GaN 和 SiC 功率半导体市场规模、份额和行业分析、按产品（SiC 功率模块、GaN 功率模块、分立 SiC、分立 GaN）、按应用（电源、工业电机驱动、H/EV、PV 逆变器、牵引等）和区域预测，2026-2034 年

2025年，全球GaN和SiC功率半导体市场规模为20.1亿美元。预计该市场将从2026年的25.3亿美元增长到2034年的161.7亿美元，预测期内复合年增长率为26.10%。

替代硅的下一代材料SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）正引起广泛关注。 GaN 和 SiC 功率半导体是小型且可靠的功率器件，在效率方面优于硅基器件。在汽车电子、工业电机和光伏逆变器等各种电力应用中，这些 GaN 和 SiC 功率半导体有助于最大限度地减少体积、重量和生命周期成本。硅是一种简单的材料。 SiC 是碳和硅的组合，而 GaN 是镓和氮的化合物。因此，使用这些化学品的半导体被称为“化合物半导体”。GaN 和 SiC 的带隙比硅更大，因此被称为“宽带隙半导体”。介电击穿场强用于识别宽带隙半导体。当旨在获得相同的击穿电压时，这允许将耐压层制造得比硅的耐压层薄得多。

近年来，半导体材料中使用的 SiC 晶圆基板质量的提高导致了更大直径晶圆的使用。结果，高电流、低成本器件被创建并开始用于各种设备。另一方面，GaN晶圆衬底仍然昂贵，因此大多数人使用在低成本硅衬底上生产GaN有源层的水平布置。尽管制造高电流产品具有挑战性，但预计 GaN 将用于需要超高速开关操作的应用。

2020年，疫情危机对GaN和SiC功率半导体市场的增长产生了重大影响。多个国家实施了封锁，导致市场领导者和最终用途原始设备制造商（例如电动汽车制造商、太阳能组件制造商等）的多个生产基地关闭。另一方面，停工推动了在家工作的趋势，并为当地企业提供了在计算设备领域、UPS 和其他领域获得实质性优势的机会。此外，疫情还鼓励 GaN 和 SiC 功率半导体公司扩大其在新地点的地理足迹，以重新调整供应链运营。

主要市场驱动因素 -

Factors like rising government initiatives, increasing penetration of electric vehicles and technology innovation are growing to drive the GaN & SiC Power Semiconductor Market.

主要市场限制因素 -

High manufacturing cost and Usage of conventional silicon materials will restrain the market growth.

关键人物

Alpha and Omega Semiconductor、Fuji Electric Co., Ltd、Infineon Technologies AG、Littelfuse, Inc.、Microsemi、Mitsubishi Electric Corporation、Renesas Electronics Corporation、ROHM SEMICONDUCTOR、SANKEN ELECTRIC CO.,LTD.、STMicroElectronics、Epiluvac、IQE PLC、Transphorm Inc.、SweGaN、Saint-Gobain、GeneSiC Semiconductor Inc.、Sublime Technologies 等都是其中的一些公司这个市场的主要参与者。

区域分析

由于美国太阳能发电厂安装数量不断增加，北美的GaN和SiC功率半导体产业预计将快速发展。根据太阳能产业协会2020年12月发布的新闻稿，2020年第三季度，

在亚太地区，GaN和SiC功率半导体器件正在迅速获得市场份额，在消费和企业、电信、汽车和工业等许多应用领域，GaN和Sic器件逐渐取代硅器件。在制造和分销方面，中国是宽带隙半导体行业最大的原材料供应国。预计这将对亚太地区GaN和SiC半导体器件市场的销售增长产生间接的有利影响。

由于政府加大力度推动国内电动汽车的普及，欧洲的 GaN 和 SiC 电力市场正在以惊人的速度发展。例如，德国政府在2021年3月表示将为电动汽车充电基础设施提供资金。参与区域市场的公司将从这些支持努力中受益，这将帮助他们加速增长。

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分割

GaN 和 SiC 功率半导体市场行业发展

• 2019年3月，Alpha & Omega Semiconductor宣布在其GAN技术平台上发布AONV070V65G1氮化镓器件。这款新设备具有 650 V 和 45 A 输出以及 70mOhm Rds。这一新产品的推出完善了功率 MOSFET 产品系列。
• 2019年3月，安森美半导体发布了NTHL080N120SC1和AEC-Q101汽车级NVHL080N120SC1碳化硅（SiC）MOSFET器件。这些新产品专门用于电动汽车车载充电器。