磁阻 RAM (MRAM) 市场规模、份额和行业分析，按产品类型（自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM)、切换 MRAM）、按应用（消费电子、汽车、机器人、航空航天与国防、企业存储等）和区域预测，2025-2032 年

2024年，全球磁阻RAM市场规模为32.3亿美元。预计该市场将从2025年的39.8亿美元增长到2032年的170.2亿美元，预测期内复合年增长率为38.97%。

磁阻 RAM (MRAM) 是一种利用电子自旋存储信息的存储技术。各种公司和研究人员正在投资开发下一代 MRAM 技术，这可能会在不久的将来推动市场增长。磁阻RAM可以在高温环境下运行，并且具有防篡改功能。因此，它非常适合制造业、航空航天、国防、汽车、军事等行业，这可能会激增需求。

MRAM 是一种节能存储技术，有潜力取代 SRAM（静态随机存取存储器）、DRAM（动态随机存取存储器）、闪存等。它速度更快，功耗更低，并且能够保留数据。其比传统技术快速的写入和读取功能很可能推动磁阻RAM市场的增长。消费电子设备、可穿戴设备、智能设备等对独立和嵌入式存储器的需求不断增长，预计将推动市场发展。同样，对物联网、人工设备、虚拟和增强现实的需求不断增长可能会推动 MRAM 需求。

主要市场驱动因素 -

• Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth • Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

主要市场限制因素 -

• High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

涵盖的主要参与者：

全球磁阻 RAM (MRAM) 的一些主要参与者包括 Everspin Technologies, Inc.、Intel Corporation、IBM Corporation、NVE Corporation、Qualcomm, Inc.、Samsung Electronics Co. Ltd.、Toshiba Corporation、Spin Transfer Technologies、Crocus Nano Electronics LLC、Avalanche Technology, Inc.、Honeywell International 等。这些公司正在重点研究和开发其广泛的应用。此外，为了扩大业务存在和市场份额，两家公司正在建立战略伙伴关系和协作。主要参与者还致力于提供创新产品并开发新的嵌入式存储技术。

区域分析

预计北美将在预测期内获得主导市场份额。该地区主导企业的存在正在推动增长。此外，对内存技术研发的浓厚兴趣和投资正在推动该地区的 MRAM 需求。同样，由于汽车工业占主导地位，欧洲预计将获得显着增长。耐高温且高效的存储技术正在该国的汽车行业中获得关注。这可能会推动市场增长。

由于可穿戴设备的制造和用户需求不断增加，亚太地区可能在预测期内实现快速增长。该地区领先的消费电子产品、智能设备和其他行业正在稳步采用 MRAM 技术，以提供快速、高容量的内存。该地区拥有多家存储器制造公司，预计将推动 MRAM 需求。此外，不断增长的互联网普及率、云部署、5G 基础设施等预计将推动磁阻 RAM 市场的增长。同样，考虑到 MRAM 的功能和应用，中东、非洲和南美洲的需求预计将稳步增长。

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分割

 主要行业发展

• 2019 年 2 月 – 英特尔公司宣布开始生产 MRAM。该公司分享了将 MRAM 自旋转移矩 (STT) 嵌入设备的详细信息。该公司宣布正在使用两级电流传感技术和“写入-验证-写入”方案来开发STT-MRAM。
• 2020 年 3 月：Everspin Technologies, Inc. 与智能计算提供商 Xilinx, Inc. 合作，发布了采用 Xilinx DDR4 FPGA 控制器的 1 Gb STT-MRAM 的新设计指南。两家公司解决方案的集成带来了各种好处，例如降低操作频率、提高数据传输效率等。