와이드 밴드 갭 반도체 시장 규모, 점유율 및 산업 분석, 재료 유형 (실리콘 카바이드 (SIC), 질화 질화물 (GAN) 및 기타), 장치 유형 (전원 장치, RF 장치 및 광전자 장치), 최종 사용자 (자동, 소비자 전기 공학, 원격 및 방어, 기타 24-22-20-20-20-20-20-20-20, 202).

글로벌 와이드 밴드 갭 반도체 시장 규모는 2024 년에 208 억 달러로 평가되었으며 2032 년 2025 년 2,380 억 달러에서 2032 억 달러로 증가하여 예측 기간 동안 14.71%의 CAGR을 나타냅니다. 아시아 태평양은 2024 년에 41.83%의 점유율로 시장을 지배했습니다.

와이드 밴드 갭 반도체 산업은 다음과 같은 재료의 생산 및 개발에 중점을 둡니다.실리콘 카바이드 (sic), 질화 갈륨 (GAN), 질화증 (AIN) 및 기타. 시장은 특히 전력 반도체, 자동차, 통신 및 전자 장치 장치와 같은 부문에서 빠르게 확장되고 있습니다. 성장은 높은 열 안정성, 저전력 손실 및 극한 조건에서 작동하는 능력을 포함하여 와이드 밴드 갭 반도체의 우수한 특성에 의해 촉진됩니다. 또한 전기 자동차 (EVS), 5G 인프라 및 스마트 그리드와 같은 기술의 발전은 이러한 재료에 대한 수요를 더욱 추진하고 있습니다.  

시장의 주요 기업들은 SIC 및 GAN 기술의 발전을 통해 혁신을 주도하고 있습니다. 이 회사들은 전략적 파트너십, 인수 및 광범위한 R & D 투자를 활용하여 전력 효율성을 높이고 열 성능을 향상 시키며 다양한 부문에서 응용 프로그램을 확장합니다. 

Covid-19 Pandemic은 처음에 공급망 중단과 제조 활동 감소로 인해 시장을 방해했습니다. 그러나 디지털 기술, 원격 작업 인프라의 채택 및 이들 반도체에 대한 유행성 가속도의 의료 및 통신과 같은 부문의 성장이 증가함에 따라 반도체 시장 성장에서 광대역 격차를 불러 일으켰습니다.

시장 역학

와이드 밴드 갭 반도체 시장 동향

다양한 부문에서 실리콘 카바이드 (SIC) 및 질화 갈륨 (GAN)의 채택 증가

간과 SIC의 채택이 커지고 있습니다전기 자동차 (EVS)그리고 재생 가능한 에너지 응용은 시장의 확장을 주도하고 있습니다.

• 예를 들어,업계 전문가에 따르면 "전기 자동차의 전력 전자 장치 2025-2035 : 기술, 시장 및 예측"은 자동차 전력 전자 기술의 발전과 함께 SI IGBT, SIC MOSFET 및 GAN HEMTS의 채택을 조사합니다. 이 보고서는 시장 환경을 강조하여 2035 년까지 360 억 달러에이를 것으로 예측합니다.

이 재료는 기존의 반도체에 비해 우수한 에너지 효율, 더 높은 열 안정성 및 전력 손실 감소를 제공하므로 고성능 및 신뢰성이 필요한 응용 분야에 이상적입니다. EV 섹터에서 SIC 및 GAN은 전력 인버터, 온보드 충전기 및 충전 인프라에 점점 더 많이 사용됩니다. 효율성을 향상시키고 차량 범위를 확장합니다. 마찬가지로, 태양열 인버터 및 풍력 전력 변환기와 같은 재생 에너지 시스템 에서이 재료는 에너지 변환 효율과 시스템 내구성을 향상시킵니다. 이러한 요소는 지속 가능성 및 에너지 효율적인 기술에 대한 글로벌 초점과 일치하여 광대역 갭 반도체 시장 점유율을 크게 향상시킵니다.

시장 동인

5G 통신 인프라의 급속한 성장은 시장 성장을 촉진합니다

더 빠르고 신뢰할 수있는 모바일 네트워크에 대한 수요는 더 높은 주파수, 더 큰 전력 밀도 및 도전적인 작동 조건을 처리 할 수있는 고성능 부품이 필요합니다. 예를 들어,

• Ericsson에 따르면, 5G의 글로벌 확장은 2024 년에 전 세계적으로 약 320 개의 네트워크가 시작되었습니다.

와이드 밴드 갭 반도체, 특히 질화 갈륨 (GAN)은 전력 및 주파수 레벨을 관리하는 우수한 능력으로 인해 이러한 응용 분야에 필수적이므로 5G 기지국, 신호 증폭기 및 기타 중요한 구성 요소에서 사용하기에 이상적입니다. 5G 인프라에 대한 글로벌 투자가 가속화되고 향상된 데이터 전송 기능에 대한 수요가 증가함에 따라반도체계속 성장하여 시장에서 지속적인 성장을 이끌고 있습니다.

시장 제한

시장 확장을 방해하기위한 생산 비용이 높아집니다

기존의 실리콘 기반 반도체와 비교하여 실리콘 카바이드 (SIC) 및 질화 갈륨 (GAN)과 같은 재료의 높은 생산 비용은 시장 성장에 어려움을 겪고 있습니다. 이러한 재료의 제조 공정은 더 복잡하고 특수 장비가 필요하므로 비용이 증가합니다. 또한, 숙련 된 노동의 가용성과 시장에서 소수의 공급 업체는 광범위한 밴드 갭 반도체의 광범위한 채택을 방해 할 수 있습니다. 또한 이러한 재료를 기존 시스템에 통합하려면 종종 상당한 조정이 필요하므로 다른 산업 간의 채택이 느려질 수 있습니다. 이러한 요인들은 광대역 갭 반도체 시장 성장에 장벽을 제시 할 수 있습니다.

시장 기회

EVS에 대한 수요 증가는 시장 플레이어에게 상당한 성장 기회를 제공합니다.

자동차 산업이 점점 더 전기화를 수용함에 따라 실리콘 카바이드 (SIC)와 같은 와이드 밴드 갭 재료 및질화 갈륨 (간)전원 인버터, 온보드 충전기 및 빠른 충전 스테이션을 포함한 EV 파워 트레인에서 중요한 구성 요소가되고 있습니다.

• 예를 들어,International Energy Agency (IEA)에 따르면 2023 년에 전 세계적으로 약 1,400 만 개의 새로운 전기 자동차가 상장되어 총 전기 자동차 (EV) 수를 4 천만으로 가져와 이러한 재료의 필요성을 높였습니다.

이 재료는 EV의 주요 성능 요구 사항을 해결하여 더 높은 에너지 효율, 더 빠른 충전 시간 및 배터리 수명이 길어질 수 있습니다. 또한, 탄소 배출량 감소에 대한 전 세계적 추진과 EV를 촉진하기위한 정부 인센티브 채택은 와이드 밴드 갭 반도체에 대한 수요를 가속화 할 것으로 예상된다. 전기 이동성으로의 이러한 전환은 시장 확장에 대한 강력한 기회를 제공하며, 광대역 갭 재료는 차세대 EV 기술의 지속적인 개발에 중요한 역할을합니다.

세분화 분석

재료 유형별

실리콘 카바이드 (SIC)를 향상시키기 위해 더 높은 온도에서 작동해야합니다. 세그먼트 성장

재료 유형에 따라 시장은 실리콘 카바이드 (SIC), 질화 갈륨 (GAN) 등으로 나뉩니다.

실리콘 카바이드 (SIC)는 2024 년 시장에서 57.50%의 높은 점유율을 보유하고 있으며, 우수한 열전도율, 높은 분해 전압 및 더 높은 온도에서 작동하는 능력으로 인해 가장 높은 점유율을 보유하고 있습니다. 전기 자동차와 같은 전력 전자 제품 응용 프로그램에 이상적입니다.재생 에너지시스템. 고출력 응용 분야에서 입증 된 신뢰성과 광범위한 채택은 지배력에 더욱 기여합니다.

질화염 (GAN)은 5G 통신 및 고급 레이더 시스템과 같은 고주파 및 고출력 응용 분야에서 탁월한 성능으로 인해 최고 CAGR에서 성장할 것으로 예상됩니다. 더 빠르고 효율적인 통신 네트워크에 대한 수요가 증가하고 5G 인프라의 확장은 세그먼트의 빠른 성장을 이끄는 주요 요인입니다.

장치 유형별

전원 장치 세그먼트는 고전력에서 중요한 역할로 인해 지배적입니다 응용 프로그램

장치 유형에 따라 시장은 전원 장치, RF 장치 및 광전자 장치로 분류됩니다.

전력 장치는 전기 자동차, 재생 가능 에너지 시스템 및 산업 응용 분야와 같은 고출력 응용 분야에서 중요한 역할로 인해 2025 년에 시장 점유율을 48.47%로 이끌 것으로 예상됩니다. 전력 장치의 SIC와 같은 광역 갭 재료의 우수한 효율과 열 안정성은 에너지 변환을 최적화하고 이러한 부문의 전력 손실을 줄이는 데 필수적입니다.

RF (Radiofrequection) 장치는 특히 5G 네트워크에서 고성능 통신 시스템에 대한 수요 증가로 인해 예측 기간 동안 15.62%의 CAGR이 가장 높은 것으로 나타납니다. GAN과 같은 이러한 반도체의 고유 한 특성은 RF 장치가 더 높은 주파수 및 전력 수준에서 작동 할 수 있도록하여 통신 인프라 확장에 이상적입니다.

최종 사용자에 의해

EVS의 채택이 증가하면 자동차 부문 성장에 연료가 공급됩니다

최종 사용자에 의해 시장은 자동차로 분류됩니다.소비자 전자 장치, 통신, 항공 우주 및 방어, 에너지 및 전력 및 기타.

자동차 부문은 전기 자동차 (EV)의 빠른 채택과 자동차 애플리케이션에서보다 효율적인 전력 시스템의 필요성으로 인해 시장 점유율의 29.84%와 시장에서 가장 높은 CAGR을 보유 할 것으로 예상됩니다. 전력 인버터, 고속 충전소 및 배터리 관리 시스템을위한 SIC (Silicon Carbide)와 같은 와이드 밴드 갭 재료에 대한 의존도가 높아짐에 따라 자동차 산업에서 시장 성장이 크게 증가하고 있습니다.

소비자 전자 장치는 시장 예측 기간 동안 16.56%의 CAGR을 달성 할 것으로 예상되며, 광대역 갭 반도체는 스마트 폰, 랩톱 및 웨어러블 기술과 같은 에너지 효율적이고 고성능 장치에 점점 더 많이 사용되기 때문입니다. 더 빠른 충전 및 더 작고 효율적인 전력 공급 장치에 대한 수요는 소비자 전자 제품 응용 프로그램에서 GAN (Gallium Nitride)와 같은 광대역 갭 재료의 채택을 추진하여 시장 위치에 기여하는 것입니다.

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와이드 밴드 갭 반도체 시장 지역 전망

이 지역에 따라 시장은 아시아 태평양, 북미, 유럽, 남미 및 중동 및 아프리카 전반에 걸쳐 연구됩니다.

아시아 태평양

2024 년에 아시아 태평양 지역은 시장 가치가 0.87 억 달러를 지배했으며, 강력한 제조 기반, 대규모 고급 기술 채택, 정부 지원 및 반도체 산업의 주요 업체의 존재로 인해 최고 CAGR에서 성장할 것으로 예상됩니다.

• 예를 들어,인도 정부는 생산, 채택 및 사용을 촉진하기 위해 전기 자동차 (EV) 가치 사슬 전체에 다양한 계획을 구현했습니다. 2023 년 7 월, Niti Aayog는 부문 성장에 대한 로드맵을 설명했으며, 2030 년까지 차량 유형별 특정 목표를 세우기 위해 특정 목표를 세웠습니다.

이 지역은 전기 자동차, 재생 에너지 및와 같은 부문에 대한 상당한 투자로부터 이익을 얻습니다.통신와이드 밴드 갭 반도체가 점점 더 수요가 커지는 곳. 또한 중국, 일본 및 한국과 같은 국가는 반도체 채택을 급격히 확대하여 아시아 태평양의 지배적 인 시장 위치를 ​​더욱 통합했습니다.

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중국과 일본은 반도체 제조 부문에 대한 상당한 기여와 와이드 밴드 갭 재료의 대규모 채택으로 인해 아시아 태평양 시장을 지배합니다. 중국의 전기 자동차와 재생 에너지 부문이 빠르게 확장되어 전력 전자 제품 수요를 주도하는 반면, 일본은 고급 반도체 생산 및 연구의 리더로 남아 있습니다. 양국은 고성능 전자 구성 요소에 상당한 투자를했으며 아시아 태평양 시장에서 자신의 입장을 더욱 강화시켰다. 중국 시장은 2025 년에 0.25 억 달러로 추정됩니다.

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일본의 시장 규모는 20 억 9 천만 달러로 평가 될 것으로 예상되며 인도는 2025 년에 0.16 억 달러 일 것으로 예상됩니다.

북아메리카

북미는 2025 년에 0.65 억 달러로 두 번째로 큰 시장을 예상하여 예측 기간 동안 두 번째로 큰 CAGR을 기록했습니다. 고성능 전자 장치가 높은 수요가 많은 자동차 및 기술 산업으로 인해 수요가 많습니다. 이 지역의 전기 자동차, 재생 에너지 및 5G 인프라의 지속 가능성 및 혁신에 중점을 둔이 지역은 실리콘 카바이드 (SIC) 및 질화 갈륨 (GAN)과 같은 와이드 밴드 갭 재료의 채택을 주도하고 있습니다. 또한 반도체 기술에 대한 중요한 연구 개발 투자는이 지역을 광대역 갭 애플리케이션을 발전시키는 데 핵심적인 플레이어로 위치했습니다.

미국 시장은 2025 년에 0.34 억 달러를 기록 할 것으로 예상됩니다. 미국은 주요 업계 선수의 강력한 존재와 연구 개발에 대한 정부 지원으로 인해 북미 시장을 지배하고 있습니다. 또한,이 국가는 잘 확립 된 반도체 제조 생태계, 고급 기술 인프라, 다양한 산업 분야의 SIC 및 GAN 장치 채택을 늘리는 것입니다.

유럽

유럽은 2025 년에 0.51 억 달러의 가치를 가진 세 번째로 큰 시장 일 것으로 예상됩니다. 유럽은 특히 자동차 및 에너지 부문에서 지속 가능성과 녹색 기술에 중점을 두어 시장의 상당한 점유율을 보유하고 있습니다. 전기 자동차 채택 및 재생 가능 에너지 배치에 대한 유럽 연합의 야심 찬 목표는 특히 전력 전자 제품 및 에너지 효율적인 시스템에서 와이드 밴드 갭 재료에 대한 수요를 증가 시켰습니다.

• 예를 들어,2024 년 6 월, Nexperia는 Silicon Carbide (SIC) 및 GAN (Gallium Nitride)을 포함한 차세대 와이드 밴드 갭 반도체를 개발하기 위해 2 억 달러를 투자하여 함부르크 사이트에서 생산 인프라를 확대했습니다.

이 지역의 국가들은 스마트 그리드 기술과 5G 인프라에 크게 투자하고 있으며 광대역 갭 반도체 시장을 더욱 주도하고 있습니다. 영국의 시장은 2025 년에 0.11 억 달러를 기록 할 것으로 예상됩니다. 프랑스 시장은 0.08 억 달러에이를 것으로 예상되며 독일 시장은 2025 년에 0.09 억 달러를 기록 할 것으로 예상됩니다.

중동 및 아프리카 (MEA) 및 남미

중동 및 아프리카 및 남미는 다른 지역에 비해 첨단 기술의 채택이 느려짐에 따라 시장에서 중간 정도의 속도로 성장할 것으로 예상됩니다. 중동 및 아프리카는 2025 년에 4 번째로 큰 시장 가치가 0.14 억 달러로 예상됩니다. 전기 자동차와 재생 에너지에 대한 관심이 증가하고 있지만 전반적인 기술 개발 및 인프라 투자 속도는 비교적 느리다. 그러나 글로벌 트렌드가 지속 가능성과 에너지 효율로 향함에 따라, 특히 자동차 및 통신과 같은 주요 산업에서는 이러한 시장에서 점진적인 성장 가능성이 있습니다. GCC 시장 규모는 2025 년에 005 억 달러로 추정됩니다.

경쟁 환경

주요 업계 플레이어

주요 시장 플레이어는 시장 위치를 ​​강화하기 위해 신제품을 출시합니다.

시장에서 운영되는 플레이어는 기술 발전을 활용하고 다양한 소비자 요구를 해결하며 경쟁 업체보다 앞서있어 시장 위치를 ​​향상시키기 위해 신제품을 출시하고 있습니다. 회사는 전략적 협업, 인수 및 파트너십을 통해 포트폴리오 향상을 우선시하여 제품 제공을 강화합니다. 이러한 전략적 제품 출시는 기업이 빠르게 진화하는 산업에서 시장 점유율을 유지하고 성장시키는 데 도움이됩니다.

연구 된 회사 목록 :

• Infineon Technologies AG(독일)
• stmicroelectronics(스위스)
• 아날로그 장치, Inc. (미국)
• NXP 반도체(네덜란드)
• Rohm Co., Ltd.(일본)
• Macom 기술 솔루션(우리를.)
• Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(일본)
• 미쓰비시 전기(일본)
• Fuji Electric Co., Ltd. (일본)
• Vishay Intertechnology, Inc.(우리를.)
• Nexperia(네덜란드)
• Kyocera AVX Components Corporation (미국)
• 반도체 (미국)
• 텍사스 악기 (미국)
• Sitime Corporation (미국)
• Qorvo, Inc. (미국)

주요 산업 개발 :

• 2024 년 12 월-Rohm Co., Ltd.는 전기 자동차 응용 프로그램을 목표로하는 GAN 전력 장치의 개발 및 대량 생산을 위해 TSMC와 전략적 파트너십을 발표했습니다. 이 협업은 ROHM의 전문 지식을 TSMC의 주요 GAN-ON-SILICON 프로세스 기술과 결합하여 전력 장치의 고전압 및 고주파 속성에 대한 수요가 증가하여 실리콘 기반 솔루션을 능가 할 것입니다.
• 2024 년 11 월-Macom Technology Solutions Inc.는 RF 및 마이크로파 응용 프로그램을위한 SIC 프로세스 기술을 발전시키는 데 중점을 둔 개발 프로젝트로 선출되었습니다. 이 프로젝트는 고전압 및 밀리미터 파 주파수에서 효율적으로 수행하는 모 놀리 식 전자 레인지 통합 회로 (MMIC) 및 GAN 기반 재료에 대한 반도체 제조 공정을 개발하는 것을 목표로했습니다.
• 2024 년 11 월-NXP Semiconductors N.V.는 UWB (Ultra-Wideband) 기능을 갖춘 업계 우선 무선 배터리 관리 시스템 (BMS)을 도입했습니다. 이 혁신적인 UWB BMS 솔루션은 비싸고 복잡한 제조 공정을 포함한 개발 문제를 해결하며 전기 자동차 (EV)의 채택을 가속화 할 것으로 예상됩니다.
• 2024 년 10 월-Raytheon은 DARPA로부터 3 년간의 2 단계 계약을 확보하여 기본적인 Ultra WBG 반도체를 개선했습니다. 이 프로젝트는 다이아몬드 및 알루미늄 질화물 기술 활용에 중점을 두어 센서 및 기타 전자 애플리케이션의 전력 전달 및 열 관리를 향상시킵니다.
• 2023 년 11 월-Mitsubishi Electric Corporation은 Nexperia와 제휴하여 Power Electronics 시장의 SIC 반도체를 공동으로 개발했습니다. 이 회사는 Nexperia가 SIC 개별 장치를 만드는 데 사용하는 SIC MOSFET 칩을 생산할 것입니다.

투자 분석 및 기회

시장은 자동차, 재생 가능 에너지 및 통신과 같은 부문의 에너지 효율적인 장치에 대한 수요가 증가함에 따라 상당한 성장을 겪고 있습니다. 실리콘 카바이드 (SIC) 및 질화 갈륨 (GAN)과 같은 주요 기술은 고전압, 고주파 및 고온 환경의 우수한 성능으로 인해 시장을 이끌고 있습니다. WBG 반도체 기술에 대한 투자는 기업이 전기 화, 재생 가능 에너지 및 고급 전력 전자 장치로의 전환을 활용하려고 노력함에 따라 계속 증가 할 것으로 예상됩니다.

예를 들어,2024 년 9 월, Fujifilm Corporation은 고급 재료의 개발, 생산 및 품질 평가에 중점을 둔 반도체 재료 사업을 향상시키기 위해 미화 0.13 억 투자를 발표했습니다.

보고서 적용 범위

이 보고서는 상세한 시장 분석을 제공하며 주요 회사, 제품/서비스 유형 및 주요 제품 최종 사용자와 같은 주요 측면에 중점을 둡니다. 또한이 보고서는 시장 동향에 대한 통찰력을 제공하고 중요한 산업 개발을 강조합니다. 위의 요인들 외에도이 보고서는 최근 몇 년간 시장의 성장에 기여한 몇 가지 요소를 포함합니다. 시장 세분화는 다음과 같습니다.

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보고 범위 및 세분화