GaN Power Device Market Size, Share & Industry Analysis, By Type (GaN Power Discrete Devices, GaN Power ICs, GaN Power Modules), By Voltage Range (Low Voltage (Below 200 Volt), Medium Voltage (200,600 Volt), High Voltage (Above 600 Volt)), By Application (Power Drives, Supply and Inverter, Radio Frequency), By End User (Commercial, Military) and Regional Forecast, 2023-2030

Die GAN -Leistungsvorrichtung (GaNitrid) ist ein Transistor mit hoher Elektronenmobilität mit einer höheren elektrischen Feldstärke als die Silizium -Leistungsgeräte. Gan Material hat eine breite Bandlücke, die eine hohe Leistung bietet. Daher ist es ein praktikabler Ersatz für reines Silizium in der Elektronik und im Halbleiterfeld. Dieses Material wird hauptsächlich in sehr hohen Spannungsanwendungen verwendet. Das auf GaN -Material basierende Leistungsgerät bietet eine hohe Effizienz, eine hohe Leistungsbeschaffungskapazität und ein schnelles Umschalten. Solche Vorteile können Gan Power Devices machen, ist eine primäre Lösung für verschiedene Endbenutzerindustrien wie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobile, Unterhaltungselektronik und unter anderem.

Der Markt für GAN -Power -Geräte wurde nach Gerätetyp, Spannungsbereich, Anwendung, Endbenutzer und Region segmentiert. Auf der Grundlage des Typs wird der Markt in Stromversorgungsgeräte, Leistungs -ICs und Leistungsmodule eingewiesen. Das Segment Diskreter Geräte für GAN-Leistungsstärke umfasst HF-Leistungsgerät und Nicht-RF-Leistungsgeräte.

Wichtiger Markttreiber -

• Rising adoption of GaN RF Power Device in aerospace and defense industry • Growing worldwide focus on fuel conservation • Growing aircraft deliveries across the globe

Wichtiges Markthindernis -

• High penetration of Si based power devices • Lack of availability of GaN Material

Derzeit wird die Nachfrage nach GAN -Stromversorgungsgerät weltweit erhöht, da der Kraftstoffverbrauch durch die Verringerung der Verluste verringert wird. Das Kraftstoffeinsparungsmerkmal von Gan Power -Geräten kann es zu einer idealen Lösung für die Anwendungen der Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsindustrie machen, einschließlich Satellitenkommunikation, Raketen, Radare und elektronischer Kriegsführung. Daher wird erwartet, dass die zunehmende Einführung von GAN -Power -Geräten in Anwendungen der Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsindustrie das Marktwachstum vorantreibt. Darüber hinaus ermöglichen die GAN -Leistungsgeräte die Verwendung von hoher Leistung in einer Vielzahl von Bändern, indem sie hohe Watt bei HF -Frequenzen liefern. Daher wurde das GAN -Stromgerät zuerst im Irak entwickelt und verwendet, um improvisierte Sprengstoffgerät (IED) Jammer zu machen. Und jetzt wird es in elektronischer Kriegsführung verwendet. Diese verstärkte Akzeptanz hat erwartet, dass die Nachfrage nach GaN -basierten Stromversorgungsgeräten im Verteidigungssektor erhöht wird. Auch der wachsende Einsatz von GAN -Leistungsgeräten in drahtlosen Ladegeräten dürfte den Markt im Prognosezeitraum tanken. Darüber hinaus wird die zunehmende Produktion von Flugzeugen aufgrund des erhöhten Flugverkehrs und der kumulativen Nutzung von GAN in der 5G -Netzwerkanwendung wahrscheinlich in naher Zukunft wahrscheinlich ausreichend Chancen für den Markt für Gan Power Device schaffen.

Schlüsselspieler abgedeckt:

Some of the key players in the GaN power device market include Microsemi Corporation (The U.S.), Analog Devices, Inc. (The U.S.), Cree, Inc. (The U.S.), Qorvo, Inc. (The U.S.), MACOM Technology Solutions (The U.S.), Efficient Power Conversion Corporation (The U.S.), Integra Technologies, Inc. (The U.S.), Transphorm Inc. (The U.S.), Navitas Semiconductor Inc. (The U.S.), NXP Semiconductors N.V. (Niederlande), Texas Instruments, Inc (die USA), Infineon Technologies AG (Deutschland), unter anderem die Semiconductor Corporation (die USA), unter anderem und unter anderem.

Basierend auf dem Typ des GAN-Leistungsmarks-Marktleistungsmoduls wird im Prognosezeitraum 2019-2026 ein massives Wachstum verzeichnet. Die steigende Einführung von GAN -RF -Leistungsgeräten in verschiedenen Branchen -Branchen für die Anwendung mit hoher Stromversorgung fördert das Wachstum des Marktes für GAN -Stromversorgungsgeräte.

Regionale Analyse:

Der Markt für Gan Power Device wird in den wichtigsten Regionen wie Nordamerika, Europa, asiatischem Pazifik und Rest der Welt analysiert

Nordamerika wird erwartet, dass er den Markt für GAN -Power -Geräte leitet, und Zeugen, um die Position während der prognostizierten Zeitleiste aufrechtzuerhalten. Dieser große Marktanteil ist auf das Vorhandensein einer großen Anzahl von Gan -Stromversorgungsherstellern in den USA zurückzuführen. Auch die hohen Investitionen in die F & E -Raum- und Verteidigungsdomäne sollen den Markt für GAN -Power -Geräte in Nordamerika vorantreiben.

Um umfassende Einblicke in den Markt zu gewinnen, Zur Anpassung herunterladen

Anschließend von Nordamerika wird der asiatisch -pazifische Raum in den kommenden Jahren ein signifikantes Wachstum verweisen, da die Gan -Power -Geräte in verschiedenen Branchen wie Verteidigung, Luft- und Raumfahrt, Automobil, Militär und Telekommunikation in Schwellenländern wie China und Indien angewendet werden. Auch die Erhöhungsinvestitionen in Forschung und Entwicklung und militärische Upgradationsprogramme aus Ländern wie China, Indien und Japan werden auch im Prognosezeitraum den Markt im asiatisch-pazifischen Raum vorantreiben.

Segmentierung

Schlüsselentwicklungen der Branche

• 2019- Die Panasonic Corporation präsentierte sein neu entwickeltes GAN- und SI -basierter Stromgerät auf der Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC). Das neuartige Produkt, Panasonic 600V X-Gan Power Transistor, bietet eine hohe Wärmekapazität, eine thermische Leitfähigkeit und einen verbesserten 600-V-Breakdown-Modus. Auch die Hochgeschwindigkeitsoperationen von 600 V X-Gan-Leistungstransistor bieten eine verbesserte Effizienz der Stromumwandlung und eine verringerte Größe.
• 2018-Die Panasonic Corporation führte seinen neu gestalteten Gan-Transistor mit isolierigem Gat, der kontinuierliche stabile Operationen mit entferntem Schwellenspannungsvariation in der Lage ist. Diese Technologie sollte die Geschwindigkeit des GAN -Stromversorgungsgeräts weiter erhöhen, was die weitere Miniaturisierung elektronischer Produkte ermöglicht.
• 2017-Macom Technology Solutions führte seine neu entwickelte GaN [Power-Gerät für gepulste L-Band-Radarsysteme ein, die für die ASR-Anwendungen (Airport-Überwachungsradar) verwendet werden.