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Wide Band Gap Semiconductor Market Size, Share & Industry Analysis, By Material Type (Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), and Others), By Device Type (Power Devices, RF Devices, and Optoelectronic Devices), By End-user (Automotive, Consumer Electronics, Telecommunications, Aerospace & Defense, Energy & Power, and Others) and Regional Forecast, 2025 - 2032年

最近更新时间: November 17, 2025 | 格式: PDF | 报告编号 : FBI111479

 


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属性

细节

研究期

2019-2032

基准年

2024

估计一年

2025

预测期

2025-2032

历史时期

2019-2023

单元

价值（十亿美元）

增长率

从2025年到2032年的复合年增长率为14.7％

分割

按材料类型

  • 碳化硅（SIC）
  • 氮化炮（GAN）
  • 其他（氮化铝（AIN），钻石等）

按设备类型

  • 电源设备
  • RF设备
  • 光电设备

由最终用户

  • 汽车
  • 消费电子产品
  • 电信
  • 航空航天与防御
  • 能源和力量
  • 其他人（医疗保健）

按地区

  • 北美（按材料类型，按设备类型，最终用户和地区）
    • 美国（最终用户）
    • 加拿大（最终用户）
    • 墨西哥（最终用户）
  • 南美（（按材料类型，按设备类型，最终用户和地区）
    • 巴西（最终用户）
    • 阿根廷（最终用户）
    • 南美洲的其余
  • 欧洲（（按材料类型，按设备类型，最终用户和区域）
    • 英国（最终用户）
    • 德国（最终用户）
    • 法国（最终用户）
    • 意大利（最终用户）
    • 西班牙（最终用户）
    • 俄罗斯（最终用户）
    • 贝内尔（由最终用户）
    • 北欧（由最终用户）
    • 欧洲其他地区
  • 中东和非洲（（按材料类型，按设备类型，最终用户和地区）
    • 土耳其（最终用户）
    • 以色列（最终用户）
    • GCC（最终用户）
    • 北非（最终用户）
    • 南非（最终用户）
    • 中东和非洲的其余部分
  • 亚太地区（（按材料类型，按设备类型，最终用户和区域）
    • 中国（最终用户）
    • 日本（最终用户）
    • 印度（最终用户）
    • 韩国（最终用户）
    • 东盟（最终用户）
    • 大洋洲（最终用户）
    • 亚太其他地区

公司在报告中介绍了
  • Infineon Technologies AG（德国）
  • stmicroelectronics（瑞士）
  • Analog Devices，Inc。（美国）
  • NXP半导体（荷兰）
  • Rohm Co.，Ltd。（日本）
  • MACOM技术解决方案（美国）
  • 东芝电子设备和存储公司（日本）
  • 三菱电气（日本）
  • 富士电气有限公司（日本）
  • Vishay Intertechnology，Inc。（美国）
  • Nexperia（荷兰）
  • Kyocera AVX组件公司（美国）
Wide Band Gap Semiconductor Market
  • 2019-2032
  • 2024
  • 2019-2023
  • 150
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