자기 저항성 RAM(MRAM) 시장 규모, 점유율 및 산업 분석, 제품 유형별(스핀 전달 토크 MRAM(STT-MRAM), 토글 MRAM), 애플리케이션별(소비자 전자 제품, 자동차, 로봇 공학, 항공 우주 및 방위, 엔터프라이즈 스토리지, 기타) 및 지역 예측(2025~2032년)

전 세계 자기 저항 램 시장 규모는 2024년 32억 3천만 달러로 평가되었습니다. 시장은 2025년 39억 8천만 달러에서 2032년까지 170억 2천만 달러로 성장하여 예측 기간 동안 CAGR 38.97%를 나타낼 것으로 예상됩니다.

MRAM(자기 저항 RAM)은 전자 스핀을 사용하여 정보를 저장하는 메모리 기술입니다. 다양한 기업과 연구자들이 차세대 MRAM 기술 개발에 투자하고 있으며, 이는 가까운 미래에 시장 성장을 촉진할 것으로 보입니다. 자기 저항성 RAM은 고온 환경에서 작동할 수 있으며 변조 방지 기능이 있습니다. 따라서 제조, 항공우주, 국방, 자동차, 군사 등의 산업에 매우 적합하며 수요가 급증할 가능성이 높습니다.

MRAM은 전력 효율적인 메모리 기술이며 특히 SRAM(Static Random Access Memory), DRAM(Dynamic Random Access Memory), 플래시 메모리 등을 대체할 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 더 빠르고, 전력 소모가 적으며, 데이터를 보관할 수 있습니다. 기존 기술보다 빠른 쓰기 및 읽기 기능은 자기 저항성 RAM 시장의 성장을 주도할 가능성이 높습니다. 특히 소비자 전자 기기, 웨어러블 기기, 스마트 기기 전반에 걸쳐 독립형 및 내장형 메모리에 대한 수요 증가가 시장을 주도할 것으로 예상됩니다. 마찬가지로 사물 인터넷, 인공 장치, 가상 및 증강 현실에 대한 수요 증가로 인해 MRAM 수요가 증가할 가능성이 높습니다.

주요 시장 동인 -

• Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth • Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

주요 시장 제한 요소 -

• High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

다루는 주요 플레이어:

글로벌 자기 저항 RAM(MRAM)의 주요 업체로는 Everspin Technologies, Inc., Intel Corporation, IBM Corporation, NVE Corporation, Qualcomm, Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., Toshiba Corporation, Spin Transfer Technologies, Crocus Nano Electronics LLC, Avalanche Technology, Inc., Honeywell International 등이 있습니다. 이들 회사는 광범위한 응용 분야에 대한 연구 개발에 집중하고 있습니다. 또한, 비즈니스 입지와 시장 점유율을 확대하기 위해 회사는 전략적 파트너십과 협업을 시작하고 있습니다. 주요 업체들은 또한 혁신적인 제품을 제공하고 새로운 임베디드 메모리 기술을 개발하는 것을 목표로 하고 있습니다.

지역분석

북미는 예측 기간 동안 지배적인 시장 점유율을 얻을 것으로 예상됩니다. 이 지역에서 지배적인 플레이어의 존재는 성장을 촉진하고 있습니다. 또한 인메모리 기술 연구개발에 대한 상당한 관심과 투자가 이 지역의 MRAM 수요를 주도하고 있습니다. 마찬가지로, 유럽은 지배적인 자동차 산업의 존재로 인해 상당한 성장을 얻을 것으로 예상됩니다. 온도 저항성과 효율적인 메모리 기술은 국내 자동차 산업에서 주목을 받고 있습니다. 이는 시장 성장을 견인할 것으로 보인다.

아시아 태평양 지역은 웨어러블 장치에 대한 제조 및 사용자 수요 증가로 인해 예측 기간 동안 급속한 성장을 이룰 것으로 보입니다. 선도적인 가전제품, 스마트 기기 및 기타 산업에서는 빠르고 고용량 메모리를 제공하기 위해 이 지역에서 MRAM 기술을 꾸준히 채택하고 있습니다. 이 지역에는 MRAM 수요를 주도할 것으로 예상되는 다양한 메모리 제조 기업이 포함되어 있습니다. 또한 인터넷 보급률 증가, 클라우드 배포, 5G 인프라 등이 자기 저항 RAM 시장 성장을 촉진할 것으로 예상됩니다. 마찬가지로, MRAM의 성능과 적용을 고려하면 중동, 아프리카, 남미 전역의 수요가 꾸준히 증가할 것으로 예상됩니다.

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 주요 산업 발전

• 2019년 2월 – Intel Corporation은 MRAM 생산 가용성을 발표했습니다. 이 회사는 MRAM STT(스핀 전달 토크)를 장치에 내장하는 세부 정보를 공유했습니다. 이 회사는 STT-MRAM을 개발하기 위해 2단계 전류 감지 기술과 "쓰기-검증-쓰기" 방식을 사용하고 있다고 발표했습니다.
• 2020년 3월:Everspin Technologies, Inc.는 지능형 컴퓨팅 제공업체인 Xilinx, Inc.와 협력하여 Xilinx의 DDR4 FPGA 컨트롤러를 갖춘 1Gb STT-MRAM에 대한 새로운 설계 가이드를 출시했습니다. 두 회사의 솔루션을 통합하면 운영 빈도 감소, 데이터 전송 효율성 등 다양한 이점을 얻을 수 있습니다.