광대역 갭 반도체 시장 규모, 점유율 및 산업 분석, 재료 유형별(탄화 규소(SiC), 질화 갈륨(GaN) 등), 장치 유형별(전력 장치, RF 장치 및 광전자 장치), 최종 사용자별(자동차, 가전제품, 통신, 항공우주 및 방위, 에너지 및 전력 등) 및 지역 예측(2026~2034년)

전 세계 와이드 밴드갭 반도체 시장 규모는 2025년 23억 8천만 달러로 평가되었으며, 2026년 27억 2천만 달러에서 2034년까지 77억 달러로 성장하여 예측 기간 동안 CAGR 13.88%를 나타낼 것으로 예상됩니다. 2025년 아시아 태평양 지역은 42.02%의 점유율로 시장을 지배했습니다.

넓은 밴드갭 반도체 산업은 다음과 같은 재료의 생산 및 개발에 중점을 두고 있습니다.탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AIN) 등이 있습니다. 특히 전력반도체, 자동차, 통신, 전자 기기 등의 분야에서 시장이 빠르게 확대되고 있습니다. 이러한 성장은 높은 열 안정성, 낮은 전력 손실, 극한 조건에서 작동할 수 있는 능력 등 넓은 밴드갭 반도체의 우수한 특성에 의해 촉진됩니다. 또한, 전기 자동차(EV), 5G 인프라, 스마트 그리드와 같은 기술의 발전으로 인해 이러한 소재에 대한 수요가 더욱 촉진되고 있습니다.  

시장의 주요 기업들은 SiC 및 GaN 기술의 발전을 통해 혁신을 주도하고 있습니다. 이들 회사는 전략적 파트너십, 인수 및 광범위한 R&D 투자를 활용하여 전력 효율성을 향상하고 열 성능을 개선하며 다양한 부문에서 응용 분야를 확장합니다. 

코로나19 대유행은 처음에는 공급망 중단과 제조 활동 감소로 인해 시장을 혼란에 빠뜨렸습니다. 그러나 팬데믹 기간 동안 디지털 기술, 원격 작업 인프라의 채택 증가, 의료 및 통신과 같은 부문의 성장으로 인해 이러한 반도체에 대한 수요가 가속화되어 반도체 시장 성장에 넓은 밴드 갭이 촉발되었습니다.

시장 역학

와이드 밴드 갭 반도체 시장 동향

다양한 부문에서 실리콘 카바이드(SiC)와 갈륨 질화물(GaN)의 채택이 증가하면서 시장 발전이 촉진됩니다.

GaN 및 SiC 채택이 증가하고 있습니다.전기자동차(EV)재생 에너지 애플리케이션이 시장 확장을 주도하고 있습니다.

• 예를 들어,업계 전문가에 따르면 "전기 자동차용 전력 전자 장치(2025~2035년): 기술, 시장 및 예측"에서는 Si IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT의 채택과 자동차 전력 전자 기술의 발전을 조사합니다. 보고서는 시장 환경을 강조하며 2035년까지 시장 규모가 360억 달러에 이를 것으로 예측하고 있습니다.

이러한 소재는 기존 반도체에 비해 우수한 에너지 효율성, 더 높은 열 안정성 및 감소된 전력 손실을 제공하므로 고성능과 신뢰성이 요구되는 응용 분야에 이상적입니다. EV 부문에서는 효율성을 개선하고 차량 주행 거리를 확장하기 위해 전력 인버터, 온보드 충전기, 충전 인프라에 SiC와 GaN이 점점 더 많이 사용되고 있습니다. 마찬가지로 태양광 인버터, 풍력 변환기 등 재생 에너지 시스템에서도 이러한 소재는 에너지 변환 효율과 시스템 내구성을 향상시킵니다. 이러한 요소는 지속 가능성 및 에너지 효율적인 기술에 대한 전 세계적 관심과 일치하여 넓은 밴드 갭 반도체 시장 점유율을 크게 높입니다.

시장 동인

5G 통신 인프라의 급속한 성장으로 시장 성장 촉진

더 빠르고 안정적인 모바일 네트워크에 대한 요구로 인해 더 높은 주파수, 더 높은 전력 밀도 및 까다로운 작동 조건을 처리할 수 있는 고성능 구성 요소가 필요합니다. 예를 들어,

• Ericsson에 따르면 5G의 글로벌 확장은 계속되어 2024년에는 전 세계적으로 약 320개의 네트워크가 출시될 예정입니다.

넓은 밴드 갭 반도체, 특히 질화갈륨(GaN)은 전력 및 주파수 레벨을 관리하는 뛰어난 능력으로 인해 이러한 애플리케이션에 필수적이므로 5G 기지국, 신호 증폭기 및 기타 중요한 구성 요소에 사용하기에 이상적입니다. 5G 인프라에 대한 글로벌 투자가 가속화되고 향상된 데이터 전송 기능에 대한 수요가 증가함에 따라 이러한 요구가 증가합니다.반도체지속적으로 성장하며 시장의 지속적인 성장을 주도하고 있습니다.

시장 제약

시장 확장을 방해하는 높은 생산 비용

기존 실리콘 기반 반도체에 비해 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN)과 같은 재료의 높은 생산 비용은 시장 성장에 어려움을 초래합니다. 이러한 재료의 제조 공정은 더욱 복잡하고 특수 장비가 필요하므로 비용이 더욱 증가합니다. 또한, 숙련된 노동력의 가용성이 제한적이고 시장에 공급업체 수가 적다는 점은 와이드 밴드 갭 반도체의 광범위한 채택을 방해할 수 있습니다. 더욱이 이러한 재료를 기존 시스템에 통합하려면 상당한 조정이 필요한 경우가 많으며, 이로 인해 다양한 산업 분야에서 채택 속도가 느려질 수 있습니다. 이러한 요인들은 넓은 밴드 갭 반도체 시장 성장에 장벽이 될 수 있습니다.

시장 기회

EV에 대한 수요 증가는 시장 참여자에게 상당한 성장 기회를 제공합니다

자동차 산업이 점차 전기화를 수용함에 따라 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 넓은 밴드 갭 소재와질화갈륨(GaN)전력 인버터, 온보드 충전기, 고속 충전소 등 EV 파워트레인의 중요한 구성 요소가 되고 있습니다.

• 예를 들어,국제에너지기구(IEA)에 따르면 2023년 전 세계적으로 약 1,400만 대의 새로운 전기 자동차가 등록되어 도로를 달리는 전기 자동차(EV)의 총 수가 4,000만 대에 달해 이러한 재료에 대한 필요성이 높아졌습니다.

이러한 소재는 더 높은 에너지 효율성, 더 빠른 충전 시간, 더 긴 배터리 수명을 가능하게 하여 EV의 주요 성능 요구 사항을 충족합니다. 또한, 탄소 배출 감소를 위한 전 세계적 추진과 EV 촉진을 위한 정부 인센티브 채택으로 인해 와이드 밴드 갭 반도체에 대한 수요가 가속화될 것으로 예상됩니다. 전기 이동성을 향한 이러한 변화는 차세대 EV 기술의 지속적인 개발에서 넓은 밴드 갭 재료가 중요한 역할을 함으로써 시장 확장을 위한 강력한 기회를 제공합니다.

세분화 분석

재료 유형별

실리콘 카바이드(SiC)를 강화하기 위해 더 높은 온도에서 작동해야 하는 필요성 증가 세그먼트 성장

재료 유형에 따라 시장은 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨 질화물(GaN) 등으로 구분됩니다.

실리콘카바이드(SiC)는 뛰어난 열전도율, 높은 항복전압, 더 높은 온도에서 작동하는 능력으로 인해 2026년 시장에서 57.13%로 가장 높은 점유율을 차지하고 있습니다. 이는 전기 자동차와 같은 전력 전자 애플리케이션에 이상적입니다.재생 가능 에너지시스템. 검증된 신뢰성과 고전력 애플리케이션에서의 광범위한 채택은 그 우위에 더욱 기여합니다.

질화갈륨(GaN)은 5G 통신 및 고급 레이더 시스템과 같은 고주파수 및 고전력 애플리케이션에서의 뛰어난 성능으로 인해 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 더 빠르고 효율적인 통신 네트워크에 대한 수요 증가와 5G 인프라 확장이 이 부문의 급속한 성장을 이끄는 주요 요인입니다.

장치 유형별

전력 장치 세그먼트는 고전력에서 중요한 역할로 인해 지배적입니다. 응용

장치 유형에 따라 시장은 전력 장치, RF 장치 및 광전자 장치로 분류됩니다.

전력 장치는 전기 자동차, 재생 에너지 시스템, 산업용 애플리케이션과 같은 고전력 애플리케이션에서 중요한 역할을 하기 때문에 2026년에 48.38%의 시장 점유율을 차지할 것으로 예상됩니다. 전력 장치에 사용되는 SiC와 같은 넓은 밴드 갭 소재의 탁월한 효율성과 열 안정성은 이러한 분야에서 에너지 변환을 최적화하고 전력 손실을 줄이는 데 필수적입니다.

무선 주파수(RF) 장치는 특히 5G 네트워크에서 고성능 통신 시스템에 대한 수요 증가로 인해 예측 기간 동안 15.62%의 가장 높은 CAGR을 보일 것으로 예상됩니다. GaN과 같은 이러한 반도체의 고유한 특성으로 인해 RF 장치는 더 높은 주파수 및 전력 수준에서 작동할 수 있으므로 확장되는 통신 인프라에 이상적입니다.

최종 사용자별

EV 채택 증가로 자동차 부문 성장 촉진

최종 사용자별로 시장은 자동차,가전제품, 통신, 항공우주 및 방위, 에너지 및 전력 등.

자동차 부문은 전기 자동차(EV)의 급속한 채택과 자동차 애플리케이션에서 보다 효율적인 전력 시스템의 필요성으로 인해 2026년 시장 점유율 29.48%와 시장에서 가장 높은 CAGR을 차지할 것으로 예상됩니다. 전력 인버터, 고속 충전 스테이션 및 배터리 관리 시스템을 위한 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 넓은 밴드 갭 소재에 대한 의존도가 높아지면서 자동차 산업에서 상당한 시장 성장을 주도하고 있습니다.

넓은 밴드 갭 반도체가 스마트폰, 노트북, 웨어러블 기술과 같은 에너지 효율적이고 성능이 뛰어난 장치에 점점 더 많이 사용됨에 따라 가전제품은 예측 기간 동안 시장에서 16.56%의 CAGR을 달성할 것으로 예상됩니다. 더 빠른 충전과 더 작고 더 효율적인 전원 공급 장치에 대한 요구로 인해 소비자 가전 애플리케이션에 질화 갈륨(GaN)과 같은 넓은 밴드 갭 소재의 채택이 추진되고 있으며 이는 강력한 시장 지위에 기여하고 있습니다.

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와이드 밴드갭 반도체 시장 지역 전망

지역을 기반으로 시장은 아시아 태평양, 북미, 유럽, 남미, 중동 및 아프리카에서 연구됩니다.

아시아 태평양

2024년 아시아 태평양 지역은 2026년 11억 6천만 달러의 시장 가치를 장악했으며, 강력한 제조 기반, 대규모 첨단 기술 채택, 정부 지원, 반도체 산업의 주요 업체 존재로 인해 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.

• 예를 들어,인도 정부는 생산, 채택 및 사용을 촉진하기 위해 전기 자동차(EV) 가치 사슬 전반에 걸쳐 다양한 계획을 구현했습니다. 2023년 7월 NITI Aayog는 부문 성장을 위한 로드맵을 제시하고 2030년까지 30%의 EV 판매 보급률을 달성하기 위해 차량 유형별로 구체적인 목표를 설정했습니다.

이 지역은 전기자동차, 재생에너지,통신넓은 밴드 갭 반도체의 수요가 점점 늘어나고 있는 곳입니다. 또한 중국, 일본, 한국과 같은 국가에서는 반도체 채택을 급속히 확대하여 아시아 태평양 지역의 지배적인 시장 위치를 ​​더욱 공고히 했습니다.

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중국과 일본은 반도체 제조 부문에 대한 상당한 기여와 넓은 밴드갭 재료의 대규모 채택으로 인해 아시아 태평양 시장을 지배하고 있습니다. 중국의 급속도로 확대되는 전기 자동차 및 재생 에너지 부문은 전력 전자 제품에 대한 수요를 주도하는 반면, 일본은 첨단 반도체 생산 및 연구 분야의 선두 자리를 유지하고 있습니다. 양국은 고성능 전자 부품에 막대한 투자를 하여 아시아 태평양 시장에서의 입지를 더욱 공고히 했습니다. 2026년 중국 시장은 3억 4천만 달러로 추산된다.

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2026년 일본 시장 규모는 2억7000만 달러, 인도는 2026년 2억2000만 달러로 예상된다.

북아메리카

북미는 2026년에 7억 5천만 달러로 두 번째로 큰 시장이 될 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 13.77%의 두 번째로 큰 CAGR을 기록할 것입니다. 고성능 전자 장치에 대한 수요가 높은 자동차 및 기술 산업이 확립되어 있기 때문입니다. 이 지역은 전기 자동차, 재생 에너지, 5G 인프라의 지속 가능성과 혁신에 중점을 두면서 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN)과 같은 넓은 밴드 갭 소재의 채택을 주도하고 있습니다. 또한, 반도체 기술에 대한 상당한 연구 및 개발 투자로 인해 이 지역은 넓은 밴드 갭 응용 분야를 발전시키는 핵심 주체로 자리매김했습니다.

미국 시장은 2026년에 4억 4천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 미국은 주요 산업 주체의 강력한 입지와 연구 개발에 대한 상당한 정부 지원으로 인해 북미 시장을 지배하고 있습니다. 또한, 국가는 잘 확립된 반도체 제조 생태계, 첨단 기술 인프라, 다양한 산업 분야에서 SiC 및 GaN 장치 채택 증가 등의 혜택을 누리고 있습니다.

유럽

유럽은 2026년에 5억 8천만 달러 규모의 세 번째로 큰 시장이 될 것으로 예상됩니다. 유럽은 특히 자동차와 에너지 부문에서 지속 가능성과 녹색 기술에 중점을 두고 있기 때문에 시장에서 상당한 점유율을 차지하고 있습니다. 전기 자동차 채택 및 재생 가능 에너지 배치에 대한 유럽 연합의 야심찬 목표는 특히 전력 전자 장치 및 에너지 효율적인 시스템에서 넓은 밴드 갭 재료에 대한 수요를 증가시켰습니다.

• 예를 들어,넥스페리아는 2024년 6월 2억 달러를 투자해 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 차세대 와이드 밴드갭 반도체를 개발하는 동시에 함부르크 공장의 생산 인프라를 확장했다.

이 지역 국가들은 스마트 그리드 기술과 5G 인프라에 막대한 투자를 하고 있으며 광대역 밴드갭 반도체 시장을 더욱 주도하고 있습니다. 2026년 영국 시장은 1억 4천만 달러, 프랑스 시장은 8억 달러, 독일 시장은 2026년 1억 2천만 달러를 기록할 것으로 예상된다.

중동 및 아프리카(MEA) 및 남아메리카

중동 및 아프리카 및 남미는 다른 지역에 비해 첨단 기술 채택이 느리기 때문에 시장에서 적당한 속도로 성장할 것으로 예상됩니다. 중동 및 아프리카는 2026년 1억 5천만 달러로 네 번째로 큰 시장 가치가 될 것으로 예상됩니다. 전기 자동차와 재생 에너지에 대한 관심이 높아지는 반면, 전반적인 기술 개발 및 인프라 투자 속도는 상대적으로 느린 편입니다. 그러나 글로벌 추세가 지속 가능성과 에너지 효율성을 추구함에 따라 이러한 시장, 특히 자동차 및 통신과 같은 주요 산업에서 점진적인 성장 가능성이 있습니다. 2025년 GCC 시장 규모는 5억 달러로 추산됩니다.

경쟁 환경

주요 산업 플레이어

주요 시장 플레이어, 시장 입지 강화를 위해 신제품 출시

시장에서 활동하는 플레이어는 기술 발전을 활용하고 다양한 소비자 요구를 충족하며 경쟁사보다 앞서 나가면서 시장 입지를 강화하기 위해 신제품을 출시하고 있습니다. 기업은 제품 제공을 강화하기 위해 전략적 협업, 인수 및 파트너십을 통해 포트폴리오 개선을 우선시합니다. 이러한 전략적 제품 출시는 기업이 빠르게 발전하는 산업에서 시장 점유율을 유지하고 확대하는 데 도움이 됩니다.

연구한 회사 목록:

• 인피니언 테크놀로지스 AG(독일)
• ST마이크로일렉트로닉스(스위스)
• Analog Devices, Inc.(미국)
• NXP 반도체(네덜란드)
• 주식회사 로옴(일본)
• 메이콤 기술 솔루션(우리를.)
• TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION(일본)
• 미쓰비시 전기(일본)
• Fuji Electric Co., Ltd.(일본)
• 비쉐이 인터테크놀로지, Inc.(우리를.)
• 넥스페리아(네덜란드)
• KYOCERA AVX Components Corporation(미국)
• 온세미컨덕터(미국)
• 텍사스 인스트루먼트(미국)
• 사이타임 코퍼레이션(미국)
• 코보(Qorvo, Inc.)(미국)

주요 산업 발전:

• 2024년 12월~로옴(ROHM Co., Ltd.)은 전기 자동차 애플리케이션을 겨냥한 GaN 전력 디바이스 개발 및 양산을 위해 TSMC와 전략적 파트너십을 발표했습니다. 이번 협력을 통해 ROHM의 전문 지식과 TSMC의 선도적인 GaN-on-silicon 공정 기술이 결합되어 실리콘 기반 솔루션을 능가하는 전력 장치의 고전압 및 고주파 특성에 대한 증가하는 수요를 해결할 수 있게 되었습니다.
• 2024년 11월~MACOM Technology Solutions Inc.는 RF 및 마이크로파 애플리케이션을 위한 SiC 공정 기술에서 GaN을 발전시키는 데 초점을 맞춘 개발 프로젝트에 선정되었습니다. 이 프로젝트의 목표는 고전압 및 밀리미터파 주파수에서 효율적으로 작동하는 MMIC(모놀리식 마이크로파 집적 회로) 및 GaN 기반 재료용 반도체 제조 공정을 개발하는 것이었습니다.
• 2024년 11월- NXP Semiconductors N.V.는 초광대역(UWB) 기능을 갖춘 업계 최초의 무선 배터리 관리 시스템(BMS)을 출시했습니다. 이 혁신적인 UWB BMS 솔루션은 비용이 많이 들고 복잡한 제조 공정을 포함한 개발 과제를 해결하고 전기 자동차(EV)의 채택을 가속화할 것으로 예상됩니다.
• 2024년 10월~Raytheon은 기본 Ultra WBG 반도체를 개선하기 위해 DARPA로부터 3년, 2단계 계약을 체결했습니다. 이 프로젝트는 다이아몬드 및 질화알루미늄 기술을 활용하여 센서 및 기타 전자 응용 분야의 전력 공급 및 열 관리를 향상시키는 데 중점을 두고 있습니다.
• 2023년 11월~Mitsubishi Electric Corporation은 Nexperia와 제휴하여 전력 전자 시장용 SiC 반도체를 공동 개발했습니다. 이 회사는 Nexperia가 SiC 개별 장치를 만드는 데 활용하는 SiC MOSFET 칩을 생산할 것입니다.

투자 분석 및 기회

시장은 자동차, 재생 에너지, 통신과 같은 분야에서 에너지 효율적인 장치에 대한 수요가 증가함에 따라 상당한 성장을 경험하고 있습니다. 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 핵심 기술은 고전압, 고주파, 고온 환경에서 탁월한 성능을 발휘해 시장을 선도하고 있다. 기업들이 전기화, 재생 에너지, 첨단 전력 전자로의 전환을 활용하려고 함에 따라 WBG 반도체 기술에 대한 투자는 계속 증가할 것으로 예상됩니다.

예를 들어,2024년 9월, 후지필름(주)는 첨단 소재의 개발, 생산, 품질 평가에 중점을 두고 반도체 소재 사업을 강화하기 위해 1억 3천만 달러를 투자한다고 발표했습니다.

보고서 범위

이 보고서는 상세한 시장 분석을 제공하고 선도 기업, 제품/서비스 유형, 선도 제품 최종 사용자와 같은 주요 측면에 중점을 둡니다. 게다가, 이 보고서는 시장 동향에 대한 통찰력을 제공하고 중요한 산업 발전을 강조합니다. 위의 요소 외에도 보고서에는 최근 몇 년간 시장 성장에 기여한 여러 요소가 포함되어 있습니다. 시장 세분화는 다음과 같습니다.

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보고서 범위 및 세분화