隔热栅极双极晶体管（IGBT）市场尺寸，份额和共vid-19撞击分析，通过电压（低压，中电压和高压），按应用（消费电子，工业制造，汽车/汽车/HEV），逆变器，逆变器，倒车，ups，useways，useways，useways，useways，usewhe

全球隔热的门两极晶体管市场规模在2020年为54亿美元，预计将从2021年的58.6亿美元增长到2028年的112.4亿美元，复合年增长率为9.8％。亚太在2020年以43.8％的份额统治了全球市场。

根据我们的分析，与2017 - 2019年期间的平均同比增长相比，全球市场在2020年的显着增长8.0％。 Covid-19的全球影响是前所未有和惊人的，隔热的栅极双极晶体管目睹了大流行期间所有地区对需求的负面影响。 CAGR的上升归因于该市场的需求和增长，一旦大流行一旦结束，大流行就恢复了大流行。

绝缘栅极双极晶体管模块充当电压控制的电源电子设备。由于开关频率较高，因此在需要较低传导损失的高压应用中被广泛接受。它目睹了汽车，铁路，能源和电力的迅速需求，并且消费电子产品行业。通过新的创新应用程序，市场上的主要参与者高度关注业务扩展。例如，

• 2020年11月，Fronius International GmbH和Infineon Technologies使用IGBT和其他产品推出了太阳逆变器，以提供多合一的解决方案产品。它提供解决方案，例如储能系统，安全电源，外部系统的连接以及电动汽车充电。

共同影响

在COVID-19中，硬件和组件供应的破坏会影响市场增长

冠状病毒的爆发显着影响了整个半导体部门。由于国际边界的关闭，供应链中的全球破坏对半导体产品的生产产生了很大的影响。根据埃森哲PLC的报告，半导体行业的年收入增长预计将达到12.5％，但由于流行病危机，事实证明，由于缺乏组件可用性，隔热的门两极晶体管制造业仅达到9％。此外，总劳动力的50％的许可也对绝缘栅极双极晶体管生产能力产生负面影响。因此，与早期估计相比，在2020年，市场的增长率缓慢。

从长远来看，业务模型的每个方面都可能发生变化，包括资本支出，产品组合的组成，需求预测，研发策略，供应链足迹，合并和收购的期权（M＆A）（M＆A）以及生产决策。市场参与者必须建立坚实的基准以前进。有了这个基础，这些公司可以为通往下一个正常的途径绘制道路。  此外，由于可再生能源的迅速采用，对电动汽车的需求不断增长以及自动化和工业化的实施不断增长，大流行后，市场有望增长显着增长。同样，由于远程工作增加，对云和数据中心的需求增加可能会推动市场增长后流行。

IGBT市场最新趋势

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关于可再生能源以提高市场的意识提高

提高可再生能源基础的要求将提高IGBT市场的增长。根据国际可再生​​能源局（IRENA），预计到2050年，可再生能源将获得总电力部门的85％。根据IRENA报告，电动汽车和电动汽车和热泵预计采用将在全球范围内变得越来越普遍。多个国家的政府将可再生能源视为其长期战略投资发展的主要部分。

同样，随着技术的增强和规模经济，在过去的十年中，可再生能源（例如太阳能和风能）的成本下降了50％以上。可再生电源实施实施的巨大增长令人鼓舞。感觉到市场上的潜在机会，例如Infineon Technologies AG，​​ABB Ltd.，Fuji Electric Ltd.等主要公司，以及其他公司正在为可再生能源设计IGBT产品。例如，

• 2020年3月，中国的风转换器制造商，HopeWind Electric Co.，Ltd。与ABB Ltd.合作，提供了1700 V / 450 A中型IGBT模块。制造商使用此晶体管将其风转换器应用于2,000兆瓦，并使用风力发电。因此，对可再生资源的越来越多的认识可能会推动市场增长。

IGBT市场增长因素

电动汽车的需求激增正在推动市场增长

IGBT是电动汽车的重要组成部分。功率半导体设备和模块是每个功率转换器的关键模块。由于具有高电压和电流能力，绝缘栅极双极晶体管模块经常用于中高功率应用，例如电动汽车逆变器。例如，

• 2019年5月，奥迪（Audi）宣布采用日立的电动汽车逆变器。该逆变器配备了功率模块和内置的下一代绝缘栅极双极晶体管。该组合将提供高功率密度输出，从而最大程度地提高电动机性能。因此，电动汽车的采用率上升将增加对绝缘栅极双极晶体管的需求。

同样，日益增长的气候变化和全球变暖正在引起人们对每个领域能源的认识。汽车部门是其中之一，并以节能模式向前发展。对制造电气的需求不断增长混合动力车。汽车行业的主要制造商正计划在考虑政府指南的高级电动汽车上进行投资。同样，燃油价格上涨也迫使用户从传统车辆转向电动汽车。预计这将推动隔热栅极双极晶体管市场增长的增长。  

限制因素

设计复杂性以阻碍市场增长

与绝缘栅极双极晶体管的栅极控制相关的闩锁可以很容易地破裂，从而导致设备故障。闩锁电流密度的略有下降会导致环境温度的升高并增加了转弯时间。

当晶体管进入闩锁时，门不再对排水管电流有任何控制。在这种情况下，电流的强制换向可能是关闭IGBT的唯一途径。

如果闩锁未迅速终止，则过量的功率耗散可能会破坏双极晶体管。这有望阻碍市场潜力。

分割

通过电压分析

在各个部门的应用程序不断增长，以促进高压市场份额

根据电压，市场已分为低压，中型电压和高压。预计在预测期内，高压有望获得最大份额。在行业中，高压绝缘的栅极双极晶体管具有高电流的能力，使用电压和其他的栅极控制能力。高压正在增加在汽车，飞机，无人机和工业等各个部门的应用。

在预测期内，中型电压可能会迅速增长。对自动化工艺的整个制造业1700 V – 2500 V晶体管的需求不断增长，预计将推动中型电压需求。由于电动汽车和可再生用途的采用显着增长，低压有望增长稳定增长。

低，中和高电压进一步分割为600 V＆601-1200 V，1700 V＆2500 V和3300 V＆4500 V上方。

通过应用分析

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快速采用自动化以促进工业制造中的IGBT应用

根据应用程序，市场被归类于消费电子，工业制造，汽车（EV/HEV），逆变器/UPS，铁路，可再生能源等。工业制造有望在收入份额中占主导地位。工厂自动化的增长和工业物联网制造厂的采用可能会助长对绝缘栅极双极晶体管的需求。

它在汽车行业对电动汽车的需求主要在增长，因为它为电动汽车以稳定的速度传输电动汽车的平稳操作。为了可靠性，功率增加和延长寿命，绝缘栅极双极晶体管和FWD芯片被包装到模块上，并带有多个设备，隔离层和保护零件。这些模块可以在高温，机械振动，湿度和冲击的恶劣环境中起作用，以及化学污染的可能性。

市场机会的另一个趋势行业是消费电子产品。随着进步和尺寸减小的增加，晶体管正在在消费电子设备中获得关注。在家设备中，它被广泛用于控制功率。它为主要电器（例如空调，冰箱，微波炉，洗碗机和洗衣机。它还控制着从小型设备获得多功能性能的功率。

区域见解

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预计亚太地区将在预测期内获得最高的市场份额以及最高的复合年增长率。最高的增长归因于中国，韩国和印度许多电子和半导体制造商的存在。预计中国将获得最大收入份额，因为它是电动汽车制造业领域的领先国家。电动汽车的上升应用正在推动该国的市场增长。日本和印度还目睹了对节能资源的日益增长的需求以及技术的进步。

预计北美将在预测期内增长显着增长。预计该地区的市场将通过不断提高的意识和可再生资源的实施见证了巨大的机会。由于它是一个低功率的组件，因此强烈建议在北美节省能源。同样，预计欧洲将获得仅次于亚太的第二大收入份额。欧洲是第一个在铁路部门实施绝缘栅极晶体管牵引系统的区域。此外，欧洲是生产电动汽车的领先地区，该地区还领导着全球整体汽车行业。预计这将推动该地区对产品的需求。

同样，拉丁美洲和中东和非洲预计将展示健康的增长。 LATAM和MEA的公司已开始专注于在各种行业中采用IGBT设备，包括消费电子，铁路，可再生能源等。预计这将助长该地区的市场机会。

关键行业参与者

强调著名公司以加强市场地位的新发布

产品组合的扩展是市场参与者采用的另一种关键市场增长策略。产品组合的扩展包括提供更新的硬件和软件以及新的流程模型，以减轻制造业的喧嚣。主要制造商正在采用创新技术来开发先进的晶体管，以满足汽车和高功率设备的不断增长。 Infineon Technologies AG和Fuji Electric Co.，Ltd等公司侧重于基于中型和高功率模块的先进工业IGBT的发展

2020年7月 - ABB Ltd和Hitachi Ltd以“ Hitachi ABB Power Grids Ltd”为价值约110亿美元的合资企业。该公司将在电动机，行业和信息技术（IT）和智能生活等应用中运营。

2020年8月 - 三菱电气公司推出了用于工业应用的LV100型T系列IGBT模块。该模块有助于降低功率转换器和逆变器的功率和尺寸损失。这些转换器和逆变器用于可再生能源应用，例如风能产生，光伏和高容量电动机驱动器。

隔热门双极晶体管市场中介绍的主要公司清单：

• Infineon Technologies AG（慕尼黑，德国）
• ABB Ltd（瑞士苏黎世）
• 三菱电气公司（日本东京）
• 丹佛斯集团（丹麦诺德堡）
• Fuji Electric Co.，Ltd。（日本东京）
• 日立有限公司（日本东京）
• 东芝公司（日本东京）
• Rohm Co。，Ltd（日本京都）
• Littelfuse，Inc。（伊利诺伊州，美国）
• Starpower Semiconductor Ltd.（中国JIAXING）

关键行业发展：

• 2021年2月 - Infineon Technologies AG推出了650 V凉爽混合IGBT系列。高级晶体管包括650 V阻塞电压。 IGBT的混合范围为诸如Schottky屏障冷却二极管和650 V Trenchstop 5 IGBT等技术提供了好处。
• 2019年6月 - 东芝公司在绝缘栅极双极晶体管中开发了一个紧凑的模型，并注射增强的栅极晶体管（IEGT），以精确模拟和预测电磁干扰（EMI）的功率损失和噪声。该模型将使错误率降低95％并减少模拟时间。

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