炭化ケイ素（SiC）モジュール市場規模、シェア及び業界分析：モジュールタイプ別（SiC MOSFETモジュール、SiCショットキーダイオードモジュール、ハイブリッドSiCモジュール）、電圧範囲別（＜600V、600V – 1200V、および >1200V）、用途別（自動車、エネルギー・公益事業、産業、通信、航空宇宙・防衛、その他）、および地域別予測、2025-2032年

世界の炭化ケイ素（SiC）モジュール市場規模は、2024年に7億7,400万米ドルと評価された。市場は2025年の9億8,070万米ドルから2032年までに58億7,970万米ドルへ成長し、予測期間中に28.8%のCAGRを示すと予測されている。北米は2024年に26.06%のシェアで市場を支配した。

世界の炭化ケイ素（SiC）モジュール市場とは、半導体材料として炭化ケイ素を半導体材料として利用するパワーモジュールの開発、生産、商業化に焦点を当てた産業を指します。これらのモジュールは、自動車、エネルギー・公益事業、産業、通信、航空宇宙・防衛など幅広い用途において、電気エネルギーを効率的に管理・変換するように設計されています。従来のシリコンベースのパワーモジュールと比較して、高いエネルギー効率、低いスイッチング損失、改善された熱伝導性、コンパクトな設計など、優れた特性を提供します。

電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業用途における省エネルギーかつ高性能なパワーエレクトロニクスへの需要拡大が、炭化ケイ素（SiC）モジュール市場の成長を牽引しています。例えば、

• 業界専門家は、走行中のバッテリー電気自動車（BEV）およびプラグインハイブリッド車（PHEV）のシェアが60%に達した場合、2050年までに600億トン以上のCO2削減が可能と試算しています。この車両導入の転換は、世界の炭素排出量削減に向けた重要な一歩と見なされています。

さらに、SiCデバイスの技術進歩と、世界的な炭素排出削減への関心の高まりが、市場の採用をさらに加速させています。

Wolfspeed, Inc.、STMicroelectronics、Infineon Technologies AG、ROHM Semiconductor、ON Semiconductor、Microchip Technology, Inc.、三菱電機株式会社、Hitachi Energy、富士電機株式会社、Littelfuse, Inc.などが、この市場で事業を展開する主要企業である。

日本シリコンカーバイド（SiC）モジュール市場インサイト

日本のシリコンカーバイドモジュール市場は、高効率電力変換への需要増加により急速に拡大しています。高温環境や高電圧用途での性能向上が求められ、次世代パワーエレクトロニクスの中心技術として注目されています。電気自動車分野での採用が進み、軽量化と航続距離拡大に貢献しています。産業機器分野でも高効率化が進み、エネルギーコスト削減に寄与しています。小型化・高耐久化技術が開発され、設計自由度が高まっています。国内メーカーは高品質材料供給体制を強化しています。半導体製造技術の進化が性能向上を牽引しています。再生可能エネルギー分野でもインバータ性能改善が期待されています。流通網拡大が市場アクセスを高めています。総じて日本市場は高性能化への動きが顕著です。

相互関税がシリコンカーバイド（SiC）モジュール市場に与える影響

主要貿易国間で課される相互関税は、原材料や主要部品のコスト上昇を通じて、炭化ケイ素モジュール市場に悪影響を及ぼす可能性があります。こうしたコスト高は製造経費に影響を与え、結果として世界市場における炭化ケイ素（SiC）モジュールの価格競争力を低下させます。企業は追加コストを消費者に転嫁せざるを得なくなり、様々な用途におけるSiC技術の普及を遅らせる恐れがあります。

さらに、これらの関税はグローバルサプライチェーンを混乱させ、生産遅延や納期延長を招く恐れがあります。国際的なサプライヤーに依存するメーカーは、物流上の課題や業務の柔軟性低下に直面する可能性があります。こうした混乱により、企業は調達・製造戦略の見直しや再構築を迫られ、資本支出の増加につながるでしょう。長期的には、貿易障壁が投資意欲を削ぎ、イノベーションを制限し、世界のシリコンカーバイド（SiC）モジュール市場の成長を阻害する可能性があります。

炭化ケイ素（SiC）モジュール市場の動向

5Gとデータセンターの拡大が市場成長を牽引

世界的な5Gネットワークの急速な展開と高性能データセンターへの需要増加が、市場の成長を大きく後押ししている。SiCモジュールは、優れたエネルギー効率、 高いスイッチング周波数、優れた熱伝導性により、通信およびデータインフラでSiCモジュールが採用されています。これらの特性により、5G基地局やハイパースケールデータセンターのような高密度でエネルギー集約的な環境に不可欠な、よりコンパクトで信頼性の高い電源システムが実現します。したがって、通信事業者やデータセンタープロバイダーは、性能と持続可能性の目標を達成するためにSiCベースのソリューションに投資しています。この傾向は今後も加速し、今後数年間にわたるSiCモジュール需要の持続的な増加に寄与すると予想されます。

市場動向

市場推進要因

電気自動車（EV）の普及拡大が市場成長を牽引 

EV需要の高まりが、これらの車両への炭化ケイ素モジュールの導入を促進しています。例えば、

• 電気自動車（EV）市場電気自動車（EV）市場は2024年に大幅な成長を遂げ、世界販売台数は前年比25％増加しました。総販売台数は1700万台を超え、業界拡大における重要な節目を示しています。

SiCモジュールは、エネルギー効率の向上、高電圧対応能力、優れた熱伝導性を提供するため、EVアプリケーションに理想的です。自動車メーカーは、性能向上、エネルギー損失の削減、バッテリー寿命の延長を目的として、パワートレインや充電システムへのSiCモジュールの統合を加速しています。このSiC技術への移行は、EVにおける航続距離の拡大と急速充電の実現に向けた業界の取り組みを強化しています。

補助金、排出規制、インフラ整備など電気モビリティを支援する政府政策が、世界的なEV普及をさらに加速させている。その結果、信頼性と効率性を兼ね備えたパワーエレクトロニクスの需要が高まり、SiCモジュールはEVイノベーションの不可欠な要素となっている。乗用車、商用車、公共交通システムにまたがるEV市場の拡大は、SiCモジュールの需要を継続的に押し上げている。

市場の制約要因

SiC材料の高コストと複雑な製造プロセスが市場成長を阻害する可能性

従来のシリコンベースのモジュールと比較して、SiCモジュールは高度な製造技術と専用設備を必要とし、これが生産コストの上昇とスケーラビリティの制限につながっています。さらに、高品質なSiC基板の入手困難さと、デバイスパッケージングおよび信頼性に関連する技術的課題が、普及をさらに妨げています。これらの要因が相まって、中小メーカーにとって障壁となり、コスト重視の用途におけるSiCモジュールの浸透を遅らせ、結果として市場全体の成長を抑制しています。

市場機会

再生可能エネルギーシステムの拡大が市場に大きな機会を創出

再生可能エネルギーシステムの急速な成長は、最適な性能のために高効率なパワーエレクトロニクスを必要とするため、大きな機会を生み出しています。例えば、

SiCモジュールは、太陽光インバーター、風力発電システム、エネルギー貯蔵ソリューションなどの再生可能エネルギー用途に有益です。これらは、より高い電圧処理能力、効率性、熱管理を提供します。クリーンエネルギーへの世界的な推進は、再生可能エネルギーインフラにおけるSiCモジュールの需要を強めています。

再生可能エネルギー導入を促進する政府施策は、先進的な電力ソリューションの需要をさらに加速させ、SiCモジュールをエネルギー変換における重要技術として位置づけています。太陽光、風力、蓄電システムの拡大は、効率的で信頼性の高いパワーエレクトロニクスの必要性を高めています。例えば、

• インドの非化石燃料設備容量は過去8.5年間で396%という驚異的な伸びを示し、大規模水力・原子力を含む205GWを突破しました。この成長は、同国がクリーンエネルギー源への移行において著しい進展を遂げていることを反映しています。

さらに、再生可能エネルギーシステムの性能と拡張性を高めるためのSiCモジュールへの依存度が高まっていることは、今後数年間で市場に大きな成長の見通しをもたらすでしょう。

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セグメント分析

モジュールタイプ別

高電力用途の増加が牽引する SiC MOSFETモジュールセグメントの成長

モジュールタイプ別では、市場はSiC MOSFETモジュール、SiCショットキーダイオードモジュール、ハイブリッドSiCモジュールに区分される。

SiC MOSFETモジュールは、優れた効率性、低導通損失、高スイッチング周波数・高温環境での動作能力により市場を支配しており、高電力アプリケーションに最適である。例えば、

• 2025年3月、オンセミは第1世代1200V SiC MOSFETベースのSPM 31インテリジェントパワーモジュール（IPM）を発表した。最小フォームファクタで最高のエネルギー効率と電力密度を実現し、システム全体のコスト削減に貢献する。

SiCとシリコン技術の特長を組み合わせたハイブリッドSiCモジュールは、コスト効率に優れ、性能と手頃な価格のバランスを提供するため、最も高いCAGR（年平均成長率）が見込まれています。

電圧範囲別

多様なアプリケーションでの広範な利用が600V-1200Vセグメントの成長を牽引

電圧範囲別では、市場は<600V、600V – 1200V、>1200Vに分類される。

600V-1200Vセグメントは、産業用モーター駆動装置、電源装置、民生用電子機器など幅広い用途で採用されており、中電力アプリケーションに最適な性能を発揮するため、市場で最大のシェアを占めています。

1200Vを超える電圧のモジュールは、効率的なエネルギー変換に高電圧を必要とするEVや再生可能エネルギー設備などの高電力アプリケーションでの採用が増加しているため、最も高いCAGRで成長すると予想されています。例えば、

• 2024年2月、Qorvoは4種類の1200V SiCモジュールを発表しました。これらの高効率モジュールは、電気自動車（EV）充電ステーション、エネルギー貯蔵システム、産業用電源装置、太陽光発電アプリケーションでの使用を想定して設計されています。

用途別

効率的な電力変換の必要性から、エネルギー・公益事業分野が最高CAGRでリード

用途別では、市場は自動車、エネルギー・公益事業、産業、通信、航空宇宙・防衛、その他に分類されます。

エネルギー・公益事業分野は、再生可能エネルギー源、スマートグリッド技術、エネルギー貯蔵ソリューションへの注目の高まりにより、最高CAGRで成長すると予測される。これらは効率的な電力変換と管理のためにSiCモジュールに依存している。

自動車分野はEVの急速な成長により市場を牽引しています。SiC部品は高性能インバーターや電動駆動システムにおいて、エネルギー効率、電力密度、コンパクト性において大きな利点を提供します。

炭化ケイ素（SiC）モジュール市場の地域別展望

地域別では、北米、欧州、アジア太平洋、中東・アフリカ、南米に分類される。

北米

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北米は、エネルギー効率と持続可能性の目標達成のためにSiC技術が広く採用されている、確立された自動車、産業、エネルギー部門により市場を支配しています。米国におけるEV製造や再生可能エネルギーなどの主要産業は、SiCベースのシステムの導入を加速させ、同地域の主導的立場を推進しています。

欧州

欧州は持続可能な技術への強い注力と電気自動車（EV）の普及により市場で大きなシェアを占めています。EV駆動系におけるエネルギー効率と電力密度の向上にはSiCモジュールが不可欠です。例えば、

• 2023年、欧州では電気自動車（EV）の新規登録台数が顕著に増加し、約320万台に達した。これは前年比で約20％の成長を示す。

さらに、再生可能エネルギー統合とスマートグリッド開発における主導的立場が、高性能パワーエレクトロニクスの需要を牽引し、市場での存在感をさらに強化しています。

アジア太平洋地域

アジア太平洋地域は、急速な工業化、電気自動車生産への投資増加、中国、インド、日本、韓国などの主要市場における再生可能エネルギー技術の普及拡大により、最も高いCAGRで成長すると予測されています。同地域におけるエネルギー効率への重点と、グリーン技術を促進する政府の取り組みが相まって、SiCモジュールの需要加速に寄与しています。例えば、

• インドは野心的な再生可能エネルギー目標を設定し、2030年までに電力の50%を非化石燃料源で発電することを目指している。この目標は、気候変動に関するパリ協定への同国のコミットメントの一環である。

中東・アフリカおよび南米

中東・アフリカおよび南米地域は、他の地域と比較して電気自動車や先進パワーエレクトロニクスの導入が比較的遅れているため、市場では平均的な成長率が見込まれています。しかし、再生可能エネルギーインフラや産業開発への段階的な投資が、これらの新興経済圏全体で着実な市場拡大に寄与しています。

競争環境

主要業界プレイヤー

主要プレイヤーは市場での地位強化に向け新製品を投入

各社は技術進歩を活用し、多様な消費者ニーズに対応し、競合他社に先行することで市場ポジションを強化するため、新たな製品ポートフォリオを投入している。製品ラインの拡充と戦略的提携・買収・パートナーシップを優先し、製品提供力を強化している。こうした戦略的な製品投入により、急速に進化する業界において、各社は炭化ケイ素（SiC）モジュール市場でのシェア維持・拡大を図っている。

主要シリコンカーバイド（SiC）モジュール企業一覧（プロファイル対象）

• Wolfspeed, Inc. (Cree Inc.) (米国)
• STMicroelectronics (スイス)
• Infineon Technologies AG (ドイツ)
• ROHM Semiconductor（日本）
• ON Semiconductor（米国）
• マイクロチップ・テクノロジー社（米国）
• 三菱電機株式会社（日本）
• 日立エナジー（スイス）
• 富士電機株式会社（日本）
• リテルヒューズ社（米国）
• ナビタス・セミコンダクター（米国）
• コルボ（米国）
• ダンフォス・シリコンパワー（ドイツ）
• グローバル・パワー・テクノロジーズ・グループ（米国）
• 東芝株式会社（日本）

主要な業界動向

• 2025年1月：Wolfspeed, Inc.は、耐久性と効率性を向上させつつ、システムコストと開発時間を削減することを目的とした新世代第4世代技術プラットフォームを発表。このプラットフォームは、1200V、750V、2300Vの電圧クラスに対応し、パワーモジュール、ディスクリート部品、ベアダイ製品にわたる長期的な製品ロードマップをサポートする。
• 2024年9月：Wolfspeed, Inc.は、1500V DCバスアプリケーション向けに設計された新2300VベースプレートレスSiCパワーモジュールを発表。再生可能エネルギー、急速充電、エネルギー貯蔵分野における効率性、信頼性、耐久性、拡張性の向上を目指す。
• 2024年9月： STマイクロエレクトロニクスは、第4世代STPowerシリコンカーバイドMOSFET技術を発表。電力効率、密度、堅牢性を向上させている。この技術は、電気自動車（EV）パワートレインの重要部品であるトラクションインバーター向けに最適化されている。
• 2024年5月：リテルヒューズ社は、SiC MOSFETおよび高電力絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）との併用に設計されたIX4352NEローサイドゲートドライバをリリースしました。この先進的なドライバは産業用途を対象としており、効率的な電力スイッチングのための最適化された性能を提供します。
• 2024年2月：ケンプワーは次世代充電器プラットフォームを発表しました。このプラットフォームは製品ポートフォリオ全体にSiC技術を組み込んでおり、高い性能を提供するとともに、電気自動車（EV）の充電体験をさらに向上させるよう設計されています。

レポートのカバー範囲

本市場調査レポートは、市場の詳細な分析を提供します。シリコンカーバイド（SiC）モジュールソリューションの主要企業、製品タイプ、主要用途などの重要な側面に焦点を当てています。さらに、市場動向に関する洞察を提供し、主要な業界動向を強調しています。上記の要因に加え、近年における市場成長に寄与した複数の要素も網羅しています。

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