Taille du marché du nitrure de gallium Taille du marché, partage et analyse d'impact Covid-19, par type de périphérique (dispositif opto-semiconductor, dispositif semi-conducteur de puissance et dispositif semi-conducteur RF), par tranche de la tranche (bafonge de 2 pouces, décolleté de 4 pouces, puissance IC et autre Charge, radiofréquence radar et satellite, et autres), par l'utilisateur final et les prévisions régionales, 2020-2027

La taille du marché mondial des appareils de nitrure de gallium était de 20,56 milliards USD en 2019 et devrait passer de 21,18 milliards USD en 2020 à 39,74 milliards USD en 2032 à un TCAC de 5,20% au cours de la période 2020-2032. L'Amérique du Nord a dominé le marché des appareils de nitrure de gallium avec une part de marché de 35,89% en 2019.

L'augmentation du TCAC est attribuable à la demande et à la croissance de ce marché, revenant aux niveaux pré-pandemiques une fois la pandémie terminée. L'impact mondial de Covid-19 a été sans précédent et stupéfiant, avec des appareils de nitrure de gallium (GAN) témoignant d'un impact positif sur la demande dans toutes les régions au milieu de la pandémie. Sur la base de notre analyse, le marché mondial des dispositifs GAN affichera une croissance de 1,03% en 2020 par rapport à la croissance moyenne en glissement annuel en 2016-2019.

Le nitrure de gallium (GAN) est un dispositif semi-conducteur de l'écart de troisième bande technologiquement avancé. Le dispositif GAn est bien adapté pour les transistors à haute puissance et est capable de fonctionner à des températures élevées. Les grands champs électriques, une plus grande efficacité énergétique, une vitesse de saturation plus élevée, une tension de dégradation et une conduction thermique sont les principales caractéristiques du dispositif à base de Gan. En février 2020, Stmicroelectronics and Taiwan Semiconductor Manufacturing Company a collaboré pour accélérer le développement de la technologie de processus GAN pour l'offre d'origine intégrée et discrète.

La pandémie Covid-19 pour augmenter la demande soutenue par des ventes plus élevées de systèmes basés sur l'IoT

La pandémie Covid-19 a eu un impact positif sur le marché. Cette croissance est attribuée à la demande croissante de produits et services électroniques au cours de la période de mars 2020 à septembre 2020. Les États-Unis, la Chine et l'Union européenne mettent en œuvre des verrouillage nationaux pour réduire l'effet du coronavirus. Au cours de l'ère de verrouillage, plusieurs sociétés multinationales ont présenté des règles et réglementations gouvernementales strictes pour lancer la culture du travail à domicile, qui devrait refléter la demande croissante de produits électroniques tels que les mobiles, les chargeurs, les ordinateurs portables et les appareils basés sur l'IoT. La forte demande de chargeurs rapides et de services basés sur l'IoT devrait augmenter directement les ventes de systèmes de semi-conducteurs à base de nitrure de gallium. La pandémie Covid-19 améliorerait la chaîne d'approvisionnement et entraînerait la croissance des dispositifs de semi-conducteurs de nitrure de gallium (GAN). Ainsi, il devrait avoir un effet positif sur le marché.

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Parmi toutes les régions, le marché en Amérique du Nord et en Asie-Pacifique a présenté le plus d'impact en raison de l'améliorationgestion de la chaîne d'approvisionnementdes fabricants. Les sociétés situées en Asie-Pacifique, comme Toshiba Corporation et Mitsubishi Electric Corporation, ont amélioré les activités opérationnelles des appareils GAN pour répondre à leur demande. Cela devrait augmenter considérablement les livraisons des systèmes GAN. Cependant, plusieurs sociétés telles que Cree, Inc., Infineon Technologies AG et Epistar Corporation investissent dans la transformation numérique des appareils Gan pour fournir une meilleure productivité, agilité et connectivité. Cela pourra récupérer le marché au cours de la période 2022-2027.

Présentation du paysage de l'industrie du nitrure de gallium mondial (GAN)

Taille et prévisions du marché:

• Taille du marché 2019: 20,56 milliards USD
• 2020 Taille du marché: 21,18 milliards USD
• 2032 Taille du marché des prévisions: 39,74 milliards USD
• CAGR: 5,20% de 2020 à 2032

Part de marché:

• L'Amérique du Nord a dominé le marché des dispositifs GAN avec une part de 35,89% en 2019, tirée par de solides dépenses électroniques de défense, l'adoption précoce de l'infrastructure 5G et la présence d'acteurs majeurs tels que Cree, Qorvo, EPC et Texas Instruments.
• Par type d'appareil, les opto-sémicondeurs détenaient la plus grande part de marché en 2019 en raison des applications généralisées dans les LED, les cellules solaires, les diodes laser et le lidar, en particulier en aérospatiale et en défense.
• Par la taille de la plaquette, les gaufrettes GAn de 4 pouces ont représenté la plus grande part de 2019, soutenue par leur efficacité dans l'infrastructure de télécommunications, la communication par satellite et les systèmes d'amplificateurs à haute fréquence.

Faits saillants du pays clé:

• États-Unis: La croissance est motivée par les applications croissantes du GAN dans les systèmes radar, la guerre électronique, les communications 5G et les programmes de modernisation militaire.
• Chine: déploiement 5G à grande échelle, solide fabrication intérieure et initiatives d'auto-réalisation des semi-conducteurs soutenus par le gouvernement alimentent la demande de Gan.
• Japon: des entreprises comme Toshiba et Mitsubishi Electric sont de la principale innovation dans les appareils GAN pour les véhicules électriques, la communication optique et les alimentations à haute efficacité.
• Allemagne: L'adoption est soutenue par l'automatisation industrielle, les projets d'énergie renouvelable et la demande de systèmes d'alimentation EV éconergétiques.
• Inde: Augmentation de l'utilisation du GAN dans la communication par satellite, l'avionique de la défense et les stations de base de télécommunications dans des initiatives comme Make in India, la stimulation du marché.
• Canada: Gan Systems est le fer de lance de l'adoption dans l'électronique automobile, industrielle et grand public avec des transistors GaN à haute efficacité.
• Moyen-Orient: Gan gagne du terrain dans l'instrumentation pétrolière et gazière, les systèmes de sécurité avancés et les applications de télécommunications à haute performance.

Tendances du marché des appareils de nitrure de gallium

L'introduction de chargeurs mobiles rapides avec la technologie Gan est une tendance importante 

L'intégration de la technologie GAN offre une capacité de chargement rapide aux combinés mobiles. En septembre 2020, BBK Electronics (OPPO Company) a annoncé l'adoption complète des ICS de puissance de nitrure de gallium pour permettre la production de chargeurs de batterie rapides de 50 watts ultra-minces. L'utilisation de composants GaN et de solutions de contrôle intégrées est définie pour réduire le temps de charge des mobiles. Les dispositifs de nitrure de gallium sont utilisés pour gérer les solutions d'alimentation ultra-haute fréquence pour déclencher une révolution dans le champ d'alimentation. L'utilisation croissante des semi-conducteurs de nitrure de gallium dans la conception radar est susceptible de propulser la croissance du marché. De plus, les semi-conducteurs GaN sont utilisés dans des avions de combat pour construire des radios tactiques pour les communications à large bande. L'Amérique du Nord a connu une croissance du marché des appareils de nitrure de gallium de 7,14 milliards de dollars en 2018 à 7,38 milliards USD en 2019.

Facteurs de croissance du marché des appareils de nitrure de gallium

Utilisation croissante du GAN pour les applications commerciales pour propulser la croissance

La demande croissante de dispositifs GaN et d'énergie énergétique et de semi-conducteurs de puissance dans la communication câblée devrait propulser la croissance du marché. Cette croissance est attribuée à l'expansion du domaine des télécommunications, car divers fournisseurs de services Internet se concentrent principalement sur la fourniture de réseaux avec une capacité plus élevée, une connectivité omniprésente et une latence plus faible avec des fils de câble optique. Le carbure de silicium (SIC) et les semi-conducteurs à base de nitrure de gallium sont économes en énergie car ils permettent une plus grande efficacité énergétique à un coût inférieur. Infineon Technologies fabrique du silicium (SI), du carbure de silicium (sic) et du nitrure de gallium (GAN) pour développer des diodes électroluminescentes (LED) et des arrestations de foudre pour fournir une protection externe d'espace pour les transformateurs de puissance.

L'utilisation potentielle du nitrure de gallium dansInfrastructure 5Gdevrait également augmenter la croissance du marché. La technologie 4G sera remplacée par des technologies 5G en termes de capacité de trafic, de latence, d'efficacité énergétique et de débits de données.  La technologie 5G devrait être lancée commercialement en 2021. Elle offrirait de nombreux avantages, comme un réseau de communication plus efficace avec moins de coûts. Les géants des télécommunications tels que AT&T et Nokia participent à l'initiative de recherche et développement (R&D) pour construire la technologie 5G à travers les États-Unis.

Utilisation croissante de composants GAN dans l'industrie de la défense pour alimenter la croissance

L'utilisation croissante des systèmes GaN technologiquement avancés dans le secteur de la défense et de l'aérospatiale devrait augmenter la croissance du marché. La croissance est attribuée à l'augmentation du besoin d'une bande passante accrue, ainsi qu'à la fiabilité des performances dans les communications radio, les radars, la guerre électronique et autres. Le matériau SIC est un choix idéal pour la fabrication de vestes à l'épreuve des balles en raison de sa résistance et de sa dureté. Les CI basés sur le GAN sont utilisés dans les radars pour permettre une navigation efficace et en temps réelcontrôle du trafic aérien. De plus, Gan peut fournir des fréquences de fonctionnement plus élevées pour les brouilleurs militaires, les radios terrestres et la communication radar. L'adoption croissante des transistors Gan Power à large bande de plusieurs forces de défense dans le monde devrait faciliter la croissance.

Facteurs de contenus

La réduction du budget de la défense peut limiter la croissance

L'Office budgétaire du Congrès américain a estimé que le déficit budgétaire fédéral est de 3,7 billions USD au cours de l'exercice en cours (2020-2021) et dépassera jusqu'à 2 billions USD au cours de l'exercice 2021 en raison de dépenses élevées pour le rétablissement de Covid-19. Il devrait refléter une implication à long terme sur le budget de la défense. Le budget de la défense a été réduit en raison du déficit du budget fédéral. La réduction du budget de la défense aura un impact directement sur la moindre demande deradars militaires, radios tactiques et radios définies par logiciel. Cela modifiera davantage la dynamique de cette industrie mondiale. En outre, le coût élevé de développement et de maintenance associé à la construction de composants de nitrure de gallium est un facteur primordial qui peut entraver la croissance de ce marché.

Analyse de segmentation du marché du dispositif de nitrure de gallium

Par analyse du type de périphérique

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Segment de dispositifs opto-semiconductor pour dominer la hausse de l'utilisation des cellules solaires et des lasers

Sur la base du type d'appareil, le marché est segmenté en dispositifs opto-semi-conducteurs, aux dispositifs de semi-conducteurs de puissance et aux dispositifs de semi-conducteurs RF. Le segment des dispositifs opto-semiconducteurs détenait une part de marché de dispositifs de nitrure de gallium dominant en 2019. Cette croissance est attribuable à la demande croissante de dispositifs opto-semiconducteurs dans les applications des cellules solaires, des photodiodes, des lasers, des LED et de l'optoélectronique. De plus, les opto-sémiconducteurs sont largement utilisés dans les applications aérospatiales telles que le laser pulsé etDétection de la lumière et allant (lidar), ce qui propulserait la croissance segmentaire.

Le semi-conducteur de puissance est largement utilisé dans les satellites, les navettes spatiales et les avions à des fins d'alimentation électrique. Le segment des semi-conducteurs RF devrait enregistrer un TCAC plus élevé au cours de la période de prévision, ravi par l'utilisation croissante de cet appareil dans des applications de communication mobile avancées. Il possède de nombreuses propriétés bénéfiques, telles qu'une amplification à courant élevé et une faible consommation d'énergie hors État.

Par analyse de taille de plaquette

Segment de plaquette de 4 pouces pour maintenir la part la plus élevée alimentée par l'utilisation des amplificateurs de haute puissance

Sur la base de la taille de la plaquette, le marché est classé comme une tranche de 2 pouces, une tranche de 4 pouces et une tranche de 6 pouces et plus. La taille de 2 pouces est une combinaison de composés ésotériques tels que le phosphure d'indium et le graphène. Il est largement utilisé dans les applications de défense. Le segment de la plaquette de 4 pouces détenait la plus grande part du marché au cours de la période de prévision. Cette croissance est due à sa demande croissante pour l'utilisation des dispositifs d'optoélectronique, des fronts de télécommunications, des amplificateurs de haute puissance et des dispositifs à haute température. L'adaptabilité d'un substrat de 4 pouces pour les applications de communication spatiale est également définie pour accélérer la croissance.

Le segment de 6 pouces et supérieur à la plaquette devrait enregistrer un TCAC plus élevé au cours de la période de prévision. Cette croissance est alimentée par l'utilisation croissante de cette tranche dans l'équipement de défense pour une tension de dégradation élevée et une fuite de courant faible. L'adoption croissante de cette tranche dans des applications commerciales, telles que les systèmes de collision automobile et les stations de base cellulaire sans fil, contribuerait également à la croissance.

Par analyse des composants

Segment de transistor pour diriger Stoked par leur adoption croissante dans les appareils compatibles 4G

En fonction des composants, leMarché de l'appareil nitrure de galliumest segmenté dans le transistor, la diode, le redresseur, la puissance IC et autres. Le segment des transistors tiendra une part dominante sur le marché au cours des années à venir en raison de l'adoption croissante des transistors dans des appareils compatibles 4G. En outre, l'adoption croissante des transistors GaN dans les systèmes de propulsion pour les véhicules électriques sous la forme de transistors bipolaires de porte isolés et d'effets sur le terrain renforcerait également la croissance.

Les diodes sont utilisées pour isoler les signaux des sources d'alimentation. Ce sont des vannes d'électricité et permettent à l'électricité de passer de positif à négatif dans une seule direction. La rectification, l'émission de lumière et la dissipation de charge inductive sont quelques-unes des principales caractéristiques des diodes.

Les redresseurs sont des convertisseurs de puissance utilisés pour convertir le courant alternatif (AC) en courant direct (DC) et vice versa. Ils agissent comme des alimentations pour la télévision, l'équipement informatique et la communication radio tactique.

Le segment Power IC devrait présenter un TCAC significatif au cours de la période de prévision. Cette croissance est attribuée à l'utilisation croissante des circuits intégrés de puissance basés sur GAN dans les stations de base aérienne sans fil pour améliorer la fiabilité de la communication. Le segment des autres consiste en une diode de redresseur, utilisée dans plusieurs applications telles que rectifier une tension, transformer CA en tensions CC et mélanger divers signaux.       

Par analyse des applications

Utilisation croissante dans les avions de combat pour augmenter le segment de détection de lumière et de télévision

En termes d'application, le marché des dispositifs de nitrure de gallium est segmenté en détection de lumière et en service, la charge sans fil et EV, la radiofréquence radar et satellite, et autres. Le segment de détection de lumière et de variété devrait atteindre et générer une part de marché dominante dans les années à venir. La domination est due à son utilisation croissante dans les avions de combat pour calculer les distances. Cela se fait en illuminant la cible à l'aide de la lumière laser et en calculant la réflexion avec un capteur. La forte demande de LiDAR d'UAV dans les applications de cartographie des couloirs devrait augmenter la croissance.

Le segment de charge sans fil et EV devrait présenter un TCAC important. Cette croissance est attribuée à la demande croissante de véhicules électriques à travers le monde. Dans les opérations du champ de bataille, les combattants peuvent transporter 15 kg ou plus de batteries pour alimenter leurs radios et autres appareils électroniques, qui sont essentiels pour leurs missions. La charge sans fil et EV est susceptible d'éliminer la charge supplémentaire de batteries, augmentant ainsi l'efficacité du soldat pour les opérations du champ de bataille.

Le système radar à base de GAN est conçu pour protéger les avions et les navires navals des roquettes, de l'artillerie, des missiles de croisière,véhicules aériens sans pilote (UAU), mortiers et autres cibles à faible tentative. La fréquence radio-satellite est utilisée pour les communications par satellite, les réseaux de télévision par satellite à temps plein, ainsi que pour les flux de satellites bruts. Les sous-bandes de fréquence radar en bande X sont largement utilisées dans les institutions civiles, militaires et gouvernementales pour le contrôle de la circulation aérienne, le contrôle du trafic des navires maritimes, la surveillance des intempéries et la détection de la vitesse des véhicules pour l'application de la loi.

L'autre segment se compose de moteurs de puissance. Ils révolutionnent le monde de l'ingénierie de l'énergie en améliorant la vitesse, en augmentant l'efficacité et en fournissant une densité de puissance plus élevée en utilisant des MOSFET de silicium.

Par analyse de l'utilisateur final

Le segment de la défense pour enregistrer un TCAC plus élevé au cours de la période de prévision

En termes d'utilisateurs finaux, le marché est segmenté en aérospatiale, défense, soins de santé, énergies renouvelables, technologies de l'information et de la communication, et autres. Le segment des technologies de l'information et de la communication devrait se procurer une part dominante. Cela se produirait en raison de l'adoption croissante de la technologie de l'Internet-of-Things (IoT) pour les applications commerciales. Des applications telles que l'analyse en temps réel, l'intelligence artificielle (IA) et la connectivité avec l'avènement de la 5G peuvent ainsi déplacer les activités des appareils locaux vers la technologie cloud.

Dans le segment aérospatial, les appareils GaN sont principalement utilisés dans les petites cellules, la densification du réseau radio à distance et les systèmes d'antennes distribuées (DAS). Ces appareils sont utilisés dans les centres de données, les serveurs, les lignes de transmission, les stations de base et la communication par satellite. La demande croissante de dispositifs et composants IoT rentables, l'imagerie médicale basée sur l'IA, la radiographie, l'échographie et l'imagerie par résonance magnétique dans l'industrie de la santé devrait favoriser la croissance

Le segment de la défense devrait projeter un TCAC significatif au cours de la période de prévision. Cette croissance est attribuée à l'adoption croissante des systèmes GAN dans le radar militaire,guerre électronique, Counter IED-Jammers et stations de base 3G / 4G. Ces appareils ont des caractéristiques uniques et sont donc utilisés pour construire des équipements industriels optoélectroniques efficaces pour les énergies renouvelables et les applications à haute température utilisées dans l'industrie des consommateurs et des entreprises.

Idées régionales

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La taille du marché des dispositifs de nitrure de gallium (GAN) en Amérique du Nord s'est élevé à 7,38 milliards USD en 2019. Le marché de cette région devrait être le plus important au cours de la période de prévision. Cette croissance est due à la présence d'acteurs clés aux États-Unis, à savoir Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation., Macom, Microsemi, Northrop Grumman Corporation, Qorvo, Inc. et autres. La domination de cette région est également attribuable à l'achat croissant de dispositifs de nitrure de gallium et d'autres technologies connexes aux États-Unis et au Canada. Des entreprises privées telles que Texas Instruments Incorporated et Qorvo, Inc se concentrent sur la collecte de fonds pour construire des appareils GAN aux États-Unis 

Le marché en Europe devrait augmenter considérablement au cours de la période de prévision. Cette croissance est attribuée à la demande croissante d'appareils sans fil au Royaume-Uni, en France et en Allemagne. L'industrie de l'aviation au Royaume-Uni devrait progressivement adopter une solution de gestion de l'énergie avancée dans les dispositifs SIC pour les applications d'alimentation et de contrôle des moteurs. Le SIC est un composant à faible poids qui est largement utilisé pour réduire la consommation de carburant et les émissions de l'industrie aéronautique.

L'Asie-Pacifique devrait enregistrer une croissance considérable soutenue par la présence d'acteurs clés du marché dans cette région, comme Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation et Toshiba Corporation. La forte demande de dispositifs GAN des économies émergentes, telles que la Chine et l'Inde, pour l'utilisation dans leur industrie de la défense, devrait également favoriser la croissance.

Au Moyen-Orient, la demande croissante de dispositifs GaN en provenance d'Arabie saoudite pour l'exploration offshore du pétrole et du gaz et les services médicaux d'urgence devraient alimenter la croissance. On estime également que le reste du monde présente une croissance significative en raison de l'adoption croissante de la technologie IoT en Afrique et en Amérique latine.

Jouants clés de l'industrie

Les acteurs clés se concentrent sur l'expansion des entreprises grâce à de nouveaux lancements de produits et aux contrats de signature

L'industrie est représentée par la présence de nombreux acteurs dominants détenant des parts de marché importantes. Ils se concentrent sur les partenariats stratégiques, les fusions et les acquisitions et les collaborations. Le paysage de la concurrence du marché illustre la domination des acteurs sélectionnés tels que Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation., Epistar Corporation, Gan Systems et Macom. Les acteurs clés se concentrent principalement sur divers portefeuilles de produits du semi-conducteur de nitrure de gallium mondial, de la gestion des stocks, de la gestion de la chaîne d'approvisionnement, de la maintenance et d'autres solutions.  En juin 2019, Integra Technologies et l'US Air Force (USAF) ont signé un contrat pour étendre la technologie des appareils GAN pour les applications radar. La technologie du dispositif semi-conducteur du nitrure GAn est largement utilisée pour les applications d'alimentation de la radiofréquence (RF) à semi-conducteurs.

LISTE DES TOP GALLIUM NITRIDEPRIDE COMPANES:

• Cree, Inc. (les États-Unis)
• Infineon Technologies AG(Allemagne)
• Efficient Power Conversion Corporation. (Les États-Unis)
• Epistar Corporation (Taiwan)
• Systèmes Gan (Canada)
• Macom (les États-Unis)
• Microsemi (les États-Unis)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japon)
• Nichia Corporation (Japon)
• Northrop Grumman Corporation (les États-Unis)
• Semi-conducteurs NXP. (Pays-Bas)
• Qorvo, Inc (les États-Unis)
• Texas Instruments Incorporated. (Les États-Unis)
• Toshiba Corporation (Japon)

Développements clés de l'industrie:

• Janvier 2025 -WolfSpeed ​​a lancé sa plate-forme technologique MOSFET Gen 4, offrant des performances révolutionnaires pour les applications de haute puissance, améliorant l'efficacité et la fiabilité dans des conditions réelles.
• Novembre 2024 -Infineon a présenté la première technologie mondiale de tranche de nitrure de gallium de 300 mm (GAN) à Electronica 2024, marquant une progression importante dans la fabrication d'électronique de puissance.
• Février 2024 -À l'APEC 2024, l'EPC a présenté son portefeuille complet de solutions d'alimentation basées sur le GAN, démontrant les progrès de l'informatique à haute densité, des lecteurs moteurs, de l'électrification automobile et des applications satellites.
• Octobre 2023 -Gan Systems a introduit sa plate-forme GAN Power de 4e génération, offrant un avantage de performance de 20%, améliorant l'efficacité entre les applications de consommateurs, industrielles et électriques.
• Octobre 2023 - Infineon Technologies AG a terminé l'acquisition de systèmes Gan, renforçant son portefeuille GAN et renforçant son leadership mondial dans les systèmes électriques.
• Novembre 2024 -Macom a été sélectionné pour diriger un projet de développement pour établir un nitrure de gallium avancé (GAN) sur les technologies de processus de carbure de silicium (SIC) pour les applications radiofréquences et micro-ondes.
• Septembre 2024 -À ECOC 2024, Macom a présenté ses solutions de connectivité analogique à grande vitesse, présentant des technologies avancées de semi-conducteurs façonnant l'avenir de la connectivité à grande vitesse.
• Avril 2025 -Microchip a dévoilé un nouveau module de puissance haute densité conçu pour l'IA aux applications Edge, améliorant les performances et l'efficacité des facteurs de forme compacts.
• 2024 -La société a élargi son écosystème Mi-V RISC-V, offrant une suite d'outils et de ressources de conception soutenant les initiatives RISC-V, facilitant le développement accéléré de systèmes embarqués.

Reporter la couverture

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Le rapport d'étude de marché des appareils de nitrure de gallium fournit une analyse structurée du marché. Il se concentre principalement sur les aspects clés tels que les principaux acteurs du marché, le type d'appareil, les composants, les applications, la présence industrielle des appareils GALlium nitrure GaN et les principales tendances technologiques du marché des appareils semi-conducteurs GaN. En plus de cela, le rapport offre des faits saillants des développements clés de l'industrie. En outre, il offre plusieurs facteurs qui ont contribué au taux de croissance du rapport sur le marché des appareils semi-conducteurs GAN au cours des dernières années.

Rapport Portée et segmentation