GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모, 점유율 및 산업 분석, 제품별(Sic 전력 모듈, GaN 전력 모듈, 이산 SiC, 이산 GaN), 애플리케이션별(전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, H/EV, PV 인버터, 견인, ​​기타) 및 지역 예측(2026~2034년)

2025년 전 세계 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모는 20억 1천만 달러로 평가되었습니다. 시장은 2026년 25억 3천만 달러에서 2034년까지 161억 7천만 달러로 성장하여 예측 기간 동안 CAGR 26.10%를 나타낼 것으로 예상됩니다.

실리콘을 대체할 차세대 소재인 SiC(탄화규소)와 GaN(질화갈륨)이 주목받고 있다. GaN 및 SiC 전력 반도체는 효율성 측면에서 실리콘 기반 장치를 능가하는 작고 신뢰할 수 있는 전력 장치입니다. 자동차 전자 장치, 산업용 모터 및 PV 인버터와 같은 다양한 전력 애플리케이션에서 이러한 GaN 및 SiC 전력 반도체는 부피, 무게 및 수명 주기 비용을 최소화하는 데 도움이 됩니다. 실리콘은 간단한 재료입니다. SiC는 탄소와 실리콘의 결합이고, GaN은 갈륨과 질소의 결합입니다. 결과적으로 이러한 화학 물질을 사용하는 반도체를 "복합 반도체"라고 합니다. GaN과 SiC는 실리콘보다 밴드 갭이 더 커서 "와이드 밴드 갭 반도체"라는 별명을 얻었습니다. 유전체 파괴 전계 강도는 와이드 밴드 갭 반도체를 식별하는 데 사용됩니다. 동일한 내압을 목표로 하는 경우, 실리콘에 비해 내압층을 상당히 얇게 제조할 수 있습니다.

반도체 재료에 사용되는 SiC 웨이퍼 기판의 품질이 향상되면서 최근 몇 년간 더 큰 직경의 웨이퍼가 사용되는 결과가 나왔습니다. 그 결과, 고전류, 저가의 소자가 탄생하여 다양한 장비에 사용되기 시작했습니다. 반면 GaN 웨이퍼 기판은 여전히 ​​가격이 비싸기 때문에 대부분의 사람들은 저가형 실리콘 기판에 GaN 활성층을 제작한 수평 배열 방식을 사용하고 있다. GaN은 고전류 제품을 만드는 것이 어렵다는 사실에도 불구하고 매우 빠른 스위칭 동작이 필요한 애플리케이션에 활용될 것으로 예상됩니다.

2020년 팬데믹 위기는 GaN 및 SiC 전력반도체 시장 성장에 큰 영향을 미쳤다. 다양한 국가에서 폐쇄를 시행했으며, 이로 인해 전기 자동차 제조업체, 태양광 부품 제조업체 등 시장 선두업체와 최종 사용 OEM의 여러 생산 현장이 폐쇄되었습니다. 반면에 폐쇄는 재택근무 이니셔티브로의 추세를 촉진했으며 지역 기업이 컴퓨팅 장치 부문, UPS 및 기타 분야에서 상당한 우위를 확보할 수 있는 기회를 제공했습니다. 또한 전염병으로 인해 GaN 및 SiC 전력 반도체 회사는 공급망 운영을 재조정하기 위해 새로운 위치에서 지리적 입지를 확장하게 되었습니다.

주요 시장 동인 -

Factors like rising government initiatives, increasing penetration of electric vehicles and technology innovation are growing to drive the GaN & SiC Power Semiconductor Market.

주요 시장 제한 요소 -

High manufacturing cost and Usage of conventional silicon materials will restrain the market growth.

주요 플레이어

Alpha and Omega Semiconductor, Fuji Electric Co., Ltd, Infineon Technologies AG, Littelfuse, Inc., Microsemi, Mitsubishi Electric Corporation, Renesas Electronics Corporation, ROHM SEMICONDUCTOR, SANKEN ELECTRIC CO.,LTD., STMicroelectronics, Epiluvac, IQE PLC, Transphorm Inc., SweGaN, Saint-Gobain, GeneSiC Semiconductor Inc., Sublime Technologies 및 기타 회사는 다음과 같습니다. 이 시장의 주요 플레이어 중 일부입니다.

지역분석

미국의 태양광 발전소 설치 증가로 인해 북미 지역의 GaN 및 SiC 전력반도체 산업도 빠른 속도로 발전할 것으로 예상된다. 2020년 12월 태양에너지산업협회가 발표한 보도자료에 따르면, 2020년 3분기에는

아시아 태평양 지역에서 GaN 및 Sic 전력 반도체 장치는 소비자 및 기업, 통신, 자동차 및 산업과 같은 다양한 응용 분야에서 GaN 및 Sic 장치가 실리콘 등가물을 점진적으로 대체하면서 시장 점유율을 빠르게 높이고 있습니다. 제조 및 유통 측면에서 중국은 와이드 밴드갭 반도체 부문에 가장 큰 원자재 공급업체입니다. 이는 또한 아시아 태평양 지역의 GaN 및 Sic 반도체 소자 시장 매출 성장에 간접적으로 유익한 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.

국내에서 전기 자동차 채택을 촉진하려는 정부의 노력이 증가함에 따라 유럽의 GaN 및 SiC 전력 시장은 놀라운 속도로 발전하고 있습니다. 예를 들어 독일 정부는 2021년 3월 전기차 충전 인프라에 자금을 제공하겠다고 밝혔습니다. 지역 시장에 참여하는 기업은 이러한 지원 노력의 혜택을 받게 되며, 이는 성장 가능성을 가속화하는 데 도움이 될 것입니다.

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분할

GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 산업 발전

• 2019년 3월 Alpha & Omega Semiconductor는 GAN 기술 플랫폼에서 AONV070V65G1 갈륨 질화물 장치의 출시를 발표했습니다. 이 새로운 장치에는 650V 및 45A 출력과 70mOhm Rds가 있습니다. 이 새로운 출시로 Power MOSFET 제품군이 완성되었습니다.
• 2019년 3월 ON Semiconductor는 NTHL080N120SC1 및 AEC-Q101 자동차 등급 NVHL080N120SC1 탄화규소(SiC) MOSFET 장치를 출시했습니다. 이 새로운 장치는 전기 자동차 온보드 충전기와 함께 사용하도록 특별히 고안되었습니다.