir os níveis de emissões dos automóveis. Esta mudança em direção aos VE requer sistemas eletrónicos de potência melhorados, capazes de controlar eficientemente altas tensões e correntes, criando uma procura por materiais semicondutores, como a película SICOI.

  • De acordo com a Agência Internacional de Energia (AIE), prevê-se que a indústria global de veículos elétricos (VE) se expanda 35% ao ano, aumentando a procura por produtos eletrónicos de alta potência, como os filmes SiCOI. Além disso, um comunicado da Wolfspeed afirmou que o uso de filmes SiCOI em eletrônica de potência está aumentando devido ao seu desempenho superior no tratamento de altas tensões e correntes, com a expectativa de que a receita da empresa com produtos baseados em SiC dobre até 2026.

Filme SiC-on-isolante (SiCOI) Restrição de mercado

Alto custo e complexidade do processo de fabricação podem dificultar a expansão do mercado

O alto custo de produção é um obstáculo significativo para muitas empresas, especialmente operações de pequeno e médio porte, que podem exigir recursos adicionais para investir em equipamentos e processos dispendiosos necessários para gerar cristais de SiC de alta qualidade. O processo de fabricação de SiC no isolador e outros substratos é extremamente complexo, exigindo habilidades específicas em áreas como crescimento epitaxial, dopagem e fabricação de dispositivos. Esta complexidade aumenta os custos de produção, dificultando às empresas a obtenção de economias de escala e preços mais baixos. Além disso, a exigência de maior padronização no processo de fabricação, bem como a dependência de um pequeno número de fornecedores de cristais de SiC de alta qualidade, contribuem para os elevados custos de produção.

  • A X-FAB Silicon Foundries afirmou que o custo de produção de filmes SiCOI permaneceu caro devido à complexidade de processos como crescimento epitaxial e dopagem, com custos de produção estimados em até 40% superiores aos das pastilhas de silício regulares. Além disso, a Soitec revelou que o equipamento avançado necessário para a produção de cristais de SiC de alta qualidade implica grandes despesas de capital, que podem ultrapassar os 20 milhões de dólares por fábrica, sublinhando as restrições financeiras ao aumento da produção.

Filme SiC-on-isolante (SiCOI) Oportunidade de mercado

Desenvolvimentos em Eletrônica de Potência

O filme SICOI oferece uma solução atraente para a atualização da eletrônica de potência devido à sua forte condutividade elétrica e estabilidade térmica. Esses recursos abordam desafios significativos enfrentados pela eletrônica de potência atual, como limitações no manuseio de energia e frequências operacionais. O filme SICO tem potencial para permitir o desenvolvimento de dispositivos mais potentes, capazes de atender às demandas de aplicações como integração de energia renovável e sistemas de carregamento de veículos elétricos. Além disso, suas características sugerem a possibilidade de operação em altas frequências, resultando em sistemas eletrônicos de potência mais compactos e eficientes.

Segmentação

Por substrato

Por tamanho de wafer

Por tecnologia

Por aplicativo

Por região

  • Substrato de Silício (Si)
  • Substrato de carboneto de silício (SiC)
  • Substrato de Safira
  • Outros 
  • Bolachas de 100 mm (4 polegadas)
  • Bolachas de 150 mm (6 polegadas)
  • Bolachas de 200 mm (8 polegadas)
  • 300 mm (12 polegadas)

Bolachas

  • Tecnologia de corte inteligente
  • Tecnologia de moagem/polimento/ligação
  • Eletrônica de Potência
  • Aeroespacial e Defesa
  • Automotivo
  • Eletrônicos de consumo
  • Outros
  • América do Norte (EUA, Canadá e México)
  • América do Sul (Brasil, Argentina e Resto da América do Sul)
  • Europa (Reino Unido, Alemanha, França, Itália, Espanha, Rússia, Benelux, países nórdicos e resto da Europa)
  • Oriente Médio e África (Turquia, Israel, CCG, Norte da África, África do Sul e Resto do MEA)
  • Ásia-Pacífico (China, Índia, Japão, Coreia do Sul, ASEAN, Oceania e resto da Ásia-Pacífico)

Principais insights

O relatório cobre os seguintes insights principais:

  • Indicadores Micro Macro Econômicos
  • Drivers, restrições, tendências e oportunidades
  • Estratégias de negócios adotadas pelos principais participantes
  • Análise SWOT consolidada dos principais participantes

Análise por Substrato:

Com base no substrato, o mercado é fragmentado em substrato de silício (Si), substrato de carboneto de silício (SiC), substrato de safira, entre outros.

Os vários substratos para o filme SiCOI, incluindo silício, carboneto de silício (SiC) e safira, têm impacto na funcionalidade, longevidade e aplicação do filme. Em particular, o substrato SiC é extremamente desejável devido às suas excelentes propriedades elétricas e térmicas, que são necessárias para dispositivos de alta frequência e alta potência. Os especialistas prevêem um aumento acentuado na procura de substratos de SiC, impulsionado pela crescente procura por carros eléctricos e electrónica de potência.

  • Com uma taxa composta de crescimento anual (CAGR) de mais de 20%, o mercado global de substratos de SiC deverá atingir 700 milhões de dólares até 2024, acima da sua avaliação estimada de 300 milhões de dólares em 2020.

Análise por tamanho do wafer: 

Com base no tamanho do wafer, o mercado está fragmentado em guerra de 100 mm (4 polegadas), guerra de 150 mm (6 polegadas), guerra de 200 mm (8 polegadas) e guerra de 300 mm (12 polegadas).

As bolachas têm um diâmetro que varia de 100 mm a 300 mm. Recomenda-se a utilização de wafers maiores, como 200 mm e 300 mm, pois podem ser produzidos de forma mais econômica e eficiente. À medida que os fabricantes se esforçam para reduzir despesas e aumentar a produtividade, wafers maiores estão se tornando mais comuns. Espera-se que o mercado de wafers de 300 mm cresça substancialmente como resultado dos avanços nas tecnologias de fabricação de semicondutores. Prevê-se uma redução de 30% nos custos de fabricação e um aumento na capacidade de produção quando forem utilizados wafers de 300 mm.

  • A Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) revelou que os wafers de 300 mm agora representam mais de 80% de sua fabricação, destacando sua eficiência de custos e aumento de capacidade. A empresa afirmou que a mudança para wafers de 300 mm resultou em uma redução de 30% nos custos de fabricação, o que é consistente com as tendências da indústria em direção a tamanhos maiores de wafers para maior produtividade e redução de custos.

Análise por Tecnologia: 

Com base na tecnologia, o mercado está fragmentado em tecnologia de corte inteligente e tecnologia de retificação/polimento/ligação.

Esta divisão refere-se aos procedimentos e tecnologias, como colagem, retificação e polimento, que são empregados na produção do Filme SiCOI. Essas tecnologias afetam a capacidade, a precisão e a qualidade do produto acabado. Em particular, uma movimentação eficaz da película fina, possibilitada pela tecnologia de corte inteligente, melhora a utilização do material e reduz os custos de produção. O mercado está em expansão devido às inovações nestas tecnologias, com a tecnologia de corte inteligente por si só ajudando a reduzir custos em alguns processos de produção em até 50%

  • Em uma atualização recente do setor, a Soitec afirmou que sua tecnologia de corte inteligente permitiu uma redução de até 50% nos custos de produção de wafers de silício sobre isolante (SOI), enfatizando vantagens significativas de eficiência na fabricação de semicondutores.

Análise por Aplicação:

Com base na aplicação, o mercado está fragmentado em eletrônica de potência, aeroespacial e defesa, automotivo, eletrônicos de consumo, entre outros.

O segmento de eletrônica de potência está se expandindo significativamente devido ao uso crescente de fontes de energia renováveis ​​e de veículos elétricos.  Os filmes SiCOI são cruciais para o desenvolvimento de sistemas de gerenciamento de energia confiáveis ​​e eficientes para carros elétricos e híbridos, que é outro impulsionador significativo na indústria automotiva.

  • Num desenvolvimento recente, a Infineon Technologies anunciou um investimento de 2,5 mil milhões de dólares na expansão das suas instalações de eletrónica de potência para satisfazer a crescente procura nas indústrias de energia renovável e de automóveis elétricos. Este investimento sublinha a importância crescente de materiais inovadores, como o SiCOI Film, no desenvolvimento de sistemas eficazes de gestão de energia para diferentes utilizações.

Análise Regional

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Com base na região, o mercado foi estudado na América do Norte, América do Sul, Europa, Oriente Médio e África e Ásia-Pacífico.

Em 2023, a América do Norte detinha 40% da participação no mercado global. A inovação e a aceitação de novas tecnologias são altamente valorizadas, especialmente em setores como automotivo, aeroespacial e telecomunicações, onde os filmes SiCOI são usados ​​de diversas maneiras. Além disso, fortes investimentos e ambientes regulatórios favoráveis ​​incentivam o crescimento do mercado. Além disso, institutos de pesquisa e empresas industriais formando alianças estratégicas promovem inovações e expansão de mercado na área.

O mercado de filmes SiC-on-Insulator (SICOI) está se expandindo significativamente na região Ásia-Pacífico devido aos gastos do governo em semicondutores de ponta, à presença dos principais produtores de SiCOI e à forte demanda da indústria eletrônica. As tecnologias SiC e SiCOI estão a receber financiamento governamental significativo e grandes produtores como a Isabers Materials e a SIOXS CORPORATION estão a aumentar a sua produção. A forte procura dos setores de eletrónica de consumo, automóvel e energias renováveis ​​está a impulsionar o crescimento do mercado de filmes SICOI na região Ásia-Pacífico.

  • Na China, a Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) anunciou um investimento de 2,35 mil milhões de dólares na expansão da sua capacidade para nós avançados de semicondutores, incluindo tecnologias SiC.
  • A empresa sul-coreana Samsung comprometeu-se com mais de 116 mil milhões de dólares até 2030 à investigação e desenvolvimento de semicondutores, incluindo parcelas substanciais dedicadas a materiais avançados como o SiC.

Distribuição do mercado de filmes SiC-on-insulator (SiCOI), por região de origem:

  • América do Norte – 35%
  • América do Sul – 5%
  • Europa – 30%
  • Médio Oriente e África – 5%
  • Ásia-Pacífico – 25%

Principais participantes cobertos

Os principais players deste mercado incluem:

  • Soitec (França)
  • Sicoxs Corporation (Japão)
  • SICC Co., Ltd.
  • Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd (China)
  • (EUA)
  • Corporação MTI (EUA)
  • Hebei Synlight Semiconductor Co., Ltd.
  • (Taiwan)
  • Coherent Corporation (EUA)
  • (Japão)

Principais desenvolvimentos da indústria

  • Novembro de 2023:A ROHM concluiu a aquisição dos ativos da planta Kunitomi da Solar Frontier no Japão, sujeita a acordos preliminares. Esta planta é agora conhecida como Miyazaki Plant No.2 e é administrada pela LAPIS Semiconductor, uma afiliada da ROHM. Esta fábrica, com início de operação previsto para 2024, será o principal centro de fabricação de dispositivos de energia SiC. A sua construção estará alinhada com a estratégia de aumento de produção da ROHM, que está detalhada no seu Plano de Gestão de Médio Prazo.
  • Outubro de 2023:A fabricante de wafers de silício Globalwafers pretende começar a produzir em massa um substrato de chip de última geração até 2025 para atender à crescente demanda por semicondutores de potência na indústria automotiva.
  • Maio de 2023:A Hitachi Energy inaugurou uma nova linha de produção de SiC e-Mobility em Lenzburg, Suíça. Este é um exemplo de fabricação inteligente, e a linha de produção totalmente automatizada inclui sistemas de dados totalmente integrados.


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