El tamaño del mercado del dispositivo de nitruro de galio, el análisis de impacto compartido y covid-19, por tipo de dispositivo (dispositivo opto-semiconductor, dispositivo semiconductor de potencia y dispositivo semiconductor de RF), por tamaño de oblea (oblea de 2 pulgadas, oblea de 4 pulgadas y 6 pulgadas y superiores), por componente (transistor, diodo, rectificador de rango, energía IC y otros), por aplicación (iluminación (luz de luz (luz de luz (transmisualidad, transmisor, transmisor y ranginio (ranginio y otros), y otros), por aplicación (Light Detecting, WaFer, Light Detecting (Ligh

El tamaño del mercado global de dispositivos de nitruro de galio fue de USD 20.56 mil millones en 2019 y se prevé que crecerá de USD 21.18 mil millones en 2020 a USD 39.74 mil millones en 2032 a una tasa compuesta anual de 5.20% en el período 2020-2032. América del Norte dominó el mercado de dispositivos de nitruro de galio con una cuota de mercado de 35.89% en 2019.

El aumento en la CAGR es atribuible a la demanda y el crecimiento de este mercado, volviendo a los niveles pre-pandémicos una vez que termina la pandemia. El impacto global de Covid-19 ha sido sin precedentes y asombroso, con dispositivos de nitruro de galio (GaN) que presencian un impacto positivo en la demanda en todas las regiones en medio de la pandemia. Según nuestro análisis, el mercado global de dispositivos GaN exhibirá un crecimiento del 1.03% en 2020 en comparación con el crecimiento promedio interanual durante 2016-2019.

El nitruro de galio (GaN) es un dispositivo semiconductor de brecha de tercera banda tecnológicamente avanzado. El dispositivo GaN es adecuado para transistores de alta potencia y es capaz de operar a altas temperaturas. Grandes campos eléctricos, mayor eficiencia energética, mayor velocidad de saturación, voltaje de descomposición y conducción térmica son las características principales del dispositivo basado en GaN. En febrero de 2020, Stmicroelectronics y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company colaboraron para acelerar el desarrollo de la tecnología de proceso GaN para el suministro de integrados y discretos.

Pandemia de Covid-19 para aumentar la demanda respaldada por mayores ventas de sistemas basados ​​en IoT

La pandemia Covid-19 ha impactado positivamente en el mercado. Este crecimiento se atribuye a la creciente demanda de productos y servicios electrónicos durante el período de marzo de 2020 a septiembre de 2020. Estados Unidos, China y la Unión Europea están implementando cierres nacionales para reducir el efecto del coronavirus. Durante la era de bloqueo, varias compañías multinacionales han presentado estrictos reglas y regulaciones gubernamentales para iniciar la cultura del trabajo desde el hogar, que reflejará la creciente demanda de productos electrónicos como móviles, cargadores, computadoras portátiles y dispositivos basados ​​en IoT. La alta demanda de cargadores rápidos y servicios basados ​​en IoT se establece para aumentar directamente las ventas de sistemas de semiconductores basados ​​en nitruro de galio. La pandemia Covid-19 mejoraría la cadena de suministro y daría como resultado el crecimiento de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN). Por lo tanto, se espera que tenga un efecto positivo en el mercado.

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Entre todas las regiones, el mercado en América del Norte y Asia-Pacífico mostró el mayor impacto debido a la mejoragestión de la cadena de suministrode fabricantes. Las empresas ubicadas en Asia-Pacífico, como Toshiba Corporation y Mitsubishi Electric Corporation, mejoraron las actividades operativas de los dispositivos GaN para cumplir con su demanda. Se anticipa que esto aumentará significativamente las entregas de los sistemas basados ​​en GaN. Sin embargo, varias compañías como Cree, Inc., Infineon Technologies AG y Epistar Corporation están invirtiendo en la transformación digital de dispositivos GaN para proporcionar una mejor productividad, agilidad y conectividad. Esto podrá recuperar el mercado durante el período de 2022-2027.

Descripción general del panorama de la industria del nitruro de galio (GaN)

Tamaño y pronóstico del mercado:

• Tamaño del mercado de 2019: USD 20.56 mil millones
• Tamaño del mercado 2020: USD 21.18 mil millones
• Tamaño del mercado de pronóstico 2032: USD 39.74 mil millones
• CAGR: 5.20% de 2020–2032

Cuota de mercado:

• América del Norte dominó el mercado de dispositivos GaN con una participación del 35.89% en 2019, impulsada por un fuerte gasto en electrónica de defensa, la adopción temprana de infraestructura 5G y la presencia de jugadores principales como Cree, Qorvo, EPC e Instrumentos de Texas.
• Por tipo de dispositivo, los opto-semiconductores tenían la mayor participación de mercado en 2019 debido a aplicaciones generalizadas en LED, células solares, diodos láser y LiDAR, particularmente en aeroespacial y defensa.
• Por tamaño de oblea, las obleas GaN de 4 pulgadas representaron la mayor participación en 2019, respaldada por su eficiencia en la infraestructura de telecomunicaciones, la comunicación por satélite y los sistemas de amplificadores de alta frecuencia.

Destacados del país clave:

• Estados Unidos: el crecimiento se debe a la expansión de aplicaciones de GaN en sistemas de radar, guerra electrónica, comunicaciones 5G y programas de modernización militar.
• China: el despliegue de 5G a gran escala, la fabricación nacional fuerte y las iniciativas de autosuficiencia de semiconductores respaldados por el gobierno están alimentando la demanda de GaN.
• Japón: Empresas como Toshiba y Mitsubishi Electric están liderando la innovación en dispositivos GaN para vehículos eléctricos, comunicación óptica y alimentación de alta eficiencia.
• Alemania: la adopción está respaldada por la automatización industrial, los proyectos de energía renovable y la demanda de sistemas de energía EV de eficiencia energética.
• India: el uso creciente de GaN en la comunicación por satélite, la aviónica de defensa y las estaciones base de telecomunicaciones bajo iniciativas como Make in India está impulsando la expansión del mercado.
• Canadá: GaN Systems está encabezando la adopción de la electrónica automotriz, industrial y de consumo con transistores de energía GaN de alta eficiencia.
• Medio Oriente: GaN está ganando tracción en la instrumentación de petróleo y gas, sistemas de seguridad avanzados y aplicaciones de telecomunicaciones de alto rendimiento.

Tendencias del mercado de dispositivos de nitruro de galio

La introducción de cargadores móviles rápidos con tecnología GaN es una tendencia significativa 

La integración de la tecnología GaN está proporcionando capacidad de carga rápida a los teléfonos móviles. En septiembre de 2020, BBK Electronics (Oppo Company) anunció la adopción completa de IC de potencia de nitruro de galio para permitir la producción de cargadores de batería rápida de 50 vatios ultra delgados. El uso de componentes GaN y soluciones de control integradas se establecen para reducir el tiempo de carga de los móviles. Los dispositivos de nitruro de galio se utilizan para administrar las soluciones de potencia de ultra alta frecuencia para desencadenar una revolución en el campo de la fuente de alimentación. Es probable que el uso creciente de semiconductores de nitruro de galio en el diseño de radar impulse el crecimiento del mercado. Además, los semiconductores GaN se utilizan en aviones de combate para construir radios tácticos para comunicaciones de banda ancha. América del Norte fue testigo del crecimiento del mercado de dispositivos de nitruro de galio de USD 7.14 mil millones en 2018 a USD 7.38 mil millones en 2019.

Factores de crecimiento del mercado de dispositivos de nitruro de galio

Uso creciente de GaN para aplicaciones comerciales para impulsar el crecimiento

Se espera que la creciente demanda de dispositivos GaN de eficiencia energética y semiconductores de energía en la comunicación cableada impulsen el crecimiento del mercado. Este crecimiento se atribuye a la expansión del dominio de telecomunicaciones, ya que varios proveedores de servicios de Internet se centran principalmente en proporcionar redes con mayor capacidad, conectividad ubicua y menor latencia con cables de cable óptico. El carburo de silicio (SIC) y los semiconductores a base de nitruro de galio son eficientes en energía, ya que permiten una mayor eficiencia energética a un costo menor. Infineon Technologies está fabricando silicio (SI), carburo de silicio (SIC) y nitruro de galio (GaN) para desarrollar diodos emisores de luz (LED) y arrugadores para proporcionar protección de brecha externa para transformadores de potencia.

El uso potencial de nitruro de galio enInfraestructura 5GTambién está listo para aumentar el crecimiento del mercado. La tecnología 4G será reemplazada por tecnologías 5G en términos de capacidad de tráfico, latencia, eficiencia energética y velocidades de datos.  Se proyecta que la tecnología 5G se lanzará comercialmente en el año 2021. Proporcionaría numerosos beneficios, como una red de comunicación más eficiente con menos costo. Los gigantes de las telecomunicaciones como AT&T y Nokia participan en la iniciativa de investigación y desarrollo (I + D) para construir la tecnología 5G en los Estados Unidos

Uso creciente de componentes basados ​​en GaN en la industria de defensa para impulsar el crecimiento

Se anticipa el uso creciente de sistemas GaN tecnológicamente avanzados en el sector de defensa y aeroespacial para impulsar el crecimiento del mercado. El crecimiento se atribuye a la creciente necesidad de un mayor ancho de banda, así como la confiabilidad del rendimiento en las comunicaciones de radio, los radares, la guerra electrónica y otros. El material SIC es una opción ideal para la fabricación de chaquetas a prueba de balas debido a su resistencia y dureza. Los IC basados ​​en GaN se utilizan en radares para permitir una navegación eficiente y en tiempo realcontrol de tráfico aéreo. Además, GaN puede proporcionar frecuencias operativas más altas para intermediarios militares, radios terrestres y comunicación de radar. Se proyecta que la creciente adopción de transistores de poder GaN de banda ancha de varias fuerzas de defensa en todo el mundo ayude a un crecimiento.

Factores de restricción

La reducción del presupuesto de defensa puede limitar el crecimiento

La Oficina de Presupuesto del Congreso de los Estados Unidos estimó que el déficit presupuestario federal es de USD 3.7 billones en el año fiscal actual (2020-2021) y superará hasta USD 2 billones en el año financiero de 2021 como resultado de un alto gasto en la recuperación Covid-19. Está listo para reflejar una implicación a largo plazo en el presupuesto de defensa. El presupuesto de defensa se redujo debido al déficit en el presupuesto federal. La reducción en el presupuesto de defensa afectará directamente la menor demanda deradares militares, radios tácticos y radios definidos por software. Cambiará aún más la dinámica de esta industria global. Además, el alto costo de desarrollo y mantenimiento asociado con los componentes del nitruro de galio de la construcción es un factor principal que puede obstaculizar el crecimiento de este mercado.

Análisis de segmentación del mercado de dispositivos de nitruro de galio

Por análisis de tipo de dispositivo

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Segmento de dispositivos opto-semiconductor para dominar el aumento del uso de células solares y láser

Sobre la base del tipo de dispositivo, el mercado está segmentado en dispositivos opto-semiconductores, dispositivos de semiconductores de potencia y dispositivos de semiconductores de RF. El segmento de dispositivos opto-semiconductor tenía una cuota de mercado de dispositivos de nitruro de galio dominante en 2019. Este crecimiento es atribuible a la creciente demanda de dispositivos opto-semiconductores en las aplicaciones de células solares, fotodiodos, láseres, LED y optoelectrónicos. Además, los opto-semiconductores se utilizan principalmente en aplicaciones aeroespaciales como láser pulsado yDetección y rango de luz (LiDAR), que impulsaría el crecimiento segmentario.

El semiconductor de potencia se usa principalmente en satélites, transbordadores espaciales y aviones con el propósito de suministro de energía. Se proyecta que el segmento de semiconductores de RF registre una CAGR más alta durante el período de pronóstico, avivado por el uso creciente de este dispositivo en aplicaciones avanzadas de comunicación móvil. Tiene numerosas propiedades beneficiosas, como la alta amplificación de corriente y el bajo consumo de energía fuera del estado.

Por análisis del tamaño de la oblea

Segmento de obleas de 4 pulgadas para mantener la mayor participación alimentada por el uso en amplificadores de alta potencia

Sobre la base del tamaño de la oblea, el mercado se clasifica como oblea de 2 pulgadas, oblea de 4 pulgadas y oblea de 6 pulgadas y por encima de la oblea. El tamaño de 2 pulgadas es una combinación de compuestos esotéricos como el fosfuro de indio y el grafeno. Se utiliza principalmente en aplicaciones de defensa. El segmento de oblea de 4 pulgadas mantuvo la mayor parte del mercado durante el período de pronóstico. Este crecimiento se debe a su creciente demanda de uso de dispositivos optoelectrónicos, frontendos de telecomunicaciones, amplificadores de alta potencia y dispositivos de alta temperatura. La adaptabilidad de un sustrato de 4 pulgadas para aplicaciones de comunicación espacial también está establecida para acelerar el crecimiento.

Se proyecta que el segmento de obleas de 6 pulgadas y superior registrará una CAGR más alta durante el período de pronóstico. Este crecimiento se ve impulsado por el uso creciente de esta oblea en el equipo de defensa para un alto voltaje de descomposición y una baja fuga de corriente. La creciente adopción de esta oblea en aplicaciones comerciales, como los sistemas de evitación de colisión automotriz y las estaciones base inalámbricas de la base celular, también contribuiría al crecimiento.

Por análisis de componentes

Segmento de transistores a plomo avivado por su creciente adopción en dispositivos habilitados para 4G

Basado en componentes, elMercado de dispositivos de nitruro de galioestá segmentado en el transistor, el diodo, el rectificador, la potencia IC y otros. El segmento de transistores tendrá una participación dominante en el mercado durante los próximos años debido a la creciente adopción de transistores en dispositivos habilitados para 4G. Además, la creciente adopción de transistores de GaN en sistemas de propulsión para vehículos eléctricos en forma de transistores bipolares de puerta aislados y transistores de efectos de campo también reforzaría el crecimiento.

Los diodos se utilizan para aislar las señales de las fuentes de suministro. Son válvulas de retención eléctrica y permiten que la electricidad fluya de positivo a negativo en una sola dirección. La rectificación, la emisión de luz y la disipación de carga inductiva son algunas de las principales características de los diodos.

Los rectificadores son convertidores de potencia utilizados para convertir la corriente alterna (AC) en corriente continua (DC) y viceversa. Actúan como fuentes de alimentación para televisión, equipos informáticos y comunicación de radio táctica.

Se anticipa que el segmento de IC de potencia exhibirá una CAGR significativa durante el período de pronóstico. Este crecimiento se atribuye al uso creciente de ICS basados ​​en GaN en las estaciones inalámbricas de base de aire para mejorar la confiabilidad de la comunicación. El segmento otros consiste en un diodo rectificador, utilizado en varias aplicaciones, como rectificar un voltaje, convertir el CA en voltajes de CC y mezclar varias señales.       

Por análisis de la aplicación

Aumento del uso en aviones de combate para aumentar la detección de luz y el segmento de rango

En términos de aplicación, el mercado de dispositivos de nitruro de galio está segmentado en detección de luz y rango, carga inalámbrica y EV, radiofrecuencia de radar y satélite, y otros. Se espera que la detección de luz y el segmento de rango alcancen y generen una cuota de mercado dominante en los próximos años. El dominio se debe a su uso creciente en aviones de combate para calcular distancias. Se realiza iluminando el objetivo con la ayuda de la luz láser y calculando el reflejo con un sensor. Se anticipa que la alta demanda de UAV LiDAR en aplicaciones de mapeo de corredores aumenta el crecimiento.

Se anticipa que el segmento de carga inalámbrica y EV exhibirá una CAGR significativa. Este crecimiento se atribuye a la creciente demanda de vehículos eléctricos en todo el mundo. En las operaciones del campo de batalla, los guerreros pueden transportar 15 kg o más de baterías para alimentar sus radios y otros dispositivos electrónicos, que son críticos para sus misiones. Es probable que la carga inalámbrica y EV eliminen la carga adicional de baterías, aumentando así la eficiencia del soldado para las operaciones del campo de batalla.

El sistema de radar con sede en GaN está diseñado para proteger los aviones y las embarcaciones navales de cohetes, artillería, misiles de crucero,Vehículos aéreos no tripulados (UAV), morteros y otros objetivos bajos observables. La radiofrecuencia satelital se usa para comunicaciones satelitales, redes de televisión por satélite a tiempo completo, así como alimentos satelitales crudos. Las subbandaciones de frecuencia de radar de banda X se utilizan principalmente en instituciones civiles, militares y gubernamentales para el control del tráfico aéreo, el control del tráfico de embarcaciones marítimas, el monitoreo del clima y la detección de velocidad del vehículo para la aplicación de la ley.

El otro segmento consiste en controladores de energía. Están revolucionando el mundo de la ingeniería de energía al mejorar la velocidad, aumentar la eficiencia y proporcionar una mayor densidad de potencia mediante el uso de MOSFET de silicio.

Por análisis del usuario final

El segmento de defensa para registrar una CAGR más alta durante el período de pronóstico

En términos de usuarios finales, el mercado está segmentado en tecnología aeroespacial, de defensa, atención médica, renovable, información y comunicación, y otros. Se espera que el segmento de tecnología de información y comunicación obtenga una participación dominante. Ocurriría debido a la creciente adopción de la tecnología de Internet de las cosas (IoT) para aplicaciones comerciales. Las aplicaciones como el análisis en tiempo real, la inteligencia artificial (IA) y la conectividad con el advenimiento de 5G pueden cambiar las actividades de los dispositivos locales hacia la tecnología en la nube.

En el segmento aeroespacial, los dispositivos GaN se utilizan principalmente en células pequeñas, densificación de red de cabezal de radio remota y sistemas de antena distribuida (DAS). Estos dispositivos se utilizan en centros de datos, servidores, líneas de transmisión, estaciones base y comunicación por satélite. Se proyecta que la creciente demanda de dispositivos y componentes de IoT rentables, imágenes médicas, radiografía, ultrasonido y resonancia magnética basadas en IA, favorecen el crecimiento del crecimiento.

Se anticipa que el segmento de defensa proyectará una CAGR significativa durante el período de pronóstico. Este crecimiento se atribuye a la creciente adopción de sistemas basados ​​en GaN en radar militar,guerra electrónica, contrarrestar a Jammers y estaciones base 3G/4G. Estos dispositivos tienen características únicas y, por lo tanto, se utilizan para construir equipos y dispositivos industriales optoelectrónicos eficientes para las aplicaciones de energía renovable y a alta temperatura utilizadas en la industria de los consumidores y las empresas.

Ideas regionales

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El tamaño del mercado de dispositivos de nitruro de galio (GaN) en América del Norte se situó en USD 7.38 mil millones en 2019. Se proyecta que el mercado en esta región sea el más grande durante el período de pronóstico. Este crecimiento se debe a la presencia de actores clave en los EE. UU., A saber, Cree, Inc., Eficiente Corporación de Conversión de Power., Macom, Microsemi, Northrop Grumman Corporation, Qorvo, Inc. y otros. El dominio de esta región también es atribuible a la creciente adquisición de dispositivos de nitruro de galio y otras tecnologías relacionadas en los EE. UU. Y Canadá. Las empresas privadas como Texas Instruments Incorporated y Qorvo, Inc se centran en recaudar fondos para construir dispositivos basados ​​en GaN en los EE. UU. 

Se proyecta que el mercado en Europa crecerá significativamente durante el período de pronóstico. Este crecimiento se atribuye a la creciente demanda de dispositivos inalámbricos en el Reino Unido, Francia y Alemania. Se espera gradualmente que la industria de la aviación en el Reino Unido adopte una solución avanzada de gestión de energía en dispositivos SIC para aplicaciones de suministro de energía y control de motor. El SIC es un componente de bajo peso que se utiliza principalmente para reducir el consumo de combustible y las emisiones en la industria de la aviación.

Se espera que Asia Pacífico registre un crecimiento considerable respaldado por la presencia de actores clave del mercado en esta región, como Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation y Toshiba Corporation. También se anticipa que la alta demanda de dispositivos GaN de economías emergentes, como China e India, de uso en su industria de defensa, favorecerá el crecimiento.

En el Medio Oriente, la creciente demanda de dispositivos GaN de Arabia Saudita para la exploración de petróleo y gas en alta mar y los servicios médicos de emergencia pueden impulsar el crecimiento. También se estima que el resto del mundo exhibe un crecimiento significativo debido a la creciente adopción de la tecnología IoT en África y América Latina.

Actores clave de la industria

Los jugadores clave se centran en la expansión comercial a través de nuevos lanzamientos de productos y contratos de firma

La industria está representada por la presencia de muchos jugadores dominantes que tienen importantes cuotas de mercado. Se están centrando en asociaciones estratégicas, fusiones y adquisiciones y colaboraciones. El panorama de la competencia del mercado muestra la dominación de jugadores seleccionados como Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Eficiente Corporación de Conversión de Power., Epistar Corporation, GaN Systems y Macom. Los jugadores clave se centran principalmente en diversas carteras de productos del semiconductor de nitruro de galio global, gestión de inventario, gestión de la cadena de suministro, mantenimiento y otras soluciones.  En junio de 2019, Integra Technologies y la Fuerza Aérea de EE. UU. (USAF) firmaron un contrato para expandir la tecnología de dispositivos GaN para aplicaciones de radar. La tecnología del dispositivo de semiconductores de nitruro GaN se usa principalmente para aplicaciones de potencia de radiofrecuencia de estado sólido (RF).

Lista de las principales compañías de dispositivos de nitruro de galio:

• Cree, Inc. (Estados Unidos)
• Infineon Technologies AG(Alemania)
• Corporación de conversión de energía eficiente. (Estados Unidos)
• Epistar Corporation (Taiwán)
• GaN Systems (Canadá)
• Macom (Estados Unidos)
• Microsemi (Estados Unidos)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japón)
• Nichia Corporation (Japón)
• Northrop Grumman Corporation (Estados Unidos)
• Semiconductores NXP. (Países Bajos)
• Qorvo, Inc (Estados Unidos)
• Texas Instruments Incorporated. (Estados Unidos)
• Toshiba Corporation (Japón)

Desarrollos clave de la industria:

• Enero de 2025 -Wolfspeed lanzó su plataforma de tecnología MOSFET Gen 4, ofreciendo un rendimiento innovador para aplicaciones de alta potencia, mejorando la eficiencia y la confiabilidad en condiciones del mundo real.
• Noviembre de 2024 -Infineon introdujo la primera tecnología de obleas de nitruro de galio de energía de 300 mm del mundo en la electrónica 2024, marcando un avance significativo en la fabricación de productos electrónicos de energía.
• Febrero de 2024 -En APEC 2024, EPC mostró su cartera integral de soluciones de energía basadas en GaN, demostrando avances en computación de alta densidad, unidades de motor, electrificación automotriz y aplicaciones satelitales.
• Octubre de 2023 -Gan Systems introdujo su plataforma de energía GAN de cuarta generación, ofreciendo una ventaja de rendimiento del 20%, mejorando la eficiencia en aplicaciones de vehículos de consumo, industriales y eléctricos.
• Octubre de 2023 - Infineon Technologies AG completó la adquisición de sistemas GaN, fortaleciendo su cartera de GaN y reforzando su liderazgo global en sistemas de energía.
• Noviembre de 2024 -MACOM fue seleccionado para liderar un proyecto de desarrollo para establecer nitruro de galio avanzado (GaN) en tecnologías de proceso de carburo de silicio (sic) para aplicaciones de radiofrecuencia y microondas.
• Septiembre de 2024 -En ECOC 2024, MACOM mostró sus soluciones de conectividad analógica de alta velocidad, presentando tecnologías de semiconductores avanzadas que configuran el futuro de la conectividad de alta velocidad.
• Abril de 2025 -Microchip dio a conocer un nuevo módulo de potencia de alta densidad diseñado para IA en las aplicaciones de borde, mejorando el rendimiento y la eficiencia en factores de forma compacta.
• 2024 -La compañía amplió su ecosistema MI-V RISC-V, que ofrece un conjunto de herramientas y recursos de diseño que respaldan iniciativas RISC-V, facilitando el desarrollo acelerado de sistemas integrados.

Cobertura de informes

An Infographic Representation of Gallium Nitride (GaN) Devices Market

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El informe de investigación de mercado del dispositivo de nitruro de galio proporciona un análisis estructurado del mercado. Se centra principalmente en aspectos clave como los principales actores del mercado, el tipo de dispositivo, los componentes, las aplicaciones, la presencia industrial de dispositivos GaN de nitruro de galio globales y las principales tendencias tecnológicas del mercado de dispositivos de semiconductores GaN. Además de esto, el informe ofrece lo más destacado de los desarrollos clave de la industria. Además, ofrece varios factores que han contribuido a la tasa de crecimiento del informe del mercado de dispositivos de semiconductores GaN en los últimos años.

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