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传统记忆类型(EEPROM,SRAM,EPROM等)通过新兴记忆类型(MRAM,FRAM,RERAM等),最终用户(医疗保健,IT&IT&IT&Telecom,IT&AutoMotive,Automotive,Automotive,Auventring,Consumer Experiation,Consumer Electronics和2022-2025-2025-2025-2025-2025-2025-2025-2025-2025-20)

Region : Global | 报告编号 : FBI108103 | 状态:进行中

 

主要市场见解

非挥发性内存(NVM)广泛用于笔记本电脑,PC,平板电脑和智能手机等各种消费电子设备中。即使关闭电源,非挥发记忆也保留其数据。与挥发性内存相比,非易失性存储器可以存储更多的持久数据,例如随机访问存储器。此外,非易失性内存使用“用户可配置技术”,从而最大程度地减少了刷新内存的周期性要求。该因素使其非常适合长期数据存储和快速数据传输。各种设备中存在非挥发性内存,例如固态驱动器(SSD),USB闪存驱动器,内存卡和非挥发性双线内存储模块(NVDIMMS)。 NVM,技术近年来已经显着发展,导致性能提高和成本降低 - 无易ol的存储器存储细胞中的数据,这些数据易于编程和电气擦除。 NVM比波动性记忆具有许多优势,其中包括更快的读写速度,较低的功耗和耐久性提高。随着数字技术的发展,预计非挥发性内存将在广泛的设备和应用中变得更加普遍。此外,预计汽车和医疗保健领域的高级驾驶员援助系统(ADAS),无人驾驶汽车和临床自动化等新兴技术预计将蓬勃发展全球市场上对非挥发性记忆的需求。

Covid-19对非易失性记忆市场的影响:

COVID-19大流行对非易失性记忆(NVM)产品市场的影响不同,包括NAND闪存,NOR闪存和新兴技术,例如MRAM,RERAM和PCM。此外,大流行导致对依赖NVM(例如智能手机,笔记本电脑和游戏机)的设备的需求增加,因为人们花了更多时间在家工作,学习和社交。这种增加的需求导致NVM市场总体增长的增长。

但是,大流行破坏了全球供应链和制造运营,导致材料短缺和NVM产品价格突然上涨。除此之外,大流行还影响了NAND​​闪存的生产,NAND闪存的生产是在各种产品中使用的,包括固态驱动器(SSD),USB驱动器和存储卡。 NAND记忆生产中的供应链中断导致全球SSD短缺和这些产品的价格上涨。此外,全球市场继续采用新的常规,这在预测期内增加了对NVM产品的需求。

关键见解:

该报告将涵盖以下主要见解:

  • 最近的行业趋势和发展。
  • 竞争性格局和战略主要参与者。
  • 完整的背景分析,包括评估全球非易失性记忆市场。
  • 段的完整分析
  • COVID-19对全球非易失性记忆市场的影响

区域分析:

获取市场的深入见解, 下载定制

  • 北美地区基本上促进了非易失性记忆市场的全球市场份额。同样,美国消费电子设备的主要主要参与者的可用性增加了对非易失性记忆的需求。此外,加拿大和墨西哥的连接设备等先进技术的采用越来越多,推动了市场的增长。
  • 由于英国,德国,法国和西班牙等国家的持续技术进步,欧洲地区正在不断加强其市场地位。此外,意大利,荷兰和比利时等各个国家的政府当局正在采取行动,以促进其国家的半导体芯片制造。例如,在2022年3月,意大利政府超过44亿美元,以鼓励和促进意大利的半导体行业。
  • 由于中国,日本,韩国和台湾等国家的高级半导体制造设施,亚太地区的复合年增长率最高。此外,主要的区域参与者正在推出先进的非易失性存储产品,以增强其市场足迹。例如,在2022年11月,总部位于台湾的半导体制造公司TSMC与Infineon Technology合作。通过这一战略举动,两个组织共同引入了RRAM技术,该技术专为汽车Aurix™TC4X产品系列而设计
  • 由于该地区缺乏熟练的工人,中东,非洲和南美的市场增长率正在增长。但是,沙特阿拉伯,卡塔尔和南非等国家的技术发展日益提高,正在提高对非挥发性记忆市场的需求。

最终用户的分析

由于对非易失性记忆的需求很高,因此电信部门基本上有助于市场份额。非易失性存储器经常用于量子计算机的高端中央处理单元中,以最大化计算速度和操作速度。但是,在消费电子中使用非易失性记忆的使用持续增加,预计在预测期内将产生最高的复合年增长率。但是,实施新兴技术,例如在制造业和汽车行业中的物联网和工业自动化,对非易失性记忆的需求在不久的将来正在增加。

涵盖的主要参与者:

Rohm Co. Ltd(日本),Stmicroelectronics NV(瑞士),Maxim Integrated Products Inc(美国),Intel Corporation(美国),富士通有限公司(日本),霍尼韦尔国际公司(美国),Micron Technologies Inc(美国),Samsung Electronics Co. ltd(Underrony co. angeries and Infine and Infine Infine and Infine Infine Inf.雪崩技术公司(美国)。

分割:

            经过传统记忆类型

  通过新兴内存类型

由最终用户

通过地理

  • EEPROM
  • SRAM
  • EPROM
  • 其他
  • MRAM
  • 框架
  • 重兰
  • 其他的
  • 卫生保健
  • IT和电信
  • 汽车
  • 制造业
  • 消费电子产品
  • 其他的

 

  • 北美(美国,加拿大和墨西哥)
  • 欧洲(英国,法国,德国,意大利,西班牙,贝内卢克斯,俄罗斯,北欧和欧洲其他地区)
  • 亚太地区(印度,日本,韩国,东盟,中国,大洋洲和亚太其他地区)
  • 中东和非洲(土耳其,以色列,北非,海湾合作委员会,南非和其他MEA)
  • 南美(阿根廷,巴西和南美其他地区)

关键行业发展:

  • 2022年7月,全球半导体供应商Micron Corporation推出了新的232层NAND闪存;这种高端内存提供了高数据传输和处理速度。   
  • 2022年3月,富士通半导体内存解决方案有限公司推出了新的12MBit Reram MB85AS12MT;该内存的内存密度非常高12mbit,并且内置的小包装为2mm x 3mm大约尺寸。
  • 2022年6月,半导体解决方案的全球提供商Crossbar Inc.推出了其新的电阻RAM(RERAM)技术,该技术主要用于安全存储和处理,以保护系统免受入侵攻击。


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