Tamanho do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SiC), participação e análise da indústria, por tipo de produto (MOSFETs de SiC, diodos de SiC/SBDs e módulos de SiC), por classificação de tensão (até 650V, 650V-1200V, 1200V-1700V e acima de 1700V), por faixa de potência (baixa potência (50 kW)), por aplicação (automotivo, industrial, energia e Serviços públicos, aeroespacial e defesa e outros) e previsão regional, 2026 – 2034

O tamanho global do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SiC) foi avaliado em US$ 4,02 bilhões em 2025 e deve crescer de US$ 5,04 bilhões em 2026 para US$ 18,61 bilhões até 2034, exibindo um CAGR de 17,72% durante o período de previsão. A Ásia-Pacífico dominou o mercado global com uma participação de 33,58% em 2025.

O carboneto de silício é um bandgap largosemicondutormaterial com propriedades superiores em comparação ao silício tradicional, tornando-o altamente adequado para dispositivos eletrônicos de alto desempenho que operam sob condições extremas. Devido a essas propriedades exclusivas, os dispositivos de SiC são muito procurados para aplicações de alta potência, oferecendo maior eficiência e confiabilidade em ambientes agressivos.

Visão geral do mercado global de dispositivos de carboneto de silício (SiC)

Tamanho do mercado:

• Valor 2025:US$ 4,02 bilhões
• Valor 2026:US$ 5,04 bilhões
• Valor previsto para 2034:US$ 18,61 bilhões
• CAGR (2026–2034):17,72%

Quota de mercado:

• Líder Regional:A Ásia-Pacífico detinha a maior participação em 2023 devido ao forte investimento em veículos elétricos, energias renováveis ​​e infraestruturas de telecomunicações.
• Região de crescimento mais rápido:Espera-se também que a Ásia-Pacífico registre a maior taxa de crescimento durante o período de previsão.

Tendências da indústria:

• Os MOSFETs de SiC representaram a maior parcela em 2023, enquanto os Módulos de SiC deverão crescer no CAGR mais rápido.
• Os dispositivos na faixa de 650–1200 V lideraram o mercado em 2023, com previsão de expansão rápida dos dispositivos de 1200–1700 V para aplicações de alta tensão.
• Os dispositivos de média potência (1kW–50kW) dominaram em 2023, enquanto os dispositivos de alta potência (>50kW) estão preparados para o crescimento mais rápido à medida que o carregamento rápido de veículos elétricos e os sistemas de energia em grande escala se expandem.
• As aplicações industriais detinham a maior participação, enquanto o segmento automotivo deverá crescer no ritmo mais rápido devido à crescente adoção de VE.

Fatores determinantes:

• Demanda crescente por eletrônica de potência energeticamente eficiente em veículos elétricos, sistemas de energia renovável e aplicações industriais.
• Vantagens dos dispositivos SiC, incluindo maior eficiência, desempenho térmico e densidade de potência, impulsionando a adoção em inversores automotivos, carregadores e inversores renováveis.
• Expansão das redes 5G e dos sistemas eletrónicos de alta frequência, aumentando a necessidade de componentes de SiC.
• Investimentos significativos por parte dos principais fabricantes para dimensionar a produção de wafers e módulos de SiC globalmente.

O uso crescente de dispositivos de carboneto de silício (SiC) em eletrônica de potência, juntamente com as diversas aplicações fornecidas por dispositivos semicondutores de SiC na infraestrutura de carregamento de veículos elétricos, está alimentando a expansão do mercado.

• Por exemplo, a Audi está incorporando inversores de semicondutores SiC em seus modelos de veículos elétricos, aumentando a eficiência do veículo em quase 60% e, ao mesmo tempo, melhorando a confiabilidade. A Audi está atualmente fornecendo esses inversores refrigerados a água em seus modelos, que se destacam especialmente em condições de carga parcial.

O declínio geral no poder de compra do consumidor durante a pandemia COVID-19 resultou numa menor procura por vários produtos tecnológicos, impactando negativamente o mercado de dispositivos semicondutores de carboneto de silício (SiC). Além disso, a disparidade entre a procura e a oferta de dispositivos semicondutores de SiC criou uma lacuna na indústria de semicondutores.

IMPACTO DA IA GERATIVA

Aumento da demanda por IA generativa para desenvolver dispositivos SiC personalizados para impulsionar o crescimento do mercado

O impacto da IA ​​generativa na indústria de dispositivos de carboneto de silício (SiC) é multifacetado, impulsionando melhorias no design, na fabricação e na dinâmica do mercado. A Gen AI pode auxiliar na customização de produtos SiC para atender às necessidades específicas de clientes em diversos setores. Ao aproveitar técnicas de design generativo, a IA pode criar componentes de SiC personalizados que atendam a requisitos operacionais específicos, especialmente para uso automotivo, energético ou industrial. Essa personalização pode levar a uma abordagem mais personalizada e eficiente para fabricantes e consumidores.

Na eletrônica de potência, os dispositivos SiC, como diodos, MOSFETs e IGBTs, desempenham um papel crucial na melhoria da eficiência dos sistemas de conversão de energia. A IA generativa pode ser usada para projetar módulos de energia mais eficientes, simulando interações elétricas, térmicas e mecânicas em vários ambientes operacionais. Isso acelera o tempo de lançamento no mercado de dispositivos eletrônicos de potência, ao mesmo tempo que reduz o risco de falhas de projeto.

Por isso,IA generativapretende desempenhar um papel transformador na indústria de SiC, acelerando a pesquisa e o desenvolvimento, otimizando a produção, melhorando a confiabilidade do produto e fornecendo insights mais profundos sobre as tendências do mercado.

TENDÊNCIAS DE MERCADO DE DISPOSITIVOS DE CARBONETO DE SILÍCIO (SiC)

Aumento da adoção de dispositivos SiC na tecnologia 5G para impulsionar o crescimento do mercado

Espera-se que a rede sem fio 5G revolucione os sistemas de comunicação em todo o mundo, oferecendo velocidades de dados significativamente mais rápidas, latência ultrabaixa e conexões mais confiáveis ​​em comparação com as gerações anteriores.

O advento da tecnologia 5G resultou numa procura crescente por componentes eletrónicos de alto desempenho, capazes de operar em frequências mais elevadas. Os semicondutores de carboneto de silício (SiC) são particularmente adequados para uso em estações base 5G e outros sistemas de comunicação de alta velocidade devido à sua capacidade de funcionar eficazmente em frequências e temperaturas mais altas.

DINÂMICA DE MERCADO

Drivers de mercado

Aumento na demanda por eletrônica de potência eficiente para impulsionar o crescimento do mercado

A eletrônica de potência é crucial para converter e controlar a energia elétrica em VEs, incluindo inversores, carregadores e sistemas de controle de motores. A eletrónica de potência nos VE (inversores, carregadores, etc.) representa cerca de 10% a 15% do custo total de um VE. Esses sistemas convertem CC de alta tensão (corrente contínua) dobateriapara CA (corrente alternada) para o motor e gerencia o fluxo de energia durante o carregamento. À medida que a adoção de VE acelera, aumenta a procura por sistemas eletrónicos de potência eficientes e fiáveis.

A transição global para energias renováveis, juntamente com os avanços nas tecnologias de armazenamento de energia, é outro factor significativo que impulsiona a procura de electrónica de potência. A eletrônica de potência é usada em inversores de turbinas eólicas, inversores solares e sistemas de armazenamento de energia para gerenciar a conversão, regulação e distribuição de energia elétrica.

• Por exemplo,de acordo com a Agência Internacional de Energia Renovável (IRENA), a capacidade de energia renovável deverá crescer 7,8% anualmente até 2032. Até 2030, a energia solar e a eólica representariam mais de 70% da geração total de energia global, impulsionando uma maior procura de dispositivos electrónicos de potência em inversores solares, controladores de turbinas eólicas e equipamentos de ligação à rede.

Restrições de mercado

Desafios complexos de integração podem limitar o uso de dispositivos SiC entre empresas

Muitas indústrias que poderiam se beneficiar de dispositivos baseados em SiC ainda dependem de sistemas legados baseados em sistemas tradicionais.silíciocomponentes, dificultando a integração com a infra-estrutura existente. A atualização de sistemas existentes (por exemplo, redes elétricas, motores industriais e grupos motopropulsores automotivos) para incorporar dispositivos de SiC requer um investimento significativo em novos equipamentos, e o processo de modernização pode ser tecnicamente complexo. O elevado custo inicial de substituição ou modernização de infra-estruturas pode ser um obstáculo à adopção do SiC, especialmente em instalações industriais mais antigas ou em sectores com despesas de capital limitadas para novas tecnologias.

Oportunidades de mercado

Avanços crescentes em veículos automotivos e elétricos (EVs) para criar novas oportunidades de mercado

À medida que a indústria automóvel evolui para tecnologias mais eficientes em termos energéticos, de alto desempenho e amigas do ambiente, o SiC está a emergir como um facilitador chave devido às suas características superiores em comparação com os semicondutores tradicionais à base de silício. O avanço das tecnologias automotivas, especialmente dos veículos elétricos, está criando oportunidades de mercado substanciais para os participantes do SiC, impulsionados pela necessidade de melhor conversão de energia, eficiência e confiabilidade.

Os veículos elétricos requerem sistemas eletrônicos de potência que possam gerenciar com eficiência a energia entre a bateria, o motor e outros componentes do veículo. O carboneto de silício está sendo adotado em módulos de potência para inversores, carregadores integrados e conversores CC-CC devido à sua condutividade térmica superior, alta frequência de comutação e eficiência em altas tensões. Portanto, os avanços nos veículos automotivos e elétricos estão criando novas oportunidades para os participantes do mercado.

• Por exemplo,em outubro de 2022,A Jaguar Land Rover fez parceria com a Wolfspeed, Inc. para fornecer semicondutores de carboneto de silício (SiC) para futuros veículos elétricos. Esta colaboração é crucial para melhorar a eficiência do trem de força e aumentar a autonomia.

ANÁLISE DE SEGMENTAÇÃO

Por tipo de produto

SiC MOSFETs liderados devido ao seu uso crescente em vários setores

O mercado é segmentado em SiC MOSFETs, SiC Diodes/SBDs e SiC Modules com base no tipo de produto.

Os MOSFETs de SiC detinham a maior participação de mercado, 40,59% em 2026, à medida que inúmeras empresas estão lançando MOSFETs de carboneto de silício para capitalizar um potencial aumento na demanda em vários setores. Por exemplo, em agosto de 2022, a Toshiba Corporation lançou seus MOSFETs de carboneto de silício de terceira geração de 650 V e 1200 V, que alcançaram uma redução de 20% nas perdas de comutação para máquinas industriais. A ampla gama de vantagens proporcionadas pelos transistores MOSFET impulsionou o crescimento do segmento nos últimos anos.

Espera-se que o segmento de módulos SiC cresça com o maior CAGR durante o período de previsão. Os módulos de potência de carboneto de silício permitem o uso de carboneto de silício como um interruptor para conversão de energia e são amplamente utilizados nos setores de mobilidade elétrica, industrial e de energia. Eles melhoram a eficiência energética e reduzem as despesas operacionais.

• Por exemplo, em janeiro de 2024,A United Nova Technology, fabricante chinesa de chips e módulos automotivos, anunciou que assinou um acordo com a Nio, fabricante automotiva, para a produção de módulos de carboneto de silício (SiC).

Por classificação de tensão

A crescente necessidade de energia de alta tensão entre diversas aplicações industriais e automotivas impulsiona o crescimento de 1200V-1700V

O mercado é dividido em até 650V, 650V–1200V, 1200V–1700V e acima de 1700V com base na classificação de tensão.

O segmento 1200V–1700V deverá crescer com o maior CAGR durante o período de previsão. Diferentes aplicações industriais, como infraestrutura de carregamento, acionamentos de motores e energia fotovoltaica, utilizam dispositivos SiC de 1200 V. Os dispositivos SiC com classificação de 1700 V concentram-se principalmente nos setores industrial, de transporte e de energia, respondendo por um volume geral menor. Por exemplo,

• Em março de 2024,A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation iniciou a produção em massa de seu módulo MOSFET de carboneto de silício (SiC) de terceira geração, o “MG250V2YMS3”, que apresenta uma classificação de tensão de 1700 V e uma classificação de corrente de drenagem (CC) de 250 A para uso em equipamentos industriais, ampliando sua linha de produtos.

O segmento 650V–1200V dominou a participação de mercado global de 37,08% em 2026. Esses dispositivos SiC, classificados entre 650V - 1200V, atendem efetivamente ao segmento de menor consumo de energia que já foi dominado pelo silício. Hoje em dia, a tecnologia SiC é uma opção genuína para aplicações de 650 V e superiores, fornecendo alta potência, frequências de comutação moderadas a altas e desempenho confiável em condições de temperatura elevada.

Por faixa de potência

Segmento de potência média (1 kW–50 kW) dominado devido às suas propriedades únicas de material

Com base na faixa de potência, o mercado é trifurcado em baixa potência (<1 kW), média potência (1 kW–50 kW) e alta potência (>50 kW).

O segmento de potência média (1 kW – 50 kW) detinha a maior participação no mercado global de 42,52% em 2026. O carboneto de silício é visto como um substituto promissor para o silício devido às suas propriedades únicas de material, como alta condutividade térmica, estabilidade térmica e mecânica, dureza, inércia química e outras, o que impulsiona seu uso em aplicações de potência média (1 kW – 50 kW). As principais aplicações para dispositivos semicondutores de carboneto de silício incluem carregadores integrados, veículo elétricocarregadores de bateria, sistemas de recuperação de energia, motores de veículos elétricos híbridos, conversores DC-DC, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação de ressonância magnética, turbinas eólicas, unidades de ar condicionado, fontes de alimentação auxiliares, fontes de alimentação de raios X, sistemas integrados de veículos e distribuição de energia.

O segmento de alta potência (>50 kW) está crescendo com o maior CAGR durante o período de previsão. Componentes discretos são usados ​​para carregadores <30kW, enquanto módulos SiC são mais adequados para carregamento de módulos >50kW. A partir de 2022, os carregadores CC comerciais de alta potência podem operar a 270 quilowatts (kW) e deverão atingir 350 kW nos próximos anos. Espera-se que esses fatores contribuam para o crescimento do segmento nos próximos anos.

Por aplicativo

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Segmento Industrial lidera devido à forte adoção de dispositivos SiC

Com base na aplicação, o mercado é categorizado em automotivo, industrial, energia e utilidades, aeroespacial e defesa, entre outros.

O segmento industrial é responsável pela maior participação de mercado, 30,26% em 2026. O setor industrial está aproveitando as propriedades excepcionais do SiC por meio da automação e da robótica. A resistência do material a temperaturas elevadas e sua capacidade de bom desempenho sob estresse elétrico garantem que o equipamento funcione de forma mais confiável e com maior precisão. Isso resulta em maior produtividade e menores despesas de manutenção.

Projeta-se que o segmento automotivo cresça com o maior CAGR durante o período de previsão. Isto pode ser atribuído ao uso crescente de semicondutores SiC em veículos elétricos e automóveis de combustão interna. Em 2024, os veículos movidos por sistemas elétricos de bateria de 400 V, como os modelos Tesla, representavam a maior demanda por dispositivos SiC. O lançamento de mais veículos elétricos com bateria de 800 V por fabricantes de equipamentos originais (OEMs) está acelerando o crescimento do segmento. Por exemplo,

• Em setembro de 2024,A STMicroelectronics lançou sua tecnologia MOSFET de quarta geração STPOWER de carboneto de silício (SiC). Este mais recente SiC MOSFET é oferecido em variantes de 750 V e 1200 V e melhora a eficiência energética e o desempenho para inversores de tração de ônibus de veículos elétricos de 400 V e 800 V. A empresa revelou inovações adicionais em tecnologia avançada de SiC até 2027 como parte de sua dedicação à inovação.

PERSPECTIVAS REGIONAIS DO MERCADO DE DISPOSITIVOS DE CARBONETO DE SILÍCIO (SiC)

O mercado é estudado geograficamente na América do Norte, América do Sul, Europa, Oriente Médio e África e Ásia-Pacífico, e cada região é estudada posteriormente entre os países.

Ásia-Pacífico

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A Ásia-Pacífico dominou a participação de mercado global de dispositivos de carboneto de silício (SiC) em 2023. A Ásia-Pacífico dominou o mercado com uma avaliação de US$ 1,35 bilhão em 2025 e US$ 1,72 bilhão em 2026. O crescimento da região se deve principalmente aos setores em constante evolução, como automotivo, governamental, energia e energia, e manufatura. A indústria de semicondutores está a registar uma procura crescente, o que leva os países da Ásia-Pacífico a intensificarem os seus esforços em investigação e desenvolvimento. Por exemplo, durante o primeiro semestre de 2024, a China investiu substanciais 24,73 mil milhões de dólares na aquisição de máquinas para a produção de chips, de acordo com dados da SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International). O mercado do Japão deverá atingir 0,38 mil milhões de dólares até 2026, o mercado da China deverá atingir 0,52 mil milhões de dólares até 2026 e o ​​mercado da Índia deverá atingir 0,21 mil milhões de dólares até 2026.

• Em 2025, a ROHM Co., Ltd. uniu forças com a Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation para produzir e aumentar o volume de dispositivos de energia, com a assistência do Ministério da Economia, Comércio e Indústria, em linha com o objectivo do governo japonês de garantir um fornecimento fiável e estável de semicondutores. Tanto a ROHM quanto a Toshiba fizeram investimentos significativos em dispositivos de energia de carboneto de silício (SiC) e silício (Si), o que melhorou suas capacidades de fabricação e permitiu que aproveitassem os recursos de produção um do outro.

Assim, os cenários mencionados anteriormente provavelmente impulsionarão ainda mais a demanda por dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) nos próximos anos.

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Espera-se que a indústria de dispositivos de carboneto de silício (SiC) na China experimente uma forte taxa de crescimento durante o período de previsão. De acordo com especialistas do setor, mais de 50 iniciativas de expansão relacionadas ao SiC foram lançadas na China em 2023, com investimentos totais ultrapassando ~12,70 bilhões de dólares. Em 2024, prevê-se que mais de 100 empresas na China se aventurem na indústria do SiC e que mais de 50 projetos de SiC apresentem avanços consideráveis.

• Em dezembro de 2024,Os EUA anunciaram uma extensão das suas sanções comerciais à China para incluir carboneto de silício e dispositivos semicondutores legados que utilizam tecnologia mais antiga. Isto abrange dispositivos de carboneto de silício (SiC), que, juntamente com a ênfase na cadeia de fornecimento de semicondutores dos EUA, são vistos como uma estratégia para proteger empresas como a Wolfspeed e a Microchip Technologies que enfrentaram desafios, ao mesmo tempo que apoiam as instalações de SiC da Bosch na Califórnia.

América do Norte

A América do Norte detinha a segunda maior participação de mercado em 2023. O foco da região na redução de emissões e na promoção da mobilidade elétrica apoia a demanda por dispositivos de carboneto de silício (SiC). Incentivos governamentais, marcos regulatórios e a presença dos principais fabricantes automotivos contribuem para o crescimento do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SiC) na região. Além disso, os avanços na tecnologia SiC e o aumento dos investimentos em pesquisa e desenvolvimento impulsionam ainda mais a expansão do mercado. O mercado dos EUA deverá atingir US$ 0,83 bilhão até 2026.

• Por exemplo, emdezembro de 2024,O Departamento de Comércio celebrou um memorando de entendimento preliminar com a Bosch para propor financiamento de US$ 225 milhões para a expansão da fábrica de SiC da empresa localizada em Roseville, Califórnia. De acordo com o acordo, os EUA ajudariam o investimento da Bosch de 1,9 mil milhões de dólares para atualizar a sua fábrica de SiC ao abrigo da Lei CHIPS e da Ciência, permitindo à empresa fabricar chips em wafers de 200 mm em 2026.

O mercado de dispositivos de carboneto de silício (SiC) nos EUA apresentou a maior participação de mercado em 2023 na América do Norte. Os governos e organizações do país estão a estabelecer objectivos ambiciosos de eficiência energética. Os EUA comprometeram-se com uma redução de 50% nas emissões de gases com efeito de estufa até 2030. Estes objectivos estão a impulsionar a necessidade de electrónica de potência avançada que possa proporcionar elevada eficiência em aplicações como armazenamento de energia,energia renovávelintegração e mobilidade elétrica.

Europa

Espera-se que a Europa capture a robusta participação de mercado durante o período de previsão. O mercado de semicondutores da região está a beneficiar da crescente digitalização das indústrias e da crescente necessidade de dispositivos eletrónicos. Para acompanhar a demanda por eletrônicos avançados, as empresas estão investindo em novas tecnologias e ampliando sua capacidade de produção. O mercado do Reino Unido deverá atingir 0,22 mil milhões de dólares até 2026, enquanto o mercado alemão deverá atingir 0,24 mil milhões de dólares até 2026.

A Lei dos Chips da UE, anunciada em fevereiro de 2022 e operacional desde setembro de 2023, fornece ajuda financeira direcionada de até 43 mil milhões de dólares à indústria de semicondutores na Europa. Estes incentivos destinam-se a reforçar as capacidades de produção inicial da UE e a incentivar investimentos em investigação e desenvolvimento em tecnologias de próxima geração.

Oriente Médio e África

Os países do Médio Oriente e de África, como os EAU e a Arábia Saudita, estão a crescer com uma CAGR moderada, com o aumento da digitalização e das iniciativas governamentais. A cadeia de abastecimento concentrada levou a Arábia Saudita a investir significativamente no estabelecimento de capacidades locais de produção de semicondutores como parte da sua iniciativa Visão 2030. Atualmente, Taiwan ocupa a primeira posição, com 46% da capacidade global de fundição de semicondutores, seguida pela China, Coreia do Sul, EUA e Japão. Esta cadeia de abastecimento concentrada levou a Arábia Saudita a fazer investimentos substanciais em capacidades locais de produção de semicondutores no âmbito da sua iniciativa Visão 2030.

Ámérica do Sul

É provável que o mercado sul-americano registre um CAGR modesto durante o período de previsão. A globalização da indústria microeletrónica e a localização das capacidades de produção estão a criar novas oportunidades na região. Essa tendência está criando novas perspectivas para as empresas de manufatura e cadeia de suprimentos de eletrônicos no mercado sul-americano. Como resultado, novos investimentos estão sendo feitos na fabricação front-end e back-end por fabricantes de dispositivos como a Unitec Blue na Argentina, a Unitec Semiconductor e a CEITEC no Brasil.

CENÁRIO COMPETITIVO

Principais participantes da indústria

Principais participantes se concentram no lançamento de novos produtos para atender a requisitos específicos de energia

Os principais players do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SiC), incluindo STMicroelectronics, Infineon Technologies AG, Onsemi, Wolfspeed, ROHM Semiconductors e outros, estão se concentrando no lançamento de novos produtos adaptados para atender às necessidades específicas de conversão de energia, carregamento rápido e maior eficiência operacional. Além disso, estas empresas formaram colaborações para combinar a sua experiência e recursos únicos nas áreas de semicondutores e sistemas de gestão de baterias. Estas parcerias visam muitas vezes a criação de soluções inovadoras para veículos elétricos, aumentando a eficiência tanto na utilização como nas funcionalidades.

• Por exemplo,em setembro de 2022,A ON SEMICONDUCTOR CORPORATION (on semi) ampliou suas operações para a República Tcheca com a abertura de sua fábrica aprimorada de fabricação de carboneto de silício. A instalação atualizada deverá aumentar a produção de wafers da Onsemi em 16 vezes nos próximos dois anos e atender à crescente demanda por microchips.

Principais players no mercado de dispositivos de carboneto de silício (SiC)

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O mercado global de dispositivos de carboneto de silício (SiC) é caracterizado por uma concorrência saudável, com os 5 principais players respondendo por cerca de 55% - 60% da participação de mercado. A mudança para veículos eléctricos mais acessíveis e as alterações subsequentes na procura de dispositivos eléctricos provavelmente impulsionarão fusões, parcerias e aquisições. Prevê-se que a consolidação do mercado influencie substancialmente a cadeia de abastecimento.

Os principais fabricantes de wafers de SiC estão enfrentando uma rivalidade cada vez maior com concorrentes menores que usam táticas de preços competitivos. À medida que a China intensifica as suas iniciativas para melhorar as suas capacidades de produção de dispositivos de energia domésticos, as empresas na Europa, nos EUA e no Japão enfrentam uma concorrência crescente.

Lista dos principais dispositivos de carboneto de silício (SiC) Empresas estudadas:

• STMicroeletrônica(NÓS.)
• Infineon Technologies AG (Alemanha)
• Wolfspeed, Inc.(NÓS.)
• ROHM Co., Ltd. (Japão)
• Semiconductor Components Industries, LLC (onsemi) (EUA)
• Corporação Elétrica Mitsubishi(Japão)
• (Japão)
• Tecnologia Microchip Inc.(NÓS.)
• NXP Semiconductors (Holanda)
• Coherent Corp. (EUA)
• Diodes Inc. (EUA)
• GeneSiC Semiconductor (EUA)
• Allegro MicroSystems, LLC (EUA)
• Renesas Electronics Corporation (Japão)
• TT Electronics Plc (Reino Unido)
• Vishay Intertechnology, Inc.
• DENSO Corporation (Japão)
• BÁSiC Semiconductor Co., Ltd. (China)
• Alpha & Omega Semiconductor (EUA)

..e mais

PRINCIPAIS DESENVOLVIMENTOS DA INDÚSTRIA

• Dezembro de 2024:A STMicroelectronics firmou uma parceria estratégica com a Ampere, com início previsto para 2026. Esta parceria abrange um contrato plurianual entre o Grupo Renault e a STMicroelectronics para o fornecimento de módulos de potência de carboneto de silício (SiC). Esses módulos serão essenciais na criação de uma caixa de energia para o inversor que facilitará o trem de força elétrico altamente eficiente da Ampere.
• Dezembro de 2024:Onsemi anunciou a aquisição da divisão de tecnologia Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor (SiC JFET), que inclui a subsidiária United Silicon Carbide, da Qorvo. Esta aquisição aprimorará o portfólio de energia EliteSiC da Onsemi e ajudará a atender à crescente demanda por alta densidade de potência e eficiência energética em data centers de IA.
• Novembro de 2024:A ROHM adquiriu uma planta japonesa de fronteira solar situada no Japão, anteriormente conhecida como planta Kunitomi. A planta é operada por uma subsidiária do Grupo ROHM, LAPIS Semiconductor, como sua planta Miyazaki No.2.
• Novembro de 2024:A Infineon Technologies colaborou com a Stellantis para estabelecer um Power Lab conjunto. Este laboratório tem como objetivo definir uma energia inteligente e uma arquitetura escalável de próxima geração que suporte o veículo definido por software da Stellantis.
• Setembro de 2024:A Wolfspeed introduziu um módulo de carboneto de silício para transformar os setores de armazenamento de energia, energia renovável e carregamento rápido de alta capacidade, aumentando a durabilidade, a eficiência da escalabilidade e a confiabilidade.

ANÁLISE DE INVESTIMENTO E OPORTUNIDADES

Os governos de todo o mundo estão a oferecer financiamento e incentivos para o progresso das tecnologias EV e para o desenvolvimento de produtos sustentáveis. Essas iniciativas impulsionam investimentos na construção e desenvolvimento de semicondutores de potência acionados por SiC. Por exemplo,

• Em outubro de 2024,a administração Biden-Harris declarou que a Wolfspeed e o Departamento de Comércio dos EUA, Inc. contrataram um PMT (Memorando Preliminar de Termos) não vinculativo de até 750 milhões de dólares em financiamento direto planejado sob o CHIPS and Science Act. O financiamento planejado ajudaria na construção da nova unidade de fabricação de wafers de carboneto de silício em Siler City, Carolina do Norte. Ajuda a garantir um fornecimento nacional consistente de semicondutores que reforçará o progresso iminente da economia energética.

COBERTURA DO RELATÓRIO

O relatório de pesquisa de mercado fornece uma análise detalhada do mercado. Ele se concentra em pontos-chave, como empresas líderes, ofertas e aplicações. Além disso, o relatório oferece uma compreensão das últimas tendências do mercado e destaca os principais desenvolvimentos do setor. Além dos fatores acima mencionados, o relatório contém diversos fatores que contribuíram para o crescimento do mercado nos últimos anos.

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