碳化硅 (SiC) 器件市场规模、份额和行业分析，按产品类型（SiC MOSFET、SiC 二极管/SBD 和 SiC 模块）、按额定电压（高达 650V、650V–1200V、1200V–1700V 和 1700V 以上）、按功率范围（低功率 (50 kW)）、按应用（汽车、工业、能源和公用事业、航空航天与国防等）以及区域预测，2026 – 2034 年

2025年全球碳化硅（SiC）器件市场规模为40.2亿美元，预计将从2026年的50.4亿美元增长到2034年的186.1亿美元，预测期内复合年增长率为17.72%。 2025年，亚太地区以33.58%的份额主导全球市场。

碳化硅是一种宽带隙材料半导体与传统硅相比，这种材料具有优越的性能，使其非常适合在极端条件下运行的高性能电子设备。由于这些独特的特性，SiC 器件在高功率应用中备受追捧，可在恶劣环境下提供更高的效率和可靠性。

全球碳化硅 (SiC) 器件市场概览

市场规模：

• 2025 年价值：40.2亿美元
• 2026 年价值：50.4亿美元
• 2034 年预测值：186.1亿美元
• 年复合增长率（2026-2034）：17.72%

市场份额：

• 区域负责人：由于对电动汽车、可再生能源和电信基础设施的大力投资，亚太地区在 2023 年占据最大份额。
• 增长最快的地区：预计亚太地区在预测期内也将实现最高增长率。

行业趋势：

• SiC MOSFET 在 2023 年占据最大份额，而 SiC 模块预计将以最快的复合年增长率增长。
• 650-1200V 范围内的器件将在 2023 年引领市场，1200-1700V 器件预计将迅速扩展到高压应用。
• 2023年，中功率设备（1kW-50kW）将占据主导地位，而随着电动汽车快速充电和大规模电力系统的扩展，高功率设备（>50kW）将增长最快。
• 工业应用占据最大份额，而由于电动汽车采用率的不断上升，预计汽车领域将以最快的速度增长。

驱动因素：

• 电动汽车、可再生能源系统和工业应用对节能电力电子设备的需求不断增长。
• SiC 器件的优势包括更高的效率、热性能和功率密度，推动了汽车逆变器、充电器和可再生能源逆变器的采用。
• 5G 网络和高频电子系统的扩展增加了对 SiC 组件的需求。
• 领先制造商进行了大量投资，以扩大全球碳化硅晶圆和模块的生产规模。

碳化硅 (SiC) 器件在电力电子领域的使用不断增加，以及 SiC 半导体器件在电动汽车充电基础设施中提供的各种应用，正在推动市场扩张。

• 例如，奥迪正在其电动汽车模型中采用碳化硅半导体逆变器，将车辆的效率提高了近 60%，同时也提高了可靠性。奥迪目前在其车型中提供这些水冷逆变器，尤其在部分负载条件下表现出色。

COVID-19大流行期间消费者购买力整体下降，导致各种技术产品的需求下降，对碳化硅（SiC）半导体器件市场产生负面影响。此外，SiC半导体器件的供需差距也造成了半导体行业的缺口。

生成人工智能的影响

对生成式人工智能开发定制 SiC 设备以推动市场增长的需求不断增加

生成式人工智能对碳化硅 (SiC) 器件行业的影响是多方面的，推动了设计、制造和市场动态的改进。 Gen AI可协助SiC产品定制，满足各行业客户的特定需求。通过利用生成设计技术，人工智能可以创建适合特定操作要求的定制 SiC 组件，尤其是汽车、能源或工业用途。这种个性化可以为制造商和消费者带来更加量身定制和高效的方法。

在电力电子领域，二极管、MOSFET和IGBT等SiC器件在提高能量转换系统的效率方面发挥着至关重要的作用。生成式人工智能可通过模拟各种操作环境中的电气、热和机械相互作用来设计更高效的电源模块。这加快了电力电子设备的上市时间，同时降低了设计缺陷的风险。

因此，生成式人工智能通过加速研发、优化生产、提高产品可靠性以及提供对市场趋势的更深入洞察，将在 SiC 行业中发挥变革性作用。

碳化硅 (SiC) 器件市场趋势

5G 技术中越来越多地采用 SiC 器件以促进市场增长

5G 无线网络预计将彻底改变全球通信系统，与前几代相比，提供更快的数据速度、超低延迟和更可靠的连接。

5G 技术的出现导致对能够在更高频率下运行的高性能电子元件的需求不断增长。碳化硅 (SiC) 半导体特别适合用于 5G 基站和其他高速通信系统，因为它们能够在更高的频率和温度下有效运行。

市场动态

市场驱动因素

对高效电力电子产品的需求激增，推动市场增长

电力电子器件对于电动汽车中的电力转换和控制至关重要，包括逆变器、充电器和电机控制系统。电动汽车中的电力电子器件（逆变器、充电器等）约占电动汽车总成本的 10% 至 15%。这些系统将高压直流电从电池为电机提供交流电并管理充电期间的功率流。随着电动汽车的普及加速，对高效、可靠的电力电子系统的需求激增。

全球向可再生能源的过渡，加上储能技术的进步，是推动电力电子需求的另一个重要因素。电力电子器件用于风力涡轮机逆变器、太阳能逆变器和储能系统，以管理电能的转换、调节和分配。

• 例如，据国际可再生​​能源机构（IRENA）预测，到2032年，可再生能源装机容量预计每年增长7.8%。到2030年，太阳能和风能将占全球总发电量的70%以上，推动太阳能逆变器、风力涡轮机控制器和并网设备等电力电子器件的更大需求。

市场限制

复杂的集成挑战可能会限制 SiC 器件在企业中的使用

许多可以从基于 SiC 的设备中受益的行业仍然依赖于基于传统技术的遗留系统。硅组件，使得与现有基础设施的集成变得困难。升级现有系统（例如电网、工业电机和汽车动力系统）以纳入 SiC 器件需要对新设备进行大量投资，而且改造过程在技术上可能很复杂。更换或改造基础设施的高昂初始成本可能会成为采用碳化硅的障碍，特别是在较旧的工厂或新技术资本支出有限的部门。

市场机会

汽车和电动汽车 (EV) 不断进步，创造新的市场机会

随着汽车行业转向更节能、高性能和环保的技术，SiC 因其比传统硅基半导体更优越的特性而逐渐成为关键推动者。在提高功率转换、效率和可靠性的需求的推动下，汽车技术（尤其是电动汽车）的进步正在为 SiC 厂商创造大量市场机会。

电动汽车需要能够有效管理电池、电机和其他车辆部件之间能量的电力电子系统。碳化硅因其优异的导热性、高开关频率和高电压效率而被用于逆变器、车载充电器和 DC-DC 转换器的电源模块。因此，汽车和电动汽车的进步正在为市场参与者创造新的机遇。

• 例如，2022 年 10 月，捷豹路虎与 Wolfspeed, Inc. 合作，为未来电动汽车供应碳化硅 (SiC) 半导体。这种合作对于提高动力总成效率和增加行驶里程至关重要。

细分分析

按产品类型

SiC MOSFET 因其在各行业的使用不断增加而处于领先地位

根据产品类型，市场分为 SiC MOSFET、SiC 二极管/SBD 和 SiC 模块。

2026 年，SiC MOSFET 占据最高市场份额，达到 40.59%，众多公司正在推出碳化硅 MOSFET，以利用各个行业潜在需求激增的机会。例如，2022年8月，东芝公司推出了第三代650V和1200V碳化硅MOSFET，实现了工业机械开关损耗降低20%。近年来，MOSFET 晶体管提供的广泛优势推动了该领域的增长。

预计碳化硅模块领域在预测期内将以最高的复合年增长率增长。碳化硅功率模块允许使用碳化硅作为功率转换的开关，广泛应用于电动汽车、工业和能源领域。它们提高能源效率并降低运营费用。

• 例如，2024 年 1 月，中国汽车芯片和模块制造商联星科技宣布与汽车制造商蔚来汽车签署碳化硅（SiC）模块生产协议。

按额定电压

各种工业和汽车应用对高压电源的需求不断增长，推动了 1200V-1700V 的增长

市场根据电压等级分为650V以下、650V-1200V、1200V-1700V以及1700V以上。

预计 1200V-1700V 细分市场在预测期内将以最高的复合年增长率增长。充电基础设施、电机驱动和光伏等不同的工业应用都使用 1200V SiC 器件。 1700V等级的SiC器件主要集中在工业、交通、能源领域，总体占比较小。例如，

• 2024 年 3 月，东芝电子元件及存储装置株式会社开始量产第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 模块“MG250V2YMS3”，该模块的额定电压为 1700 V，额定漏极电流 (DC) 为 250 A，适用于工业设备，扩大了其产品范围。

到2026年，650V-1200V细分市场将占据全球37.08%的市场份额。这些额定电压在650V-1200V之间的SiC器件，有效解决了曾经由硅主导的低功率细分市场。如今，SiC 技术是 650V 及更高电压应用的真正选择，可提供高功率、中等到高开关频率以及高温条件下的可靠性能。

按功率范围

中功率 (1 kW–50kW) 因其独特的材料特性而占据主导地位

根据功率范围，市场分为低功率（<1 kW）、中功率（1 kW-50 kW）和高功率（>50 kW）。

中功率（1 kW-50 kW）细分市场在2026年占据全球市场份额的最大份额，达到42.52%。碳化硅因其独特的材料特性（如高导热性、热稳定性和机械稳定性、硬度、化学惰性等）而被视为硅的有前途的替代品，这推动了其在中功率应用（1 kW-50 kW）中的使用。碳化硅半导体器件的主要应用包括车载充电器、 电动车电池充电器、能量回收系统、混合动力电动汽车动力总成、DC-DC转换器、光伏逆变器、MRI电源、风力涡轮机、空调机组、辅助电源、X射线电源、集成车辆系统和配电。

在预测期内，高功率（>50 kW）细分市场的复合年增长率最高。分立元件用于 <30kW 的充电器，而 SiC 模块更适合 >50kW 的模块充电。截至2022年，商用大功率直流充电器的运行功率可达270千瓦(kW)，预计未来几年将达到350kW。预计这些因素将有助于该领域未来几年的增长。

按申请

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由于碳化硅器件的广泛采用，工业领域处于领先地位

根据应用，市场分为汽车、工业、能源和公用事业、航空航天和国防等。

到 2026 年，工业领域将占据最大的市场份额，达到 30.26%。工业领域正在通过自动化和机器人技术利用 SiC 的卓越性能。该材料的耐高温性及其在电应力下表现良好的能力保证了设备运行更可靠且精度更高。这可以提高生产率并降低维护费用。

预计汽车领域在预测期内将以最高的复合年增长率增长。这可以归因于碳化硅半导体在电动汽车和内燃机汽车中的使用越来越多。到2024年，特斯拉车型等采用400V电池电力系统驱动的车辆将成为SiC器件的最大需求。原始设备制造商 (OEM) 推出更多 800V 电池电动汽车正在加速该细分市场的增长。例如，

• 2024 年 9 月，意法半导体推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。这款最新的 SiC MOSFET 提供 750V 和 1200V 两种型号，可提高 400V 和 800V 电动汽车总线牵引逆变器的能源效率和性能。作为其致力于创新的一部分，该公司到 2027 年将推出更多先进的 SiC 技术创新。

碳化硅 (SiC) 器件市场区域前景

对北美、南美、欧洲、中东和非洲以及亚太地区的市场进行了地理研究，并且对每个地区进行了跨国家的进一步研究。

亚太地区

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2023年，亚太地区在全球碳化硅（SiC）器件市场份额中占据主导地位。亚太地区以2025年13.5亿美元的估值和2026年17.2亿美元的估值主导市场。该地区的增长主要得益于汽车、政府、能源电力以及制造业等不断发展的行业。半导体行业的需求不断增加，促使亚太国家加大研发力度。例如，根据SEMI（半导体设备与材料国际）的数据，2024年上半年，中国在芯片制造机械的收购上投入了247.3亿美元。日本市场预计到2026年将达到3.8亿美元，中国市场预计到2026年将达到5.2亿美元，印度市场预计到2026年将达到2.1亿美元。

• 到2025年，罗姆株式会社与东芝电子元件及存储装置株式会社联手，在经济产业省的协助下生产并提高功率器件的产量，以符合日本政府确保半导体可靠稳定供应的目标。 ROHM和东芝都在碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件方面进行了大量投资，这增强了它们的制造能力，并使它们能够充分利用彼此的生产资源。

因此，前面提到的情况可能会进一步推动未来几年对碳化硅（SiC）设备的需求。

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预计中国碳化硅（SiC）器件行业在预测期内将出现强劲增长。据行业专家预测，2023年中国将启动超过50个SiC相关扩张计划，总投资超过约127亿美元。预计到2024年，中国将有超过100家企业进入碳化硅产业，超过50个碳化硅项目正在取得长足进展。

• 2024 年 12 月，美国宣布延长对中国的贸易制裁，制裁范围包括碳化硅和利用旧技术的传统半导体设备。其中包括碳化硅 (SiC) 器件，该器件与对美国半导体供应链的重视一起被视为保护 Wolfspeed 和 Microchip Technologies 等面临挑战的公司的战略，同时也支持博世位于加利福尼亚州的 SiC 工厂。

北美

2023 年，北美占据第二高的市场份额。该地区对减少排放和促进电动汽车的关注支持了对碳化硅 (SiC) 设备的需求。政府激励措施、监管框架以及领先汽车制造商的存在促进了该地区碳化硅 (SiC) 器件市场的增长。此外，碳化硅技术的进步和研发投资的增加进一步推动了市场的扩张。预计到2026年美国市场将达到8.3亿美元。

• 例如，在2024 年 12 月，美国商务部与博世签署了一份初步谅解备忘录，提议提供 2.25 亿美元资金用于扩建该公司位于加利福尼亚州罗斯维尔的碳化硅工厂。根据协议，美国将根据《芯片与科学法案》协助博世投资19亿美元升级其SiC制造工厂，使该公司能够在2026年在200毫米晶圆上制造芯片。

2023 年，美国碳化硅 (SiC) 器件市场将占据北美最大的市场份额。该国政府和组织正在制定雄心勃勃的能源效率目标。美国承诺到 2030 年将温室气体排放量减少 50%。这些目标推动了对先进电力电子设备的需求，这些电子设备可以在能源存储、可再生能源集成和电动汽车。

欧洲

预计欧洲将在预测期内占据强劲的市场份额。该地区的半导体市场受益于行业数字化的不断发展和电子设备需求的增加。为了满足对先进电子产品的需求，公司正在投资新技术并扩大生产能力。英国市场预计到2026年将达到2.2亿美元，而德国市场预计到2026年将达到2.4亿美元。

《欧盟芯片法案》于 2022 年 2 月宣布，自 2023 年 9 月起实施，为欧洲半导体行业提供高达 430 亿美元的有针对性的财政援助。这些激励措施旨在加强欧盟的前端制造能力，并鼓励对下一代技术的研发投资。

中东和非洲

随着数字化和政府举措的不断加强，阿联酋和沙特阿拉伯等中东和非洲国家正以适度的复合年增长率增长。集中的供应链促使沙特阿拉伯大力投资建立本地半导体制造能力，作为其 2030 年愿景计划的一部分。目前，台湾以占全球半导体代工产能46%的份额位居榜首，中国、韩国、美国和日本紧随其后。这种集中的供应链促使沙特阿拉伯根据其 2030 年愿景倡议对当地半导体制造能力进行了大量投资。

南美洲

南美市场在预测期内可能会出现适度的复合年增长率。微电子产业的全球化和制造能力的本地化正在为该地区创造新的机遇。这一趋势为南美市场的电子制造和供应链公司创造了新的前景。因此，阿根廷的 Unitec Blue、巴西的 Unitec Semiconductor 和 CEITEC 等设备制造商正在前端和后端制造领域进行新的投资。

竞争格局

主要行业参与者

主要参与者专注于推出新颖产品以满足特定的电源要求

碳化硅 (SiC) 器件市场的主要参与者，包括意法半导体、英飞凌科技股份公司、Onsemi、Wolfspeed、ROHM Semiconductors 等，都致力于推出专为满足功率转换、快速充电和提高运行效率的特定需求而量身定制的新产品。此外，这些公司还建立了合作关系，将其在半导体和电池管理系统领域的独特专业知识和资源结合起来。这些合作伙伴关系通常旨在为电动汽车创建创新解决方案，提高使用和功能的效率。

• 例如，2022 年 9 月，ON SEMICONDUCTOR CORPORATION (on semi) 通过开设增强型碳化硅制造工厂，将其业务扩展到捷克共和国。升级后的设施预计将在未来两年内将 Onsemi 的晶圆产量提高 16 倍，并满足对微芯片不断增长的需求。

碳化硅 (SiC) 器件市场的主要参与者

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全球碳化硅（SiC）器件市场竞争良性，前五名厂商占据约55% - 60%的市场份额。向更实惠的电动汽车的转变以及随后功率器件需求的变化可能会推动合并、合作和收购。预计市场整合将对供应链产生重大影响。

主要碳化硅晶圆制造商正面临着规模较小的竞争对手采用竞争性定价策略的激烈竞争。随着中国加大力度提高国内功率器件生产能力，欧洲、美国和日本的企业面临着日益激烈的竞争。

主要碳化硅 (SiC) 器件列表 研究的公司：

• 意法半导体（我们。）
• 英飞凌科技股份公司（德国）
• 沃尔夫斯皮德公司（我们。）
• 罗姆株式会社（日本）
• Semiconductor Components Industries, LLC (onsemi)（美国）
• 三菱电机公司（日本）
• 富士电机有限公司（日本）
• 微芯科技公司（我们。）
• 恩智浦半导体（荷兰）
• 相干公司（美国）
• Diodes Inc.（美国）
• GeneSiC 半导体（美国）
• Allegro MicroSystems, LLC（美国）
• 瑞萨电子株式会社（日本）
• TT Electronics Plc（英国）
• Vishay Intertechnology, Inc.（美国）
• 电装株式会社（日本）
• 基础半导体股份有限公司 (中国)
• Alpha & Omega 半导体（美国）

..还有更多

主要行业发展

• 2024 年 12 月：意法半导体与 Ampere 建立战略合作伙伴关系，计划于 2026 年开始。该合作伙伴关系包括雷诺集团与意法半导体之间签订的多年期合同，提供碳化硅 (SiC) 功率模块。这些模块对于创建逆变器电源箱至关重要，从而促进 Ampere 的高效电力传动系统。
• 2024 年 12 月：Onsemi 宣布从 Qorvo 收购碳化硅结型场效应晶体管 (SiC JFET) 技术部门，其中包括联合碳化硅子公司。此次收购将增强 Onsemi 的 EliteSiC 电源产品组合，并有助于满足人工智能数据中心对高功率密度和能源效率不断增长的需求。
• 2024 年 11 月：罗姆收购了位于日本的日本太阳能前沿工厂，前身为国富工厂。该工厂由罗姆集团的子公司蓝碧石半导体运营，作为宫崎第二工厂。
• 2024 年 11 月：英飞凌科技与 Stellantis 合作建立了联合电源实验室。该实验室旨在定义支持 Stellantis 软件定义车辆的智能动力和下一代可扩展架构。
• 2024 年 9 月：Wolfspeed 推出了碳化硅模块，通过提高耐用性、可扩展性、效率和可靠性来改变储能、可再生能源和大容量快速充电领域。

投资分析和机会

全球各国政府都在为电动汽车技术的进步和可持续产品开发提供资金和激励措施。这些举措推动了对碳化硅驱动功率半导体的建设和开发的投资。例如，

• 2024 年 10 月，拜登-哈里斯政府表示，Wolfspeed 和美国商务部已签订了一份不具约束力的 PMT（初步条款备忘录），计划根据 CHIPS 和科学法案提供高达 7.5 亿美元的直接资助。计划的资金将用于帮助在北卡罗来纳州锡勒市建设新的碳化硅晶圆制造工厂。它有助于确保全国半导体的持续供应，从而加强能源经济即将取得的进展。

报告范围

市场研究报告提供了详细的市场分析。它重点关注关键点，例如领先公司、产品和应用程序。除此之外，该报告还提供了对最新市场趋势的了解，并强调了关键的行业发展。除了上述因素外，报告还包含了近年来推动市场增长的几个因素。

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