Marktgröße, Anteil und Branchenanalyse für Siliziumkarbid (SiC)-Module, nach Modultyp (SiC-MOSFET-Module, SiC-Schottky-Diodenmodule und Hybrid-SiC-Module), nach Spannungsbereich (1200 V), nach Anwendung (Automobilindustrie, Energie und Versorgung, Industrie, Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und andere) und regionale Prognose, 2026–2034

ATTRIBUT

DETAILS

Studienzeit

2021-2034

Basisjahr

2025

Geschätztes Jahr

2026

Prognosezeitraum

2026-2034

Historische Periode

2021-2024

Wachstumsrate

CAGR von 29,20 % von 2026 bis 2034

Einheit

Wert (in Mio. USD)

Segmentierung

Nach Modultyp

• SiC-MOSFET-Module
• SiC-Schottky-Diodenmodule
• Hybride SiC-Module

Nach Spannungsbereich

• <600V
• 600V – 1200V
• >1200V

Auf Antrag

• Automobil
• Energie und Versorgung
• Industriell
• Telekommunikation
• Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
• Andere (Unterhaltungselektronik usw.)

Nach Region

• Nordamerika (nach Modultyp, nach Spannungsbereich, nach Anwendung und nach Land)
  • UNS.
  • Kanada
  • Mexiko
• Europa (nach Modultyp, nach Spannungsbereich, nach Anwendung und nach Land)
  • Vereinigtes Königreich
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Russland
  • Benelux
  • Nordische Länder
  • Restliches Europa
• Asien-Pazifik (nach Modultyp, nach Spannungsbereich, nach Anwendung und nach Land)
  • China
  • Indien
  • Japan
  • S         - dkorea
  • ASEAN
  • Ozeanien
  • Rest des asiatisch-pazifischen Raums
• Naher Osten und Afrika (nach Modultyp, nach Spannungsbereich, nach Anwendung und nach Land)
  • Truthahn
  • Israel
  • GCC
  • S         - dafrika
  • Nordafrika
  • Rest des Nahen Ostens und Afrikas
• S         - damerika (nach Modultyp, nach Spannungsbereich, nach Anwendung und nach Land)
  • Brasilien
  • Argentinien
  • Rest von S         - damerika