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글로벌 갈륨 질화물 장치 시장 규모는 2019 년에 205 억 5 천만 달러였으며 2020 년의 2020 억 달러에서 2032 년에 3,174 억 달러로 2020-2032 년의 5.20%로 증가 할 것으로 예상됩니다. 북미는 2019 년 시장 점유율 35.89%로 갈륨 질화물 장치 시장을 지배했습니다.
CAGR의 증가는이 시장의 수요와 성장에 기인하며, 전염병이 끝나면 전염병 전 수준으로 돌아갑니다. COVID-19의 전 세계적 영향은 전례가없고 비밀리에 있으며, 질화염 (GAN) 장치는 전염병 속에서 모든 지역에서 수요에 긍정적 인 영향을 미치는 것을 목격했습니다. 우리의 분석에 따르면, Global GAN 장치 시장은 2016-2019 년의 전년 대비 평균 성장에 비해 2020 년 1.03%의 성장을 보일 것입니다.
질화 갈륨 (GAN)은 기술적으로 진보 된 3 밴드 갭 반도체 장치입니다. GAN 장치는 고출력 트랜지스터에 적합하며 고온에서 작동 할 수 있습니다. 큰 전기장, 더 큰 에너지 효율, 더 높은 포화 속도, 파괴 전압 및 열전도가 GAN 기반 장치의 주요 특성입니다. 2020 년 2 월, Stmicroelectronics 및 대만 반도체 제조 회사는 통합 및 이산의 공급을위한 GAN 프로세스 기술 개발을 가속화하기 위해 협력했습니다.
IoT 기반 시스템의 더 높은 판매로 뒷받침되는 수요를 증가시키기위한 Covid-19 Pandemic
Covid-19 Pandemic은 시장에 긍정적 인 영향을 미쳤습니다. 이러한 성장은 2020 년 3 월부터 2020 년 9 월까지 전자 제품 및 서비스에 대한 수요가 증가함에 따라 발생합니다. 미국, 중국 및 유럽 연합은 코로나 바이러스의 영향을 줄이기 위해 국가 폐쇄를 시행하고 있습니다. 잠금 시대에, 여러 다국적 기업들은 자국 문화를 시작하기 위해 엄격한 정부 규칙 및 규정을 제시했으며, 이는 모바일, 충전기, 랩톱 및 IoT 기반 장치와 같은 전자 제품에 대한 수요가 증가 함을 반영 할 것으로 예상됩니다. 빠른 충전기 및 IoT 기반 서비스에 대한 높은 수요는 질화물 기반 반도체 시스템의 판매량을 직접 늘리도록 설정되었습니다. Covid-19 Pandemic은 공급망을 개선하고 질화 갈륨 (GAN) 반도체 장치의 성장을 초래할 것입니다. 따라서 시장에 긍정적 인 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.
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모든 지역 중에서 북미 및 아시아 태평양 시장은 개선 된 점으로 인해 가장 큰 영향을 미쳤습니다.공급망 관리제조업체의. Toshiba Corporation 및 Mitsubishi Electric Corporation과 같은 아시아 태평양에 위치한 회사는 GAN 장치의 운영 활동을 개선하여 수요를 달성했습니다. 이는 GAN 기반 시스템의 제공을 크게 증가시킬 것으로 예상됩니다. 그러나 Cree, Inc., Infineon Technologies AG 및 Epistar Corporation과 같은 몇몇 회사는 GAN 장치의 디지털 혁신에 더 나은 생산성, 민첩성 및 연결성을 제공합니다. 이것은 2022-2027 년 동안 시장을 회복 할 수있을 것입니다.
GAN 기술을 갖춘 빠른 모바일 충전기의 도입은 중요한 트렌드입니다.
GAN 기술의 통합은 모바일 핸드셋에 빠르게 차지 용량을 제공하고 있습니다. 2020 년 9 월, BBK Electronics (Oppo Company)는 ultra-Thin 50 와트 빠른 배터리 충전기를 생산할 수 있도록 갈륨 질화물 전력 IC의 전체 채택을 발표했습니다. GAN 구성 요소 및 통합 제어 솔루션의 사용은 모바일의 충전 시간을 줄이기 위해 설정되었습니다. 갈륨 질화물 장치는 전원 공급 장치 필드에서 혁명을 유발하기 위해 초고주 전력 솔루션을 관리하는 데 사용됩니다. 레이더 설계에서 질화 질화물 반도체의 사용이 증가하면 시장 성장을 유도 할 가능성이 높습니다. 또한 GAN 반도체는 전투 항공기에서 광대역 통신을위한 전술 라디오를 구축하기 위해 사용됩니다. 북아메리카는 2018 년 미화 714 억 달러에서 2019 년 7,380 억 달러로 질화 된 질화물 장치 시장 성장을 목격했습니다.
상업용 응용 프로그램을위한 GAN 사용 급증 성장
유선 커뮤니케이션에서 에너지 효율적인 GAN 장치 및 전력 반도체에 대한 수요가 증가하면 시장 성장을 추진할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 다양한 인터넷 서비스 제공 업체가 더 높은 용량, 유비쿼터스 연결 및 광학 케이블 와이어를 사용한 낮은 대기 시간을 제공하는 데 중점을두고 있기 때문에 통신 영역의 확장에 기인합니다. 실리콘 카바이드 (SIC) 및 질화물 기반 반도체는 저렴한 비용으로 더 큰 전력 효율을 가능하게하기 때문에 에너지 효율적입니다. Infineon Technologies는 전력 변압기에 대한 외부 갭 보호를 제공하기 위해 경전 방출 다이오드 (LED) 및 번개로 체서를 개발하기위한 실리콘 (SI), 실리콘 카바이드 (SIC) 및 질화물 (GAN)을 제조하고 있습니다.
질화 갈륨의 잠재적 사용5G 인프라또한 시장 성장을 강화하도록 설정되었습니다. 4G 기술은 트래픽 용량, 대기 시간, 에너지 효율 및 데이터 속도 측면에서 5G 기술로 대체됩니다. 5G 기술은 2021 년에 상업적으로 출시 될 것으로 예상되며 비용이 적은 비용으로보다 효율적인 통신 네트워크와 같은 많은 이점을 제공 할 것입니다. AT & T 및 Nokia와 같은 통신 자이언트는 미국 전역에 5G 기술을 구축하기위한 연구 개발 (R & D) 이니셔티브에 참여하고 있습니다.
방위 산업에서 GAN 기반 구성 요소의 사용 증가, 성장
국방 및 항공 우주 부문에서 기술적으로 진보 된 GAN 시스템의 사용이 증가함에 따라 시장 성장을 촉진 할 것으로 예상됩니다. 성장은 무선 통신, 레이더, 전자 전쟁 및 기타의 성능 신뢰성뿐만 아니라 대역폭 증가의 요구가 증가함에 따라 발생합니다. SIC 재료는 강도와 경도로 인해 방탄 재킷 제조에 이상적인 선택입니다. GAN 기반 IC는 레이더에서 사용하여 효율적인 내비게이션 및 실시간을 가능하게합니다.항공 교통 관제. 또한 GAN은 군용 재머, 지상 라디오 및 레이더 통신에 더 높은 작동 주파수를 제공 할 수 있습니다. 전 세계 여러 방어력으로부터 광대역 간 전력 트랜지스터의 채택이 증가하는 것은 성장을 돕기 위해 예상됩니다.
방어 예산의 감소는 성장을 제한 할 수 있습니다
미국 의회 예산 사무소는 현재 회계 연도 (2020-2021)에 연방 예산 적자가 3.7 조 미화라고 추정했으며, Covid-19 회복에 대한 높은 지출의 결과로 2021 년 회계 연도에 최대 2 조 달러를 초과 할 것이라고 추정했다. 국방 예산에 대한 장기적인 영향을 반영하도록 설정되어 있습니다. 연방 예산의 적자로 인해 방어 예산이 감소했습니다. 방어 예산의 감소는 더 적은 수요에 영향을 미칠 것입니다.군사 레이더, 전술 라디오 및 소프트웨어 정의 라디오. 이 글로벌 산업의 역학을 더욱 변화시킬 것입니다. 또한 질화 질화물 성분 구축과 관련된 높은 개발 및 유지 보수 비용은이 시장의 성장을 방해 할 수있는 주요 요인입니다.
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태양 전지 및 레이저의 사용량 증가에 의해 스토킹을 지배하는 광분자 장치 세그먼트
장치 유형을 기준으로 시장은 광분자 장치, 전력 반도체 장치 및 RF 반도체 장치로 분류됩니다. 광분자 장치 세그먼트는 2019 년에 지배적 인 갈륨 질화물 장치 시장 점유율을 보유하고 있습니다.이 성장은 태양 전지, 포토 다이오드, 레이저, LED 및 광전자 공학의 응용 분야에서 광분자 장치에 대한 수요가 증가함에 따라 발생합니다. 또한, 광분자는 주로 펄스 레이저 및와 같은 항공 우주 응용 분야에서 사용됩니다.가벼운 감지 및 범위 (Lidar), 그것은 세그먼트 성장을 추진할 것이다.
전력 반도체는 주로 전원 공급 장치를 목적으로 위성, 우주 셔틀 및 항공기에서 사용됩니다. RF 반도체 세그먼트는 예측 기간 동안 더 높은 CAGR을 등록 할 것으로 예상되며, 고급 모바일 통신 애플리케이션 에서이 장치의 사용이 증가함에 따라 발생합니다. 고전류 증폭 및 낮은 국가 전력 소비와 같은 수많은 유익한 특성이 있습니다.
고출력 앰프의 사용에 의해 연료가 공급되는 4 인치 웨이퍼 세그먼트
웨이퍼 크기를 기준으로 시장은 2 인치 웨이퍼, 4 인치 웨이퍼 및 6 인치 이상의 웨이퍼로 분류됩니다. 2 인치 크기는 인듐 포스페이드 및 그래 핀과 같은 밀교 화합물의 조합이다. 주로 방어 응용 프로그램에 사용됩니다. 4 인치 웨이퍼 세그먼트는 예측 기간 동안 시장에서 가장 많은 점유율을 차지했습니다. 이러한 성장은 광전자 장치, 통신 정면, 고출력 증폭기 및 고온 장치의 사용에 대한 수요가 증가함에 따라 발생합니다. 우주 통신 응용을위한 4 인치 기판의 적응성은 또한 성장을 가속화하도록 설정된다.
6 인치 이상의 웨이퍼 세그먼트는 예측 기간 동안 더 높은 CAGR을 등록 할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 높은 파괴 전압 및 낮은 전류 누출을 위해 방어 장비 에서이 웨이퍼의 사용을 증가시킴으로써 촉진됩니다. 자동차 충돌 전기 시스템 및 무선 셀룰러 기지국과 같은 상업용 응용 분야 에서이 웨이퍼의 채택이 증가하는 것도 성장에 기여할 것입니다.
트랜지스터 세그먼트는 4G 지원 장치에서의 채택이 증가함에 따라 스토킹을 이끌고 있습니다.
구성 요소를 기반으로합니다갈륨 질화물 장치 시장트랜지스터, 다이오드, 정류기, 전력 IC 등으로 분할됩니다. 트랜지스터 세그먼트는 4G 지원 장치에서 트랜지스터의 채택이 증가함에 따라 향후 몇 년 동안 시장에서 지배적 인 점유율을 보유 할 것입니다. 게다가, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및 전계 효과 트랜지스터 형태로 전기 자동차의 추진 시스템에서 GAN 트랜지스터의 채택이 증가함에 따라 성장을 강화할 것이다.
다이오드는 신호를 공급원으로부터 분리하는 데 사용됩니다. 전기 체크 밸브이며 전기가 한 방향으로만 양수에서 음수로 흐를 수 있습니다. 정류, 빛 방출 및 유도 부하 소산은 다이오드의 주요 특성 중 일부입니다.
정류기는 교대 전류 (AC)를 직류 (DC)로 변환하는 데 사용되는 전력 변환기이며 그 반대도 마찬가지입니다. 그들은 텔레비전, 컴퓨터 장비 및 전술 무선 통신의 전원 공급 장치 역할을합니다.
Power IC 세그먼트는 예측 기간 동안 상당한 CAGR을 나타낼 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 무선 공군 기반 스테이션에서 GAN 기반 전력 IC의 사용이 증가함에 따라 통신 신뢰성을 향상시키기 때문입니다. 다른 세그먼트는 전압 수정, AC를 DC 전압으로 전환하고 다양한 신호를 혼합하는 등 여러 응용 분야에서 사용되는 정류기 다이오드로 구성됩니다.
전투 항공기에서의 사용 증가를 위해 조명 감지 및 범위의 세그먼트
적용 측면에서, 갈륨 질화물 장치 시장은 광 검출 및 범위, 무선 및 EV 충전, 레이더 및 위성 무선 주파수 등으로 분류됩니다. 가벼운 탐지 및 범위의 세그먼트는 향후 몇 년 동안 지배적 인 시장 점유율에 도달하고 생성 될 것으로 예상됩니다. 지배력은 거리를 계산하기 위해 전투 항공기에서의 사용이 증가했기 때문입니다. 레이저 라이트의 도움으로 대상을 비추고 센서로 반사를 계산하여 수행됩니다. 복도 매핑 응용 분야에서 UAV LIDAR에 대한 높은 수요는 성장을 촉진 할 것으로 예상됩니다.
무선 및 EV 충전 세그먼트는 상당한 CAGR을 선보일 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 전 세계 전기 자동차에 대한 급증한 수요에 기인합니다. 전장 운영에서 전투원은 15kg 이상의 배터리를 운반하여 라디오 및 기타 전자 장치에 전원을 공급할 수 있으며, 이는 임무에 중요합니다. 무선 및 EV 충전은 추가 로하의 배터리를 제거하여 전장 운영에 대한 군인의 효율성을 높일 수 있습니다.
GAN 기반 레이더 시스템은 로켓, 포병, 크루즈 미사일로부터 항공기 및 해군 선박을 보호하도록 설계되었습니다.무인 공중 차량 (UAVS), 박격포 및 기타 관찰 가능한 목표. 위성 라디오 주파수는 위성 통신, 풀 타임 위성 TV 네트워크 및 원시 위성 피드에 사용됩니다. X- 대역 레이더 주파수 하위 대역은 주로 항공 교통 관제, 해상 선박 교통 통제, 날씨 모니터링 및 법 집행을위한 차량 속도 탐지를위한 민사, 군사 및 정부 기관에서 주로 사용됩니다.
다른 세그먼트는 파워 드라이버로 구성됩니다. 그들은 속도를 향상시키고 효율성을 높이며 실리콘 MOSFET을 사용하여 더 높은 전력 밀도를 제공함으로써 전력 엔지니어링 세계에 혁명을 일으키고 있습니다.
예측 기간 동안 더 높은 CAGR을 등록하기위한 방어 부문
최종 사용자 측면에서 시장은 항공 우주, 방어, 의료, 재생 에너지, 정보 및 커뮤니케이션 기술 등으로 분류됩니다. 정보 통신 기술 세그먼트는 지배적 인 공유를 조달 할 것으로 예상됩니다. 상업용 응용 프로그램을위한 IoT (Internet-of-Things) 기술의 채택이 증가함에 따라 발생합니다. 실시간 분석, 인공 지능 (AI) 및 5G의 출현과의 연결과 같은 응용 프로그램은 로컬 장치에서 클라우드 기술로 활동을 전환 할 수 있습니다.
항공 우주 부문에서 GAN 장치는 주로 소규모 셀, 원격 무선 헤드 네트워크 밀도 및 분산 안테나 시스템 (DAS)에 사용됩니다. 이 장치는 데이터 센터, 서버, 전송 라인, 기지국 및 위성 통신에 사용됩니다. 비용 효율적인 IoT 장치 및 구성 요소, AI 기반 의료 영상, 방사선 촬영, 초음파 및 의료 산업의 자기 공명 영상에 대한 수요 증가는 성장을 선호 할 것으로 예상됩니다.
방어 부문은 예측 기간 동안 상당한 CAGR을 예상 할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 군사 레이더에서 GAN 기반 시스템의 채택이 증가함에 따라전자 전쟁, 카운터 IED-Jammers 및 3G/4G 기지국. 이 장치는 고유 한 특성을 가지므로 소비자 및 엔터프라이즈 산업에서 사용되는 재생 가능 에너지 및 고온 응용 프로그램을위한 효율적인 광전자 산업 장비 및 장치를 구축하는 데 사용됩니다.
North America Gallium Nitride Device Market Size, 2019 (USD Billion)
이 시장의 지역 분석에 대한 추가 정보를 얻으려면, 무료 샘플 다운로드
북아메리카의 질화염 (GAN) 장치 시장 규모는 2019 년에 730 억 달러에 달했습니다.이 지역의 시장은 예측 기간 동안 가장 큰 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 미국의 주요 업체, 즉 Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation., Macom, Microsemi, Northrop Grumman Corporation, Qorvo, Inc. 등의 주요 업체의 존재로 인해 발생합니다. 이 지역의 지배력은 또한 미국과 캐나다의 질화 질화물 장치 및 기타 관련 기술의 조달 증가에 기인합니다. Texas Instruments Incorporated 및 Qorvo, Inc와 같은 민간 기업은 미국에 GAN 기반 장치를 건설하기위한 자금 모금에 중점을두고 있습니다.
유럽 시장은 예측 기간 동안 크게 성장할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 영국, 프랑스 및 독일의 무선 장치에 대한 수요가 증가함에 따라 발생합니다. 영국의 항공 산업은 점차 전원 공급 장치 및 모터 제어 애플리케이션을위한 SIC 장치에서 고급 전원 관리 솔루션을 채택 할 것으로 예상됩니다. SIC는 항공 산업의 연료 소비 및 배출을 줄이기 위해 주로 사용되는 저중량 구성 요소입니다.
Asia Pacific은 Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation 및 Toshiba Corporation과 같은이 지역의 주요 시장 플레이어가있는 상당한 성장을 등록 할 것으로 예상됩니다. 국방 산업의 사용을 위해 중국과 인도와 같은 신흥 경제국의 GAN 장치에 대한 높은 수요도 성장을 선호 할 것으로 예상됩니다.
중동에서는 해외 석유 및 가스 탐사 및 응급 의료 서비스를 위해 사우디 아라비아의 GAN 장치에 대한 수요가 증가하면 성장이 촉진 될 가능성이 높습니다. 전 세계의 나머지 부분은 또한 아프리카와 라틴 아메리카에서 IoT 기술의 급격한 채택으로 인해 상당한 성장을 보인 것으로 추정됩니다.
주요 플레이어는 신제품 출시 및 계약 서명을 통한 비즈니스 확장에 중점을 둡니다.
업계는 상당한 시장 점유율을 보유한 많은 지배적 인 플레이어의 존재로 대표됩니다. 그들은 전략적 파트너십, 합병 및 인수 및 협력에 중점을두고 있습니다. 시장의 경쟁 환경은 Cree, Inc., Infineon Technologies AG, 효율적인 Power Conversion Corporation., Epistar Corporation, GAN Systems 및 MACOM과 같은 선정 된 플레이어의 지배를 묘사합니다. 주요 업체는 주로 글로벌 갈륨 질화물 반도체, 재고 관리, 공급망 관리, 유지 보수 및 기타 솔루션의 다양한 제품 포트폴리오에 중점을 둡니다. 2019 년 6 월, Integra Technologies와 USAF (USAF)는 레이더 응용 프로그램을위한 GAN 장치 기술을 확장하기위한 계약에 서명했습니다. 질화물 GAN 반도체 장치 기술은 주로 고체 무선 주파수 (RF) 전력 응용 분야에 사용됩니다.
An Infographic Representation of Gallium Nitride (GaN) Devices Market
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갈륨 질화물 장치 시장 조사 보고서는 시장에 대한 구조화 된 분석을 제공합니다. 주로 주요 시장 플레이어, 장치 유형, 구성 요소, 응용 프로그램, 글로벌 갈륨 질화물 GAN 장치의 산업적 존재, GAN 반도체 장치 시장의 주요 기술 동향과 같은 주요 측면에 중점을 둡니다. 이 외에도이 보고서는 주요 산업 개발의 하이라이트를 제공합니다. 또한 최근 몇 년 동안 GAN 반도체 장치 시장 보고서의 성장률에 기여한 몇 가지 요소를 제공합니다.
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기인하다 |
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학습 기간 |
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기본 연도 |
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예측 기간 |
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Fortune Business Insights에 따르면, GAN (Global Gallium Nitride) 장치 시장의 가치는 2019 년에 205 억 달러로 평가되었으며 2032 년까지 3,974 억 달러에 달할 것으로 예상되며 예측 기간 동안 5.20%의 CAGR로 증가 할 것으로 예상됩니다.
주요 성장 동인에는 에너지 효율적인 장치에 대한 수요 증가, 5G 인프라 확장, 전기 자동차 채택 증가, 방어 및 항공 우주 응용 분야의 사용 증가가 포함됩니다.
CAGR 5.20%를 등록하면 시장은 예측 기간 (2020-2032)에서 꾸준한 성장을 보일 것입니다.
북아메리카는 2019 년에 고급 방어 인프라, 초기 5G 채택 및 강력한 반도체 R & D 투자로 인해 시장에서 가장 많은 점유율을 차지했습니다.
GAN 장치는 무선 충전기, 5G 기지국, 레이더 시스템, LIDAR, 전기 자동차, 위성 통신 및 고효율 전력 전자 장치에 사용됩니다.
주요 회사에는 Cree, Infineon Technologies, Gan Systems, Mitsubishi Electric, Qorvo, Texas Instruments, Toshiba 및 EPC가 있습니다.
지속적인 R & D 및 전략적 산업 협력으로 인해 소비자 전자, 방어, 재생 에너지 및 자율 주행 차량에 대한 채택이 증가함에 따라 미래는 강력합니다.