"Eletrificando seu caminho para o sucesso através de uma pesquisa de mercado aprofundada"

Silicon Carbide (SiC) Devices Market Size, Share & Industry Analysis, By Product Type (SiC MOSFETs, SiC Diodes/SBDs, and SiC Modules), By Voltage Rating (Up to 650V, 650V–1200V, 1200V–1700V, and Above 1700V), By Power Range (Low Power (50 kW)), By Application (Automotive, Industrial, Energy & Utilities, Aerospace & Defesa e outros) e previsão regional, 2024 - 2032

Última atualização: November 24, 2025 | Formatar: PDF | ID do relatório: FBI112103

 

PRINCIPAIS INFORMAÇÕES DE MERCADO

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O tamanho do mercado global de dispositivos de carboneto de silício (SIC) foi avaliado em US $ 2,59 bilhões em 2023. O mercado deve crescer de US $ 3,21 bilhões em 2024 a US $ 21,27 bilhões em 2032, exibindo um CAGR de 26,7% durante o período de previsão.

O carboneto de silício é um banda largasemicondutorMaterial com propriedades superiores em comparação com o silício tradicional, tornando-o altamente adequado para dispositivos eletrônicos de alto desempenho que operam em condições extremas. Devido a essas propriedades exclusivas, os dispositivos SiC são muito procurados para aplicações de alta potência, oferecendo maior eficiência e confiabilidade em ambientes severos.

Visão geral do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SIC) (SIC)

Tamanho do mercado:

  • 2023 Valor:USD2.59BILION
  • 2024 Valor:US $ 3,21 bilhões
  • 2032 Valor de previsão:USD21.27Billion
  • CAGR (2024-2032):26,7%

Quota de mercado:

  • Líder regional:A Ásia -Pacífico manteve a maior participação em 2023 devido a um forte investimento em VEs, energia renovável e infraestrutura de telecomunicações.
  • Região de crescimento mais rápido:A Ásia -Pacífico também deve registrar a maior taxa de crescimento durante o período de previsão.

Tendências da indústria:

  • O SIC MOSFETS foi responsável pela maior participação em 2023, enquanto os módulos SiC são projetados para crescer no CAGR mais rápido.
  • Os dispositivos na faixa de 650-1200V lideraram o mercado em 2023, com os dispositivos de 1200-1700V esperados para expandir rapidamente para aplicações de alta tensão.
  • Os dispositivos de potência média (1kW -50KW) dominavam em 2023, enquanto os dispositivos de alta potência (> 50kW) estão definidos para o crescimento mais rápido à medida que os sistemas de carga rápida e de grande escala se expandem.
  • As aplicações industriais mantiveram a maior participação, enquanto o segmento automotivo deve crescer na taxa mais rápida devido à crescente adoção de EV.

Fatores determinantes:

  • A crescente demanda por eletrônicos de energia com eficiência energética em VEs, sistemas de energia renovável e aplicações industriais.
  • Vantagens dos dispositivos SiC, incluindo maior eficiência, desempenho térmico e densidade de energia, impulsionando a adoção em inversores automotivos, carregadores e inversores renováveis.
  • Expansão de redes 5G e sistemas eletrônicos de alta frequência, aumentando a necessidade de componentes do SIC.
  • Investimentos significativos pelos principais fabricantes a escalar a bolsa SiC e a produção de módulos globalmente.

O crescente uso de dispositivos de carboneto de silício (SIC) em eletrônicos de energia, juntamente com as várias aplicações fornecidas pelos dispositivos semicondutores do SIC na infraestrutura de carregamento de veículos elétricos, está alimentando a expansão do mercado.

  • Por exemplo, a Audi está incorporando inversores de semicondutores do SIC em seus modelos de veículos elétricos, aumentando a eficiência do veículo em quase 60%, além de aumentar a confiabilidade. A Audi está atualmente fornecendo esses inversores refrigerados a água em seus modelos, que se destacam especialmente sob condições de carga parcial.

O declínio geral no poder de compra do consumidor durante a pandemia Covid-19 resultou em menor demanda por vários produtos de tecnologia, impactando negativamente o mercado para dispositivos semicondutores de carboneto de silício (SIC). Além disso, a disparidade entre a demanda e a oferta de dispositivos de semicondutores do SiC criou uma lacuna na indústria de semicondutores.

Impacto da IA generativa

Aumente a demanda por IA generativa para desenvolver dispositivos SIC personalizados para impulsionar o crescimento do mercado

O impacto da IA generativa na indústria de dispositivos de carboneto de silício (SIC) é multifacetado, impulsionando melhorias no design, fabricação e dinâmica do mercado. A Gen AI pode ajudar na personalização de produtos SiC para atender às necessidades específicas dos clientes em vários setores. Ao alavancar técnicas de design generativas, a IA pode criar componentes SIC sob medida que atendem a requisitos operacionais específicos, especialmente para usos automotivos, de energia ou industrial. Essa personalização pode levar a uma abordagem mais personalizada e eficiente para fabricantes e consumidores.

Na eletrônica de potência, dispositivos SiC, como diodos, MOSFETs e IGBTs, desempenham um papel crucial na melhoria da eficiência dos sistemas de conversão de energia. A IA generativa pode ser usada para projetar módulos de energia mais eficientes, simulando interações elétricas, térmicas e mecânicas em vários ambientes operacionais. Isso acelera o tempo até o mercado para dispositivos eletrônicos de energia, reduzindo o risco de falhas de design.

Por isso,AI generativaPossui desempenhar um papel transformador na indústria da SIC, acelerando a pesquisa e o desenvolvimento, otimizando a produção, aumentando a confiabilidade do produto e fornecendo informações mais profundas sobre as tendências do mercado.

Tendências do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SIC)

Aumentando a adoção de dispositivos SIC na tecnologia 5G para aumentar o crescimento do mercado

A rede sem fio 5G deve revolucionar os sistemas de comunicação em todo o mundo, oferecendo velocidades de dados significativamente mais rápidas, latência ultra baixa e conexões mais confiáveis em comparação com as gerações anteriores.

O advento da tecnologia 5G resultou em uma demanda crescente por componentes eletrônicos de alto desempenho capazes de operar em frequências mais altas. Os semicondutores de carboneto de silício (SIC) são particularmente adequados para uso em estações base 5G e outros sistemas de comunicação de alta velocidade devido à sua capacidade de executar efetivamente em frequências e temperaturas mais altas.

Dinâmica de mercado

Motoristas de mercado

Surto na demanda por eletrônicos de energia eficiente para impulsionar o crescimento do mercado

Os eletrônicos de potência são cruciais para converter e controlar a energia elétrica nos VEs, incluindo inversores, carregadores e sistemas de controle de motor. Os eletrônicos de energia em VEs (inversores, carregadores etc.) representam cerca de 10% a 15% do custo total de um EV. Esses sistemas convertem DC de alta tensão (corrente direta) dobateriapara CA (corrente alternada) para o motor e gerenciar o fluxo de energia durante o carregamento. À medida que a adoção de VE acelera, a demanda por sistemas eletrônicos de energia eficiente e confiável aumenta.

A transição global para energia renovável, juntamente com os avanços nas tecnologias de armazenamento de energia, é outro fator significativo que impulsiona a demanda por eletrônicos de energia. Os eletrônicos de potência são usados em inversores de turbinas eólicas, inversores solares e sistemas de armazenamento de energia para gerenciar a conversão, regulação e distribuição da energia elétrica.

  • Por exemplo,De acordo com a Agência Internacional de Energia Renovável (IRENA), espera -se que a capacidade de energia renovável cresça 7,8% anualmente até 2032. Até 2030, a energia solar e o vento representariam mais de 70% da geração total de energia global, impulsionando maior demanda por dispositivos eletrônicos de energia em inversores solares, controladores de turbinas eólicas e equipamentos de conexão de grade.

Restrições de mercado

Desafios complexos de integração podem limitar o uso de dispositivos SIC entre empresas

Muitas indústrias que podem se beneficiar de dispositivos baseados em SIC ainda confiam em sistemas herdados com base no tradicionalsilícioComponentes, dificultando a integração com a infraestrutura existente. A atualização de sistemas existentes (por exemplo, grades elétricas, motores industriais e trens de força automotivos) para incorporar dispositivos SiC requer investimento significativo em novos equipamentos, e o processo de retrofit pode ser tecnicamente complexo. O alto custo inicial de substituição ou adaptação da infraestrutura pode ser uma barreira à adoção do SIC, especialmente em plantas ou setores industriais mais antigos com despesas de capital limitadas para novas tecnologias.

Oportunidades de mercado

Aumentando avanços em veículos automotivos e elétricos (VEs) para criar novas oportunidades de mercado

À medida que a indústria automotiva muda para tecnologias mais eficientes em termos de energia, de alto desempenho e ambientalmente amigáveis, o SIC está emergindo como um facilitador-chave devido às suas características superiores em comparação com os semicondutores tradicionais à base de silício. O avanço das tecnologias automotivas, especialmente veículos elétricos, está criando oportunidades substanciais de mercado para players do SIC, impulsionados pela necessidade de melhorar a conversão de energia, a eficiência e a confiabilidade.

Os veículos elétricos requerem sistemas eletrônicos de potência que podem gerenciar com eficiência energia entre a bateria, o motor e outros componentes do veículo. O carboneto de silício está sendo adotado em módulos de energia para inversores, carregadores a bordo e conversores DC-DC devido à sua condutividade térmica superior, frequência de alta comutação e eficiência em altas tensões. Portanto, os avanços em veículos automotivos e elétricos estão criando novas oportunidades para os participantes do mercado.

  • Por exemplo,Em outubro de 2022,A Jaguar Land Rover fez uma parceria com a Wolfspeed, Inc. para fornecer semicondutores de carboneto de silício (SIC) para futuros veículos elétricos. Essa colaboração é crucial para aumentar a eficiência do trem de força e aumentar o driving range.

Análise de segmentação

Por tipo de produto

O SIC MOSFETS liderou devido ao seu crescente uso em vários setores

O mercado é segmentado em MOSFETs SIC, Diodos SiC/SBDs e módulos SiC com base no tipo de produto.

Os MOSFETs da SIC detinham a maior participação de mercado em 2023, pois inúmeras empresas estão lançando MOSFETs de carboneto de silício para capitalizar um potencial aumento na demanda em vários setores. Por exemplo, em agosto de 2022, a Toshiba Corporation lançou seus MOSFETs de carboneto de silício de 650V e 1200V de terceira geração, que alcançaram uma redução de 20% nas perdas de comutação para máquinas industriais. A ampla gama de vantagens fornecidas pelos transistores MOSFET impulsionou o crescimento do segmento nos últimos anos.

O segmento de módulos SIC deve crescer com o maior CAGR durante o período de previsão. Os módulos de potência do carboneto de silício permitem o uso do carboneto de silício como um interruptor para conversão de energia e são amplamente utilizados nos setores de mobilidade eletrônica, industrial e energia. Eles aumentam a eficiência energética e diminuem as despesas operacionais.

  • Por exemplo, em janeiro de 2024,A United Nova Technology, uma fabricante chinesa de chips automotivos e módulos, anunciou que havia assinado um acordo com a NIO, um fabricante automotivo, para a produção de módulos de carboneto de silício (SIC).

Por classificação de tensão

A crescente necessidade de energia de alta tensão entre várias aplicações industriais e automotivas conduz o crescimento para 1200V-1700V

O mercado é dividido em até 650V, 650V - 1200V, 1200V - 1700V e acima de 1700V com base na classificação de tensão.

O segmento de 1200V - 1700V deve crescer com o CAGR mais alto durante o período de previsão. Diferentes aplicações industriais, como infraestrutura de carregamento, acionamentos motores e fotovoltaicos, usam dispositivos SiC de 1200 V. Os dispositivos SIC com uma classificação de 1700 V focados principalmente nos setores industrial, de transporte e energia, representando um volume geral menor. Por exemplo,

  • Em março de 2024,A Toshiba Electronic Dispositices & Storage Corporation iniciou a produção em massa de seu módulo MOSFET de carboneto de silício de terceira geração (SIC), o “MG250V2YMS3”, que apresenta uma classificação de tensão de 1700 V e uma classificação de corrente de drenagem (DC) de 250 a para uso em equipamentos industriais, ampliando sua faixa de produtos.

O segmento 650V - 1200V dominou o mercado global em 2023. Esses dispositivos SIC, classificados entre 650V e 1200V, enfrentam efetivamente o segmento de potência mais baixo que já foi dominado pelo silício. Atualmente, a tecnologia SIC é uma opção genuína para aplicações a 650V e maior, fornecendo alta potência, frequências de comutação moderada a alta e desempenho confiável em condições elevadas de temperatura.

Por faixa de potência

O segmento de potência média (1 kW -50kW) dominou devido às suas propriedades de material exclusivas

Com base na faixa de potência, o mercado é trifurcado em baixa potência (<1 kW), potência média (1 kW -50 kW) e alta potência (> 50 kW).

O segmento médio de potência (1 kW - 50 kW) manteve a maior parte do mercado global em 2023. O carboneto de silício é visto como um substituto promissor para o silício devido à sua propriedade de material exclusiva, como alta condutividade térmica, estabilidade térmica e mecânica, dura, injeção química e outros, que impulsiona suas aplicações de média potência (1 kw -kw -kw -kw -kw). As principais aplicações para os dispositivos semicondutores de carboneto de silício incluem carregadores a bordo,Veículo elétricoCarregadores de bateria, sistemas de recuperação de energia, trens de força de veículos elétricos híbridos, conversores DC-DC, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação de ressonância magnética, turbinas eólicas, unidades de ar condicionado, fontes de alimentação auxiliares, fontes de alimentação de raios-X, sistemas de veículos integrados e distribuição de energia.

O segmento de alta potência (> 50 kW) está crescendo com o CAGR mais alto durante o período de previsão. Componentes discretos são usados para <30kW Chargers, enquanto os módulos SIC são mais adequados para carregamento do módulo> 50kW. A partir de 2022, os carregadores DC comerciais de alta potência podem operar em 270 quilowatts (KW) e devem atingir 350kW nos próximos anos. Espera -se que esses fatores contribuam para o crescimento do segmento nos próximos anos.

Por aplicação

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O segmento industrial leva devido à forte adoção de dispositivos SIC

Com base na aplicação, o mercado é categorizado em automotivo, industrial, energia e serviços públicos, aeroespacial e defesa e outros.

O segmento industrial é responsável pela maior participação de mercado. O setor industrial está alavancando as propriedades excepcionais do SIC por meio de automação e robótica. A resistência do material a temperaturas elevadas e sua capacidade de ter um bom desempenho sob tensão elétrica garantem que o equipamento funcione de maneira mais confiável e com maior precisão. Isso resulta em maior produtividade e menores despesas de manutenção.

O segmento automotivo deve crescer com o CAGR mais alto durante o período de previsão. Isso pode ser atribuído ao crescente uso de semicondutores SiC em veículos elétricos e automóveis de combustão interna. Até 2024, os veículos alimentados por sistemas elétricos de bateria de 400V, como os modelos Tesla, representavam a maior demanda por dispositivos SiC. O lançamento de mais veículos elétricos de bateria de 800V pelos fabricantes de equipamentos originais (OEMs) está acelerando o crescimento do segmento. Por exemplo,

  • Em setembro de 2024,A Stmicroelectronics lançou seu carboneto de silicone de quarta geração (sic) a tecnologia MOSFET. Este mais recente MOSFET é oferecido nas variantes de 750 e 1200V e aprimora a eficiência e o desempenho da energia para inversores de tração de barramento de veículos elétricos de 400V e 800V. A Companhia apresentou inovações adicionais de tecnologia SIC avançada até 2027 como parte de sua dedicação à inovação.

Perspectivas Regionais de Mercado de Dispositivos de Carboneto de Silício (SIC)

O mercado é estudado geograficamente em toda a América do Norte, América do Sul, Europa, Oriente Médio e África e Ásia -Pacífico, e cada região é estudada mais nos países.

Ásia -Pacífico

Asia Pacific Silicon Carbide (SiC) Devices Market Size, 2023 (USD Billion)

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A Ásia -Pacífico dominou a participação de mercado global de dispositivos de carboneto de silício (SIC) em 2023. O crescimento da região se deve principalmente aos setores em constante evolução, como automotivo, governo, energia e energia e fabricação. A indústria de semicondutores está experimentando maior demanda, levando os países da Ásia -Pacífico a intensificar seus esforços em pesquisa e desenvolvimento. Por exemplo, durante o primeiro semestre de 2024, a China investiu um substancial US $ 24,73 bilhões na aquisição de dados de fabricação de chips, conforme dados de dados semiicondutores e materiais internacionais).

  • Até 2025, a Rohm Co., Ltd. uniu forças com a Toshiba Electronic Dispositics & Storage Corporation para produzir e aumentar o volume de dispositivos de energia, com a assistência do Ministério da Economia, Comércio e Indústria, alinhado com o objetivo do governo japonês de garantir uma oferta confiável e estável de semicondutores. Tanto o ROHM quanto a Toshiba fizeram investimentos significativos em dispositivos de energia de silício (SIC) e silício (SI), que aprimoravam suas capacidades de fabricação e permitiam que eles aproveitassem os recursos de produção um do outro.

Assim, os cenários mencionados anteriormente provavelmente impulsionarão ainda mais a demanda por dispositivos de carboneto de silício (SIC) nos próximos anos.

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A indústria de dispositivos de carboneto de silício (SIC) na China deve experimentar uma forte taxa de crescimento durante o período de previsão. Segundo especialistas do setor, foram lançadas mais de 50 iniciativas de expansão relacionadas à SIC na China em 2023, com investimentos totais superando ~ 12,70 bilhões de dólares. Em 2024, prevê -se que mais de 100 empresas na China se aventurarão na indústria da SIC, e mais de 50 projetos de sic estão mostrando um avanço considerável.

  • Em dezembro de 2024,Os EUA anunciaram uma extensão de suas sanções comerciais à China para incluir dispositivos semicondutores de carboneto de silício e legado que utilizam tecnologia mais antiga. Isso abrange dispositivos de carboneto de silício (SIC), que, juntamente com a ênfase na cadeia de suprimentos de semicondutores dos EUA, são vistos como uma estratégia para proteger empresas como as tecnologias WolfSpeed e Microchip que enfrentaram desafios, além de apoiar a Bosch Sic, na Califórnia.

América do Norte

A América do Norte manteve a segunda maior participação de mercado em 2023. O foco da região na redução de emissões e na promoção da mobilidade elétrica suporta a demanda por dispositivos de carboneto de silício (SIC). Os incentivos do governo, as estruturas regulatórias e a presença dos principais fabricantes automotivos contribuem para o crescimento do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SIC) na região. Além disso, os avanços na tecnologia SIC e o aumento dos investimentos em pesquisa e desenvolvimento impulsionam ainda mais a expansão do mercado.

  • Por exemplo, emDezembro de 2024,O Departamento de Comércio firmou um memorando preliminar de entendimento com Bosch para propor financiamento de US $ 225 milhões para a expansão da fábrica da SIC da empresa, localizada em Roseville, Califórnia. De acordo com o contrato, os EUA ajudariam o investimento de Bosch de US $ 1,9 bilhão a atualizar sua fábrica da SIC de acordo com a Lei de Cascas e Ciências, permitindo que a empresa fabrica chips em bolachas de 200 mm em 2026.

O mercado de dispositivos de carboneto de silício (SIC) nos EUA apresentou uma maior participação de mercado em 2023 na América do Norte. Governos e organizações no país estão estabelecendo metas ambiciosas de eficiência energética. Os EUA se comprometeram com uma redução de 50% nas emissões de gases de efeito estufa até 2030. Esses objetivos estão impulsionando a necessidade de eletrônicos avançados de energia que possam oferecer alta eficiência em aplicações como armazenamento de energia,energia renovávelintegração e mobilidade elétrica.

Europa

A Europa deve capturar a participação de mercado robusta durante o período de previsão. O mercado de semicondutores da região está se beneficiando da crescente digitalização das indústrias e da crescente necessidade de dispositivos eletrônicos. Para acompanhar a demanda por eletrônicos avançados, as empresas estão investindo em novas tecnologias e expandindo sua capacidade de produção.

A Lei de CHIPS da UE, anunciada em fevereiro de 2022 e operacional desde setembro de 2023, fornece ajuda financeira direcionada de até US $ 43 bilhões para a indústria de semicondutores na Europa. Esses incentivos são projetados para fortalecer as capacidades de fabricação front-end da UE e incentivar os investimentos em pesquisa e desenvolvimento em tecnologias de última geração.

Oriente Médio e África

Os países do Oriente Médio e Africano, como os Emirados Árabes Unidos e a Arábia Saudita, estão crescendo com CAGR moderado com crescente digitalização e iniciativas governamentais. A cadeia de suprimentos concentrada levou a Arábia Saudita a investir significativamente no estabelecimento de recursos locais de fabricação de semicondutores como parte de sua iniciativa Vision 2030. Atualmente, Taiwan ocupa a posição superior com 46% da capacidade global de fundição semicondutores, com China, Coréia do Sul, EUA e Japão seguindo atrás. Essa cadeia de suprimentos concentrada levou a Arábia Saudita a fazer investimentos substanciais em recursos locais de fabricação de semicondutores sob sua iniciativa Vision 2030.

Ámérica do Sul

É provável que o mercado sul -americano registre um Modest CAGR durante o período de previsão. A globalização da indústria de microeletrônica e a localização dos recursos de fabricação estão criando novas oportunidades na região. Essa tendência está criando novas perspectivas de empresas de fabricação e cadeia de suprimentos eletrônicas no mercado sul -americano. Como resultado, novos investimentos estão sendo feitos na fabricação frontal e de back-end por fabricantes de dispositivos, como o Unitec Blue na Argentina, o Unitec Semiconductor e o CEITEC no Brasil.

Cenário competitivo

Principais participantes do setor

Os principais participantes se concentram no lançamento de novos produtos para atender a requisitos específicos de energia

Os principais players do mercado de dispositivos de carboneto de silício (SIC), incluindo stmicroeletronics, Infineon Technologies AG, Onsemi, Wolfspeed, semicondutores ROHM e outros, estão se concentrando no lançamento de novos produtos adaptados para atender às necessidades específicas de conversão de energia, carregamento rápido e maior eficiência operacional. Além disso, essas empresas formaram colaborações para combinar seus conhecimentos e recursos exclusivos nas áreas de semicondutores e sistemas de gerenciamento de baterias. Essas parcerias geralmente visam criar soluções inovadoras para veículos elétricos, aumentando a eficiência no uso e nos recursos.

  • Por exemplo,Em setembro de 2022,Na Semiconductor Corporation (em Semi), ampliou suas operações na República Tcheca com a abertura de sua fábrica aprimorada de carboneto de silício. A instalação atualizada deve aumentar a produção de wafer da Onsemi em 16 vezes nos próximos dois anos e atender à crescente demanda por microchips.

Principais players no mercado de dispositivos de carboneto de silício (SIC)

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O mercado global de dispositivos de carboneto de silício (SIC) é caracterizado por uma concorrência saudável, com os 5 principais jogadores representando cerca de 55% - 60% da participação de mercado. A mudança em direção a veículos elétricos mais acessíveis e as mudanças subsequentes na demanda de dispositivos de energia provavelmente impulsionarão fusões, parcerias e aquisições. Prevê -se que a consolidação do mercado influencie substancialmente a cadeia de suprimentos.

Os principais fabricantes de bolacha da SIC estão passando pela maior rivalidade de concorrentes menores usando táticas de preços competitivos. À medida que a China intensifica suas iniciativas para aprimorar suas capacidades de produção de dispositivos de energia doméstica, as empresas na Europa, EUA e Japão estão enfrentando uma competição crescente.

Lista de dispositivos principais de carboneto de silício (SIC) Empresas estudadas:

  • Stmicroelectronics(NÓS.)
  • Infineon Technologies AG (Alemanha)
  • Wolfspeed, Inc.(NÓS.)
  • Rohm Co., Ltd. (Japão)
  • Semicondutores Components Industries, LLC (Onsemi) (EUA)
  • Mitsubishi Electric Corporation(Japão)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (Japão)
  • Microchip Technology Inc.(NÓS.)
  • Semicondutores NXP (Holanda)
  • Coerent Corp. (EUA)
  • Diodes Inc. (EUA)
  • Semicondutor Genesico (EUA)
  • Allegro Microsystems, LLC (EUA)
  • Renesas Electronics Corporation (Japão)
  • TT Electronics PLC (Reino Unido)
  • Vishay Intertechnology, Inc. (EUA)
  • Denso Corporation (Japão)
  • Basic Semiconductor Co., Ltd. (China)
  • Alpha & Omega Semiconductor (EUA)

..e mais

Principais desenvolvimentos da indústria

  • Dezembro de 2024:A Stmicroelectronics firmou uma parceria estratégica com a Ampere, que está programada para começar em 2026. Essa parceria abrange um contrato de vários anos entre o Renault Group e a STMicroelectronics para o fornecimento de modelos de poder de carbídio de silício (sic). Esses módulos serão essenciais para criar uma caixa de energia para o inversor que facilitará o trem de força elétrico altamente eficiente da Ampere.
  • Dezembro de 2024:O Onsemi anunciou a aquisição da Divisão de Tecnologia de Efeito de Campo de Jujamento de Jujagem de Silício (SIC JFET), que inclui a subsidiária United Silicon Carbide, da Qorvo. Essa aquisição aumentará o portfólio de energia elitesica da Onsemi e ajudará a atender à crescente demanda por alta densidade de energia e eficiência energética nos data centers de IA.
  • Novembro de 2024:A Rohm adquiriu uma planta de fronteira solar japonesa definida no Japão, anteriormente conhecida como planta Kunitomi. A planta é operada por uma subsidiária do grupo ROHM, Lapis Semiconductor, como sua planta Miyazaki No.2.
  • Novembro de 2024:A Infineon Technologies colaborou com a Stellantis para estabelecer um laboratório de poder conjunto. Este laboratório tem como objetivo definir um poder inteligente e uma arquitetura escalável de próxima geração que suporta o veículo definido por software da Stellantis.
  • Setembro de 2024:A Wolfspeed introduziu um módulo de carboneto de silício para transformar o armazenamento de energia, energia renovável e setores de alta capacidade de alta capacidade, aumentando a durabilidade, a eficiência da escalabilidade e a confiabilidade.

Análise de investimento e oportunidades

Os governos de todo o mundo estão oferecendo financiamento e incentivos para o progresso das tecnologias de EV e desenvolvimentos sustentáveis de produtos. Essas iniciativas impulsionam investimentos na construção e desenvolvimento de semicondutores de potência SiC-Drive. Por exemplo,

  • Em outubro de 2024,O governo Biden-Harris declarou que a WolfSpeed e o Departamento de Comércio dos EUA, Inc. haviam contraído um PMT não vinculativo (Memorando Preliminar de Termos) por até US $ 750 milhões em financiamento direto planejado sob o ato de Chips and Science. O financiamento planejado ajudaria a construção da nova instalação de fabricação de wafer de carboneto de silício em Siler City, Carolina do Norte. Ajuda a garantir um suprimento nacional consistente de semicondutores que reforçarão o progresso iminente da economia energética.

Cobertura do relatório

O relatório de pesquisa de mercado fornece uma análise de mercado detalhada. Ele se concentra nos pontos -chave, como empresas líderes, ofertas e aplicativos. Além disso, o relatório oferece uma compreensão das mais recentes tendências do mercado e destaca os principais desenvolvimentos da indústria. Além dos fatores acima mencionados, o relatório contém vários fatores que contribuíram para o crescimento do mercado nos últimos anos.

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Scopo e segmentação de relatório

ATRIBUTO

DETALHES

Período de estudo

2019-2032

Ano base

2023

Ano estimado

2024

Período de previsão

2024-2032

Período histórico

2019-2022

Taxa de crescimento

CAGR de 26,7% de 2024 a 2032

Unidade

Valor (US $ bilhões)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Segmentação

Por tipo de produto

  • Sic MOSFETS
  • Diodos SiC/SBDs
  • Módulos sic

Por classificação de tensão

  • Até 650V
  • 650V - 1200V
  • 1200V - 1700V
  • Acima de 1700V  

Por faixa de potência

  • Baixa potência (<1 kW)
  • Média de potência (1 kW -50 kW)
  • Alta potência (> 50 kW)

Por aplicação

  • Automotivo
  • Industrial
  • Energia e utilitários
  • Aeroespacial e Defesa
  • Outros (eletrônicos de consumo, etc.)

Por região

  • América do Norte (por tipo de produto, classificação de tensão, faixa de potência, aplicação e país)
    • NÓS.
    • Canadá
    • México
  • América do Sul (por tipo de produto, classificação de tensão, faixa de potência, aplicação e país)
    • Brasil
    • Argentina
    • Resto da América do Sul
  • Europa (por tipo de produto, classificação de tensão, faixa de potência, aplicação e país)
    • REINO UNIDO.
    • Alemanha
    • Itália
    • França
    • Espanha
    • Rússia
    • Benelux
    • Nórdicos
    • Resto da Europa
  • Oriente Médio e África (por tipo de produto, classificação de tensão, faixa de potência, aplicação e país)
    • Peru
    • Israel
    • GCC
    • África do Sul
    • Norte da África
    • Resto de MEA
  • Ásia -Pacífico (por tipo de produto, classificação de tensão, faixa de potência, aplicação e país)
    • China
    • Japão
    • Índia
    • Coréia do Sul
    • Asean
    • Oceânia
    • Resto da Ásia -Pacífico

Empresas perfiladas no relatório

STMicroelectronics (U.S.), Infineon Technologies AG (Germany), Wolfspeed, Inc. (U.S.), ROHM Co., Ltd. (Japan), Semiconductor Components Industries, LLC (onsemi) (U.S.), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Fuji Electric Co., Ltd. (Japan), Microchip Technology Inc. (U.S.), NXP Semicondutores (Holanda), Coerent Corp. (EUA), etc.



Perguntas Frequentes

O mercado deve crescer a uma CAGR de 26,7% durante o período de previsão.

O tipo SIC MOSFETS dominou o mercado em termos de ação.

O aumento na demanda por eletrônicos de energia eficiente é um fator -chave que impulsiona o crescimento do mercado.

Os semicondutores da Infineon Technologies AG, Onsemi, Wolfspeed e Rohm são os principais players do mercado.

A Ásia -Pacífico detinha a maior participação de mercado.

Por aplicação, o segmento automotivo deve crescer com o CAGR mais alto durante o período de previsão.

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