질화갈륨 장치 시장 규모, 점유율 및 코로나19 영향 분석, 장치 유형별(광반도체 장치, 전력 반도체 장치 및 Rf 반도체 장치), 웨이퍼 크기별(2인치 웨이퍼, 4인치 웨이퍼 및 6인치 이상 웨이퍼), 구성 요소별(트랜지스터, 다이오드, 정류기, 전력 IC 및 기타), 애플리케이션별(광 감지 및 거리 측정, 무선 및 EV 충전, 레이더 및 위성 무선 주파수 및 기타), 최종 사용자별 및 지역 예측(2020~2027년)

세계 질화갈륨 장치 시장 규모는 2019년 205억 6천만 달러였으며, 2020~2032년 연평균 복합 성장률(CAGR) 5.20%로 성장해 2020년 211억 8천만 달러에서 2032년 397억 4천만 달러로 성장할 것으로 예상됩니다. 북미는 2019년 35.89%의 시장점유율로 질화갈륨 디바이스 시장을 장악했다.

CAGR의 증가는 이 시장의 수요와 성장에 기인하며, 팬데믹이 끝나면 팬데믹 이전 수준으로 돌아갑니다. 코로나19(COVID-19)가 전 세계적으로 미치는 영향은 전례가 없을 정도로 엄청났습니다. 질화갈륨(GaN) 장치는 팬데믹 속에서도 모든 지역의 수요에 긍정적인 영향을 미쳤습니다. 분석에 따르면, 2020년 글로벌 GaN 디바이스 시장은 2016~2019년 평균 전년 대비 성장률 대비 1.03% 성장할 것으로 예상된다.

질화갈륨(GaN)은 기술적으로 진보된 제3밴드 갭 반도체 장치입니다. GaN 장치는 고전력 트랜지스터에 적합하며 고온에서 작동할 수 있습니다. 큰 전기장, 더 높은 에너지 효율, 더 높은 포화 속도, 항복 전압 및 열 전도는 GaN 기반 장치의 주요 특징입니다. 2020년 2월, STMicroelectronics와 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company는 통합 및 디스크리트 공급을 위한 GaN 프로세스 기술 개발을 가속화하기 위해 협력했습니다.

코로나19 팬데믹, IoT 기반 시스템 판매 증가로 수요 증가

코로나19 사태는 시장에 긍정적인 영향을 미쳤다. 이러한 성장은 2020년 3월부터 2020년 9월까지 전자 제품 및 서비스에 대한 수요 증가에 기인합니다. 미국, 중국, 유럽 연합은 코로나바이러스의 영향을 줄이기 위해 국가적 폐쇄를 시행하고 있습니다. 봉쇄 기간 동안 여러 다국적 기업은 모바일, 충전기, 노트북, IoT 기반 장치와 같은 전자 제품에 대한 수요 증가를 반영하여 재택 근무 문화를 시작하기 위해 엄격한 정부 규칙 및 규정을 제시했습니다. 급속 충전기와 IoT 기반 서비스에 대한 높은 수요는 질화갈륨 기반 반도체 시스템의 판매를 직접적으로 증가시킬 것으로 예상됩니다. 코로나19 팬데믹은 공급망을 개선하고 질화갈륨(GaN) 반도체 장치의 성장을 가져올 것입니다. 따라서 시장에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 예상된다.

무료 샘플 다운로드 이 보고서에 대해 더 알아보려면.

모든 지역 중에서 북미 및 아시아 태평양 시장은 개선된 결과로 인해 가장 큰 영향을 미쳤습니다.공급망 관리제조업체의. Toshiba Corporation 및 Mitsubishi Electric Corporation과 같은 아시아 태평양에 위치한 회사는 수요를 충족하기 위해 GaN 장치의 운영 활동을 개선했습니다. 이로 인해 GaN 기반 시스템의 공급이 크게 증가할 것으로 예상됩니다. 그러나 Cree, Inc., Infineon Technologies AG, EPISTAR Corporation과 같은 여러 회사에서는 더 나은 생산성, 민첩성 및 연결성을 제공하기 위해 GaN 장치의 디지털 혁신에 투자하고 있습니다. 이를 통해 2022~2027년 기간 동안 시장을 회복할 수 있을 것입니다.

질화갈륨(GaN) 장치 시장 주요 시사점

시장 규모 및 예측

• 2019년 시장 규모: 359억 6천만 달러
• 2020년 시장 규모: 211억 8천만 달러
• 2032년 예측 시장 규모: 397억 4천만 달러
• CAGR: 5.20% (2020-2032)

시장점유율

• 북미는 질화갈륨 디바이스 시장을 35.89%의 점유율로 장악했다.
• 광반도체 장치 부문이 가장 큰 시장 점유율을 차지했습니다.
• 트랜지스터 부문은 4G 지원 장치 및 전기 자동차의 채택이 증가함에 따라 지배적인 점유율을 유지할 것으로 예상됩니다.

주요 지역 하이라이트

북아메리카

2019년 북미 지역 질화갈륨(GaN) 디바이스 시장 규모는 73억 8천만 달러였습니다. 이 지역의 시장은 예측 기간 동안 가장 큰 시장이 될 것으로 예상됩니다.

유럽

유럽은 주요 국가의 무선 장치 및 고급 전력 관리 기술에 대한 수요 증가로 인해 상당한 성장을 보일 것으로 예상됩니다.

아시아 태평양

아시아 태평양 지역은 Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation 및 Toshiba Corporation과 같은 이 지역의 주요 시장 참가자의 존재에 힘입어 상당한 성장을 기록할 것으로 예상됩니다.

우리를.

시장 성장은 선도적인 업계 참가자의 존재와 GaN 기반 장치 및 기술 개발에 대한 투자 증가에 의해 뒷받침됩니다.

일본

국가는 강력한 반도체 제조 생태계와 주요 GaN 장치 생산업체의 존재로 인해 혜택을 누리며 지역 시장 확장을 지원합니다.

자세히 알아보기

질화갈륨 소자 시장 동향

GaN 기술이 적용된 고속 모바일 충전기의 도입은 중요한 추세입니다. 

GaN 기술의 통합으로 모바일 단말기에 고속 충전 용량이 제공됩니다. 2020년 9월 BBK전자(OPPO사)는 초박형 50와트 고속 배터리 충전기 생산을 가능하게 하기 위해 질화갈륨 전력 IC를 전면 채택했다고 발표했다. GaN 부품과 통합 제어 솔루션을 사용하여 모바일 충전 시간을 단축할 예정입니다. 질화갈륨 장치는 초고주파 전력 솔루션을 관리하여 전원 공급 장치 분야의 혁명을 일으키는 데 사용됩니다. 레이더 설계에 질화갈륨 반도체 사용이 증가하면서 시장 성장이 촉진될 가능성이 높습니다. 또한 GaN 반도체는 광대역 통신을 위한 전술 무선 장치를 구축하기 위해 전투기에 사용됩니다. 북미 지역에서는 질화갈륨 장치 시장이 2018년 71억 4천만 달러에서 2019년 73억 8천만 달러로 성장했습니다.

질화 갈륨 장치 시장 성장 요인

성장을 촉진하기 위해 상업용 애플리케이션에 GaN 사용 급증

유선 통신에서 에너지 효율적인 GaN 장치와 전력 반도체에 대한 수요 증가는 시장 성장을 촉진할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 다양한 인터넷 서비스 제공업체가 광케이블 선을 통해 더 높은 용량, 유비쿼터스 연결성, 더 낮은 대기 시간을 제공하는 데 주로 초점을 맞추고 있는 통신 영역의 확장에 기인합니다. 탄화규소(SiC)와 질화갈륨 기반 반도체는 더 낮은 비용으로 더 높은 전력 효율성을 제공하므로 에너지 효율적입니다. 인피니언 테크놀로지스는 전력 변압기에 외부 갭 보호 기능을 제공하는 발광 다이오드(LED) 및 피뢰기 개발을 위한 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN)을 제조하고 있습니다.

질화갈륨의 잠재적인 용도5G 인프라시장 성장도 확대할 예정이다. 4G 기술은 트래픽 용량, 지연 시간, 에너지 효율성, 데이터 속도 측면에서 5G 기술로 대체됩니다.  5G 기술은 2021년 상용화될 예정이다. 적은 비용으로 보다 효율적인 통신 네트워크를 구축하는 등 다양한 이점을 제공할 것이다. AT&T, 노키아 등 거대 통신업체들이 미국 전역에 5G 기술을 구축하기 위한 연구개발(R&D) 이니셔티브에 참여하고 있습니다.

성장을 촉진하기 위해 방위 산업에서 GaN 기반 부품 사용 증가

국방 및 항공우주 부문에서 기술적으로 진보된 GaN 시스템의 사용이 증가함에 따라 시장 성장이 가속화될 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 무선 통신, 레이더, 전자전 등의 성능 신뢰성뿐만 아니라 증가된 대역폭에 대한 요구가 증가했기 때문입니다. SiC 소재는 강도와 경도로 인해 방탄복 제조에 이상적인 선택입니다. GaN 기반 IC는 레이더에 사용되어 효율적인 탐색 및 실시간을 가능하게 합니다.항공 교통 관제. 또한 GaN은 군용 방해 전파, 지상파 무선 및 레이더 통신에 더 높은 작동 주파수를 제공할 수 있습니다. 전 세계 여러 국방군에서 광대역 GaN 전력 트랜지스터 채택이 증가하면서 성장에 도움이 될 것으로 예상됩니다.

제한 요인

국방 예산 삭감으로 인해 성장이 제한될 수 있음

미국 의회예산국은 코로나19 회복을 위한 높은 지출로 인해 이번 회계연도(2020~2021) 연방예산 적자가 3조7000억달러에 달하고 2021회계연도에는 최대 2조달러를 넘어설 것으로 추산했다. 국방예산에 장기적으로 미치는 영향을 반영하기 위해 마련됐다. 연방예산 적자로 국방예산이 삭감됐다. 국방예산 삭감은 국방수요 감소에 직접적인 영향을 미칠 것이다.군용 레이더, 전술 라디오 및 소프트웨어 정의 라디오. 이는 글로벌 산업의 역학을 더욱 변화시킬 것입니다. 더욱이, 질화갈륨 부품 제작과 관련된 높은 개발 및 유지 관리 비용은 이 시장의 성장을 방해할 수 있는 주요 요인입니다.

질화 갈륨 장치 시장 세분화 분석

기기 유형별 분석

이 보고서가 비즈니스 최적화에 어떻게 도움이 되는지 알아보려면, 애널리스트와 상담

태양전지 및 레이저 사용 증가로 인해 광반도체 장치 부문이 지배하게 됨

장치 유형에 따라 시장은 광반도체 장치, 전력 반도체 장치 및 RF 반도체 장치로 분류됩니다. 광반도체 장치 부문은 2019년 질화갈륨 장치 시장에서 지배적인 점유율을 차지했습니다. 이러한 성장은 태양전지, 포토다이오드, 레이저, LED 및 광전자 공학 응용 분야에서 광반도체 장치에 대한 수요가 증가했기 때문입니다. 또한, 광반도체는 펄스 레이저와 같은 항공우주 응용 분야에 주로 사용됩니다.빛 감지 및 범위 지정(LiDAR), 이는 부문별 성장을 촉진할 것입니다.

전력반도체는 주로 위성, 우주왕복선, 항공기 등에 전력공급용으로 사용된다. RF 반도체 부문은 고급 모바일 통신 애플리케이션에서 이 장치의 사용이 증가함에 따라 예측 기간 동안 더 높은 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. 이는 높은 전류 증폭 및 낮은 오프 상태 전력 소비와 같은 수많은 유익한 특성을 가지고 있습니다.

웨이퍼 크기 분석별

4인치 웨이퍼 부문, 고출력 증폭기 사용으로 최대 점유율 유지

시장은 웨이퍼 크기에 따라 2인치 웨이퍼, 4인치 웨이퍼, 6인치 이상 웨이퍼로 분류된다. 2인치 크기는 인듐인화물과 그래핀과 같은 난해한 화합물의 조합입니다. 주로 국방 분야에 사용됩니다. 4인치 웨이퍼 부문은 예측 기간 동안 시장에서 가장 큰 점유율을 차지했습니다. 이러한 성장은 광전자공학 장치, 통신 프런트엔드, 고전력 증폭기 및 고온 장치의 사용에 대한 수요가 증가했기 때문입니다. 우주 통신 애플리케이션을 위한 4인치 기판의 적응성도 성장을 가속화할 것으로 예상됩니다.

6인치 이상 웨이퍼 부문은 예측 기간 동안 더 높은 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 높은 항복 전압과 낮은 전류 누출을 위해 방위 장비에서 이 웨이퍼의 사용이 증가함에 따라 촉진됩니다. 자동차 충돌 방지 시스템 및 무선 셀룰러 기지국과 같은 상용 응용 분야에서 이 웨이퍼의 채택이 증가하는 것도 성장에 기여할 것입니다.

성분분석별

4G 지원 장치의 채택 증가로 인해 트랜지스터 부문이 선두를 달리고 있습니다.

구성품을 기준으로,질화갈륨 장치 시장트랜지스터, 다이오드, 정류기, 파워 IC 등으로 분류됩니다. 트랜지스터 부문은 4G 지원 장치에서 트랜지스터 채택이 증가함에 따라 향후 몇 년 동안 시장에서 지배적인 점유율을 차지할 것입니다. 게다가 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터와 전계 효과 트랜지스터 형태로 전기 자동차 추진 시스템에 GaN 트랜지스터를 채택하는 경우도 증가할 것입니다.

다이오드는 공급원으로부터 신호를 분리하는 데 사용됩니다. 이는 전기 체크 밸브이며 전기가 한 방향으로만 양극에서 음극으로 흐르도록 합니다. 정류, 발광 및 유도성 부하 분산은 다이오드의 주요 특성 중 일부입니다.

정류기는 교류(AC)를 직류(DC)로 또는 그 반대로 변환하는 데 사용되는 전력 변환기입니다. 이는 텔레비전, 컴퓨터 장비 및 전술 무선 통신용 전원 공급 장치 역할을 합니다.

전력 IC 부문은 예측 기간 동안 상당한 CAGR을 보일 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 통신 신뢰성을 향상시키기 위해 무선 항공 기지국에서 GaN 기반 전력 IC의 사용이 증가했기 때문입니다. 다른 세그먼트는 전압 정류, AC를 DC 전압으로 전환, 다양한 신호 혼합과 같은 여러 애플리케이션에 사용되는 정류기 다이오드로 구성됩니다.       

애플리케이션 분석별

빛 감지 및 거리 측정 부문을 강화하기 위해 전투 항공기에서의 사용 증가

적용 측면에서 질화갈륨 장치 시장은 광 감지 및 거리 측정, 무선 및 EV 충전, 레이더 및 위성 무선 주파수 등으로 분류됩니다. 광 감지 및 거리 측정 부문은 향후 몇 년간 지배적인 시장 점유율을 달성하고 창출할 것으로 예상됩니다. 거리를 계산하기 위해 전투 항공기에서 사용이 증가함에 따라 우위를 점하게 되었습니다. 이는 레이저 빛의 도움으로 대상을 조명하고 센서로 반사를 계산하여 수행됩니다. 복도 매핑 애플리케이션에서 UAV LIDAR에 대한 높은 수요가 성장을 촉진할 것으로 예상됩니다.

무선 및 EV 충전 부문은 상당한 CAGR을 보일 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 전 세계적으로 전기 자동차에 대한 수요가 급증했기 때문입니다. 전장 작전에서 전투원은 임무에 필수적인 무전기 및 기타 전자 장치에 전원을 공급하기 위해 15kg 이상의 배터리를 휴대할 수 있습니다. 무선 및 EV 충전은 배터리의 추가 부하를 제거하여 전장 작전에서 군인의 효율성을 높일 수 있습니다.

GaN 기반 레이더 시스템은 로켓, 대포, 순항미사일 등으로부터 항공기와 해군 함정을 보호하도록 설계됐다.무인 항공기(UAV), 박격포 및 기타 관찰하기 어려운 표적. 위성 무선 주파수는 위성 통신, 풀타임 위성 TV 네트워크 및 원시 위성 피드에 사용됩니다. X-밴드 레이더 주파수 하위 대역은 주로 항공 교통 관제, 해상 선박 교통 관제, 날씨 모니터링 및 법 집행을 위한 차량 속도 감지를 위해 민간, 군사 및 정부 기관에서 사용됩니다.

다른 세그먼트는 전원 드라이버로 구성됩니다. 이들은 실리콘 MOSFET을 사용하여 속도를 개선하고 효율성을 높이며 더 높은 전력 밀도를 제공함으로써 전력 엔지니어링 세계에 혁명을 일으키고 있습니다.

최종 사용자 분석별

예측 기간 동안 더 높은 CAGR을 등록하는 국방 부문

최종 사용자 측면에서 시장은 항공우주, 국방, 의료, 재생 가능 에너지, 정보 통신 기술 등으로 분류됩니다. 정보통신기술 부문이 지배적인 점유율을 확보할 것으로 예상된다. 이는 상업용 애플리케이션에 사물 인터넷(IoT) 기술을 채택하는 사례가 증가함에 따라 발생합니다. 실시간 분석, 인공 지능(AI), 5G의 출현으로 인한 연결성과 같은 애플리케이션은 활동을 로컬 장치에서 클라우드 기술로 전환할 수 있습니다.

항공우주 부문에서 GaN 장치는 주로 소형 셀, 원격 무선 헤드 네트워크 밀도화 및 분산 안테나 시스템(DAS)에 사용됩니다. 이러한 장치는 데이터 센터, 서버, 전송선, 기지국 및 위성 통신에 사용됩니다. 의료 산업에서 비용 효율적인 IoT 장치 및 구성 요소, AI 기반 의료 영상, 방사선 촬영, 초음파 및 자기 공명 영상에 대한 수요 증가는 성장을 촉진할 것으로 예상됩니다.

방위 부문은 예측 기간 동안 상당한 CAGR을 예상할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 군용 레이더에서 GaN 기반 시스템의 채택이 증가함에 따라 발생합니다.전자전, 카운터 IED 방해기 및 3G/4G 기지국. 이러한 장치는 고유한 특성을 갖고 있으므로 소비자 및 기업 산업에서 사용되는 재생 에너지 및 고온 응용 분야를 위한 효율적인 광전자 산업 장비 및 장치를 구축하는 데 사용됩니다.

지역적 통찰력

이 시장의 지역 분석에 대한 추가 정보를 얻으려면, 무료 샘플 다운로드

2019년 북미 지역 질화갈륨(GaN) 디바이스 시장 규모는 73억 8천만 달러였습니다. 이 지역의 시장은 예측 기간 동안 가장 큰 시장이 될 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation., Macom, Microsemi, Northrop Grumman Corporation, Qorvo, Inc. 등 미국 내 주요 기업의 존재에 기인합니다. 이 지역의 지배력은 미국과 캐나다에서 질화갈륨 장치 및 기타 관련 기술의 조달이 증가한 데에도 기인합니다. Texas Instruments Incorporated 및 Qorvo, Inc와 같은 민간 기업은 미국에서 GaN 기반 장치를 구축하기 위한 자금 조달에 집중하고 있습니다. 

유럽 ​​시장은 예측 기간 동안 크게 성장할 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 영국, 프랑스, ​​독일에서 무선 장치에 대한 수요가 증가했기 때문입니다. 영국의 항공 산업은 전원 공급 장치 및 모터 제어 애플리케이션을 위한 SiC 장치에 고급 전력 관리 솔루션을 점차적으로 채택할 것으로 예상됩니다. SiC는 항공산업에서 연료 소비와 배기가스 배출을 줄이기 위해 주로 사용되는 경량 부품입니다.

아시아 태평양 지역은 Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation 및 Toshiba Corporation과 같은 이 지역의 주요 시장 참가자의 존재에 힘입어 상당한 성장을 기록할 것으로 예상됩니다. 중국, 인도 등 신흥 경제국의 방위 산업 사용을 위한 GaN 장치에 대한 높은 수요도 성장을 촉진할 것으로 예상됩니다.

중동에서는 해양 석유 및 가스 탐사와 응급 의료 서비스를 위한 사우디아라비아의 GaN 장치 수요 증가가 성장을 촉진할 것으로 보입니다. 아프리카와 라틴 아메리카의 IoT 기술 채택 급증으로 인해 나머지 세계도 상당한 성장을 보일 것으로 추정됩니다.

주요 산업 플레이어

주요 업체들은 신제품 출시 및 계약 체결을 통해 사업 확장에 집중

업계는 상당한 시장 점유율을 보유하고 있는 많은 지배적인 플레이어의 존재로 대표됩니다. 그들은 전략적 파트너십, 인수합병, 협업에 중점을 두고 있습니다. 시장의 경쟁 환경은 Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation., Epistar Corporation, GaN Systems 및 Macom과 같은 선택된 플레이어의 지배를 묘사합니다. 주요 업체들은 주로 글로벌 질화갈륨 반도체, 재고 관리, 공급망 관리, 유지 관리 및 기타 솔루션의 다양한 제품 포트폴리오에 중점을 두고 있습니다.  2019년 6월, Integra Technologies와 미 공군(USAF)은 레이더 애플리케이션을 위한 GaN 장치 기술을 확장하는 계약을 체결했습니다. 질화물 GaN 반도체 소자 기술은 주로 고체 무선 주파수(RF) 전력 애플리케이션에 사용됩니다.

최고의 질화 갈륨 장치 회사 목록:

• Cree, Inc. (미국)
• 인피니언 테크놀로지스 AG(독일)
• 효율적인 전력변환 기업입니다. (미국)
• Epistar Corporation (대만)
• GaN 시스템(캐나다)
• 메이콤(미국)
• 마이크로세미(미국)
• 미쓰비시전기(일본)
• 니치아 주식회사(일본)
• Northrop Grumman Corporation(미국)
• Nxp 반도체. (네덜란드)
• Qorvo, Inc(미국)
• 텍사스 인스트루먼트 법인. (미국)
• 도시바 주식회사(일본)

주요 산업 발전:

• 2025년 1월 -Wolfspeed는 고전력 애플리케이션을 위한 획기적인 성능을 제공하고 실제 조건에서 효율성과 신뢰성을 향상시키는 Gen 4 MOSFET 기술 플랫폼을 출시했습니다.
• 2024년 11월 -인피니언은 일렉트로니카 2024에서 세계 최초의 300mm 전력 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 기술을 선보이며 전력전자 제조 분야에서 상당한 발전을 이루었습니다.
• 2024년 2월 -APEC 2024에서 EPC는 GaN 기반 전력 솔루션의 포괄적인 포트폴리오를 선보이며 고밀도 컴퓨팅, 모터 드라이브, 자동차 전기화 및 위성 애플리케이션의 발전을 시연했습니다.
• 2023년 10월 -GaN Systems는 20%의 성능 이점을 제공하고 소비자, 산업 및 전기 자동차 애플리케이션 전반에 걸쳐 효율성을 향상시키는 4세대 GaN 전력 플랫폼을 출시했습니다.
• 2023년 10월 - Infineon Technologies AG는 GaN Systems 인수를 완료하여 GaN 포트폴리오를 강화하고 전력 시스템 분야의 글로벌 리더십을 강화했습니다.
• 2024년 11월 -MACOM은 무선 주파수 및 마이크로파 애플리케이션용 탄화규소(SiC) 공정 기술에 고급 질화갈륨(GaN)을 구축하기 위한 개발 프로젝트를 주도하도록 선정되었습니다.
• 2024년 9월 -ECOC 2024에서 MACOM은 고속 연결의 미래를 형성하는 첨단 반도체 기술을 선보이는 고속 아날로그 연결 솔루션을 선보였습니다.
• 2025년 4월 -마이크로칩은 에지 애플리케이션의 AI를 위해 설계된 새로운 고밀도 전력 모듈을 공개해 컴팩트한 폼 팩터에서 성능과 효율성을 향상시켰습니다.
• 2024년 -회사는 Mi-V RISC-V 생태계를 확장하여 RISC-V 이니셔티브를 지원하는 도구 및 설계 리소스 제품군을 제공하고 임베디드 시스템의 개발 가속화를 촉진했습니다.

보고서 범위

An Infographic Representation of Gallium Nitride (GaN) Devices Market

View Full Infographic

다양한 세그먼트에 대한 정보를 얻으려면, 문의 사항을 공유하세요

질화갈륨 장치 시장 조사 보고서는 시장에 대한 구조화된 분석을 제공합니다. 이 보고서는 주요 시장 참가자, 장치 유형, 구성 요소, 애플리케이션, 글로벌 질화 갈륨 GaN 장치의 산업적 존재, GaN 반도체 장치 시장의 주요 기술 동향과 같은 주요 측면에 주로 중점을 둡니다. 이 외에도 보고서는 주요 산업 발전에 대한 하이라이트를 제공합니다. 또한 최근 몇 년 동안 GaN 반도체 장치 시장 보고서의 성장률에 기여한 몇 가지 요소를 제공합니다.

보고서 범위 및 세분화