IGBT -Markt für bis 2028 11,24 Milliarden US -Dollar; Start von 650 V Coolsic Hybrid IGBT -Reichweite nach Infineon Technologies AG, um den Markt zu treiben

Der globaleBipolarer Transistormarkt Isolierter GateDie Größe wird voraussichtlich bis 2028 USD 11,24 Milliarden erreichen. Die wachsende Beliebtheit von Hybridfahrzeugen wird in einem Bericht mit dem Titel "“Marktgröße für isolierte Gate Bipolar Transistor (IGBT), Aktien und Covid-19-Auswirkungen, durch Spannung (niedrige Spannung, Mittelspannung und Hochspannung), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, industrielle Herstellung, Automobilförderung (EV/HEV), Wechselrichter/UPS, Eisenbahnen, Erneuerungselemente und andere) und regionale Vorhersagen, 2021-2028. ”Und Regionale Vorhersagen, 2021-2028.Gemäß dem Bericht lag die Marktgröße im Jahr 2020 bei 5,40 Milliarden USD und wird voraussichtlich zwischen 2021 und 2028 eine CAGR von 9,8% aufweisen.

Aufgrund der Materialknappheit inmitten des Covid-19-Ausbruchs wurde die Produktion von bipolaren Transistoren isolierter Gate stark unterbrochen. Nach der Pandemie wird die Branche jedoch voraussichtlich aufgrund der Einführung der sauberen Energie, einer erhöhten Nachfrage nach Elektrofahrzeugen sowie einer erhöhten Automatisierung und der industriellen Revolution erheblich erweitert.

Veröffentlichung des IGBT-Moduls der 7. Generation X-Serie von Fuji, um das Wachstum zu erweitern

Fuji Electric Co., Ltd., Drucksender, Durchflussmesser, Gasanalysatoren, Regulierungsbehörden, Wechselrichter, Pumpen, Motoren, ICs, Motoren und Stromversorgungsgeräte werden von dieser japanischen Gesellschaft für japanische Elektrogeräte hergestellt. Das Unternehmen kündigte kürzlich die kommerzielle Herstellung seines HPNC*1 für die Schienenindustrie an, die mit einer IGBT*2-Module der 7. Generation X-Serie konfiguriert werden würde. Das HPNC, ein IGBT-Modul mit hoher Kapazität, kann den Stromverlust verringern und Strom sparen. Gemäß dem Unternehmen soll die Elektro -Eisenbahnbranche im Jahr 2023 um 6% jährlich wachsen und etwa 50 bis 60 Milliarden Yen erreicht..Als HPNC hat einen Teil der besten Leistung der Branche mit niedrigem Verlust und wird hocheffizient sein. Fuji Electric senkte die interne Induktivität, die die Hochgeschwindigkeitsumschaltung beeinträchtigt, um 76 Prozent im Vergleich zu herkömmlichen Geräten durch Verbesserung der Kit-Konfiguration, was zu niedrigen Verlusten führt.

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Schnelle Verschiebung in Richtung EVs, um das Wachstum des IGBT -Marktes zu bevorzugen

Der Klimawandel und die globale Erwärmung bringen das öffentliche Verständnis der Energieversorgung in allen Bereichen auf. Die Automobilindustrie ist eine von ihnen, und wenn sie sich im energiesparenden Modus fortzieht, gibt es einen wachsenden Markt fürElektrofahrzeuge (EVs)und Hybridautos. In Anbetracht der staatlichen Anreize planen große Autohersteller, in die Produktion innovativer Elektrofahrzeuge zu investieren. Die Benutzer sind jetzt gezwungen, aufgrund steigender Kraftstoffkosten von herkömmlichen Autos zu Elektrofahrzeugen zu wechseln. Die Nachfrage nach isolierten bipolaren Transistoren für isolierte Gate wird voraussichtlich steigen. Daher fördert diese Branche.

Mitsubishi Electric Corporation, um den Markt zu dominieren

Laut dem Bericht wird der Markt von mehreren prominenten Unternehmen dominiert. Dazu gehören Unternehmen wie Hitachi, Mitsubishi Electric Corporation, Infineon Technologies AG, ABB Ltd. und Fuji Electric Co. Advanced Automotive IGBTs, die auf mittleren und Hochleistungsmodulen basieren, werden von Unternehmen wie Fuji Electric Co., Ltd. und Mitsubishi Electric Corporation entwickelt. Beispielsweise führte die Mitsubishi Electric Corporation im August 2020 das IGBT-Modul vom T-Serie vom Typ LV100 für Industrieanwendungen ein. Das Modul hilft Kraftwerken und Wechselrichtern, weniger Strom zu verlieren und weniger Platz zu nehmen. Diese Wandler und Wechselrichter werden in sauberen Energieanwendungen verwendet, einschließlich Windkraftanlagen, Photovoltaik-Paneelen und Motorantrieben mit hoher Kapazität.

Schlüsselentwicklung:

• Februar 2021:Infineon Technologies AG führte den 650 -V -Kühlschrank -Hybrid -IGBT -Bereich ein. Der fortschrittliche Transistor umfasst 650 V Blockierungsspannung. Der Hybridbereich bietet Vorteile, einschließlich Schottky Barrier Coolsic Dioden und 650 V Trenchstop 5 IGBT.

Der Bericht listet die wichtigsten Unternehmen auf dem globalen Markt auf:

• Infineon Technologies AG (München, Deutschland)
• Danfoss Group (Nordborg, Dänemark)
• Rohm Co., Ltd (Kyoto, Japan)
• Hitachi, Ltd. (Tokio, Japan)
• ABB Ltd (Zürich, Schweiz)
• Mitsubishi Electric Corporation (Tokio, Japan)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Tokio, Japan)
• Toshiba Corporation (Tokio, Japan)
• Littelfuse, Inc. (Illinois, Vereinigte Staaten)
• Starpower Semiconductor Ltd. (Jiaxing, China)

Weitere Berichteergebnisse:

Regionale Erkenntnisse:

• Das zunehmende Bewusstsein für erneuerbare Ressourcen wird das Wachstum in Nordamerika verbessern.
• Die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen (EVs) und günstigen Regierungsinitiativen werden die Expansion im asiatisch -pazifischen Raum fördern.
• Die wachsende Einführung von IGBT -Geräten über die Unterhaltungselektronik und die Eisenbahnen wird den bipolaren Transistor -Markt für isolierte Gate in Lateinamerika und den Nahen Osten sowie Afrika erheben.

Führendes Segment: Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Unterhaltungselektronik, industrielle Fertigung, Automobile (EV/HEV), erneuerbare Energien, Wechselrichter/Ups, Eisenbahnen und andere (Energie und Strom, Traktion und andere) eingeteilt. Unter diesem wird erwartet, dass der Automobilsektor aufgrund der zunehmenden Einführung bipolarer Transistoren an Fahrmotoren einen erheblichen Anteil enthält.

Der globale Markt ist auf folgende Weise segmentiert: