Marktgröße, Anteil und Branchenanalyse von GaN-Substraten, nach Substrattyp (GaN-auf-Siliziumkarbid, GaN-auf-Silizium, GaN-auf-Saphir und Bulk-GaN), nach Wafergröße (2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll und mehr), nach Anwendung (HF-Geräte, Leistungselektronik, Optoelektronik und andere), nach Endverbrauchsindustrie (Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobil, Verbraucher). Elektronik, Gesundheitswesen und andere) und regionale Prognose, 2026 – 2034

Die globale Marktgröße für GaN-Substrate wurde im Jahr 2025 auf 341,0 Millionen US-Dollar geschätzt. Der Markt wird voraussichtlich von 392,7 Millionen US-Dollar im Jahr 2026 auf 1.486,2 Millionen US-Dollar im Jahr 2034 wachsen und im Prognosezeitraum eine jährliche Wachstumsrate von 18,1 % aufweisen.

Das GaN-Substrat umfasst Materialien aus Galliumnitrid, die neben anderen High-Tech-Halbleitern hauptsächlich für die Herstellung von Hochfrequenz-, Leistungselektronik- und Optoelektronikgeräten verwendet werden. Zu den verschiedenen Substrattypen gehören GaN auf SiC, GaN auf Silizium, GaN auf Saphir und Bulk-GaN. Der Markt wächst aufgrund der zunehmenden Verwendung von Geräten, die mithilfe der Galliumnitrid-Substrattechnologie in 5G-Infrastrukturen, Elektroautos, Rechenzentren, Verteidigungsgeräten und Energieumwandlungsprozessen hergestellt werden.

Zu den wichtigsten Marktteilnehmern zählen Mitsubishi Chemical Corporation, Sumitomo Chemical Co., Ltd., NGK Corporation, Soitec und IQE plc.  Diese Unternehmen konzentrieren sich auf die Kapazitätserweiterung und die Entwicklung von GaN-Substraten mit größerem Durchmesser und geringer Defektzahl, um die Produktionseffizienz zu verbessern, die Waferkosten zu senken und die steigende Nachfrage aus HF-, Leistungselektronik-, Automobil- und optoelektronischen Anwendungen zu befriedigen.

AUSWIRKUNGEN GENERATIVER KI

Wachsende generative KI-Workloads steigern die Nachfrage nach GaN-Leistungssubstraten

Generative KI wirkt sich positiv auf den Markt aus, da sie den Bau hochdichter Rechenzentren mit hoher Energieeffizienz, kompakten Netzteilen und Wärmemanagement als entscheidenden Faktoren erleichtert. KI-Beschleuniger-Racks erfordern viel mehr Strom, was den Einsatz von GaN-Halbleitern in der Stromversorgung von Servern, der DC-DC-Umwandlung und der Hochspannungs-Energiearchitektur vorantreibt. Dies führt zu einem Anstieg der Nachfrage nach GaN-auf-Silizium- und anderen Galliumnitrid-Substratlösungen, die zur Herstellung von Leistungsgeräten mit Hochfrequenzleistung und -effizienz verwendet werden. Es wird erwartet, dass der positive Einfluss zunehmen wird, wenn große Rechenzentren auf Hochspannungsarchitektur umsteigen, obwohl die Nachfrage nach Substraten vom Marktanteil von Galliumnitrid-Geräten im Vergleich zu anderen Technologien wie Siliziumsubstraten usw. abhängen würde Siliziumkarbid.

• Im Mai 2025 gab Navitas Semiconductor eine Zusammenarbeit mit NVIDIA bekannt, um NVIDIAs 800-V-HGÜ-Architektur der nächsten Generation für KI-Rechenzentren zu unterstützen und dabei GaN- und SiC-Technologien für Systeme zu nutzen, die für die Unterstützung von 1-MW-IT-Racks und mehr ausgelegt sind.

GaN-Substrat-Markttrends

Zunehmender Einsatz von GaN-on-SiC in HF-Anwendungen zur Förderung des Marktwachstums

Die GaN-auf-SiC-Technologie erfreut sich bei HF-Anwendungen immer größerer Beliebtheit, da sie die hervorragenden Eigenschaften der GaN-Technologie und die außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeitseigenschaften des SiC-Materials aufweist. Auf dieser Grundlage erfüllt die GaN-on-SiC-Technologie Anforderungen in Anwendungen wie 5G-Infrastruktur, Radar, Satellitenkommunikation, elektronischer Kriegsführung und anderen, die mit Hochleistungs-HF-Systemen zu tun haben. Die wachsende Nachfrage nach höherer Ausgangsleistung, höherer Betriebsfrequenz, verbessertem Wirkungsgrad und anderen wichtigen Vorteilen der GaN-Technologie ebnet den Weg für ihre Anwendung in HF-Anwendungen. Darüber hinaus treibt die Entwicklung von Programmen zur Modernisierung der Verteidigung und von Hochfrequenzkommunikationsnetzen die Nachfrage nach GaN-auf-SiC-Substraten voran. Mit der steigenden Nachfrage nach HF-Geräten wächst auch die Zahl der Unternehmen, die GaN-auf-SiC-basierte Geräte herstellen.

• Im Juni 2025 brachte MACOM Technology Solutions ein neues Portfolio leistungsstarker GaN-auf-SiC-HF-Verstärker für fortschrittliche Radarsysteme auf den Markt, darunter S-Band-Geräte mit bis zu 800 W und einen 700-W-C-Band-GaN-auf-SiC-Leistungsverstärker.

MARKTDYNAMIK

MARKTREIBER

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Wachsende Nachfrage nach energieeffizienter Stromumwandlung zur Förderung der Marktexpansion

Der verstärkte Fokus auf die Eindämmung der Verluste in elektrischen Systemen, die in Autos, Industriemaschinen, elektronischen Geräten verwendet werden,erneuerbare EnergieSysteme und Computer-Rechenzentren verleihen dem Prozess, GaN-Halbleiter in die Produktion zu bringen, Schwung. Die GaN-Technologie ermöglicht die Verwendung höherer Kommunikationsfrequenzen und macht die GaN-Ausrüstung effektiver, indem sie die elektrischen Verluste und Abmessungen anderer Komponenten reduziert und so die Effizienz des Systems als Ganzes erhöht. Folglich dürfte die Einführung der GaN-Technologie zu einer erhöhten Nachfrage nach Wafern und Substraten für die Herstellung von Leistungsgeräten führen und das Wachstum des GaN-Substratmarktes vorantreiben.

• Im November 2025 brachte STMicroelectronics eine neue GaN-IC-Plattform für die Bewegungssteuerung auf den Markt, die die Energieeffizienz in Haushaltsgeräten und Industrieantrieben verbessern soll. Die Plattform zielt auf Anwendungen wie Haushaltsgeräte und Fabrikautomation ab, demonstriert die zunehmende kommerzielle Nutzung der GaN-Technologie bei der energieeffizienten Stromumwandlung und unterstützt die nachgelagerte Nachfrage nach GaN-Materialplattformen.

MARKTBEGRENZUNGEN

Hohe Herstellungskosten von GaN-Substraten in Halbleiterqualität können das Marktwachstum behindern

GaN-Substrate in Halbleiterqualität bleiben teuer, da ihre Herstellung komplexe Kristallwachstumsprozesse, strenge Defektkontrolle, spezielles Polieren und hochpräzise Messtechnik erfordert. Ein größerer Waferdurchmesser erhöht die Herausforderungen bei der Herstellung von Galliumnitridsubstraten mit geringer Versetzungsdichte und homogener Materialqualität, was zu geringeren Produktionsausbeuten und höheren Produktionskosten pro Wafer führt. Daher sind Substrate in Halbleiterqualität möglicherweise weniger wettbewerbsfähig als präzises Silizium und könnten den Einsatz dieses Materials in kostensensiblen Massenindustrien verlangsamen.

Darüber hinaus ist es kostspielig, alle notwendigen fortschrittlichen Technologien zur Herstellung von Halbleiterprodukten anzuwendenGalliumnitridSubstrate. Abhängig vom gewählten technologischen Weg kann die Kommerzialisierung eingeschränkt werden, bis größere Wafer, reines Material und fortschrittlichere Fertigungstechnologien weit verbreitet sind.

MARKTCHANCEN

Die zunehmende Integration von GaN in die Energiearchitekturen von KI-Rechenzentren schafft neue Möglichkeiten für das Marktwachstum

Das rasante Wachstum der generativen KI und die Zunahme des Hochleistungsrechnens erfordern aufgrund der zunehmenden Leistungsdichte an diesen Standorten die Verfügbarkeit effektiverer und kompakterer Energieumwandlungssysteme in Rechenzentren. GaN-basierte Leistungsprodukte zeichnen sich durch hohe Schaltfrequenzen, geringe Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte aus und eignen sich daher für den Einsatz in neuen 48-V-, 400-V- und 800-V-LeistungsarchitekturenRechenzentren. Der Trend deutet auf den zunehmenden Einsatz von GaN-on-Silicon-Plattformen für die Stromversorgung von KI-Servern, DC-DC-Wandlern und Zwischenbus-Wandlern hin. Der Einsatz von KI-Racks im Megawatt-Bereich durch große Betreiber dürfte die Nachfrage nach der Produktion von GaN-basierten Geräten erhöhen bzw. den Bedarf an GaN-Substraten und Epitaxie-Wafern erhöhen. Der Übergang zu einer größeren Fertigung mit 200-mm-GaN-auf-Silizium-Technologie wird wahrscheinlich zu Kosteneffizienz und Skalierbarkeit der Technologie für die Anforderungen von KI-Rechenzentren führen.

Segmentierungsanalyse

Nach Substrattyp

Überlegene Wärmeleitfähigkeit und Hochfrequenzleistung unterstützen die Marktführerschaft im GaN-auf-Siliziumkarbid-Segment

Basierend auf dem Substrattyp wird der Markt in GaN-auf-Siliziumkarbid, GaN-auf-Silizium, GaN-auf-Saphir und Bulk-GaN eingeteilt.

Das GaN-auf-Siliziumkarbid-Segment hatte im Jahr 2025 den größten Marktanteil. Dies ist auf seine bemerkenswerte Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und hervorragende Hochfrequenzleistung zurückzuführen, was es für die Anwendungsbereiche HF-Leistungsverstärker, Radar, Satelliten und 5G-Infrastruktur vorteilhaft macht. Sein etablierter Einsatz in hochleistungsfähigen GaN-HEMTs und anderen spezialisierten HF-Produkten stärkte die Segmentdominanz weiter.

Das GaN-auf-Silizium-Segment wird im Prognosezeitraum voraussichtlich mit der höchsten CAGR von 20,7 % wachsen. Dies ist auf die geringeren Herstellungskosten, die Kompatibilität mit der etablierten Silizium-Fertigungsinfrastruktur und die zunehmende Verbreitung in hochvolumigen Leistungselektronikanwendungen wie Schnellladegeräten, Rechenzentren und Elektrofahrzeugen zurückzuführen.

Nach Wafergröße

Das 4-Zoll-Segment führte den Markt an, angetrieben durch einfachen Zugang und etablierten Produktionsprozess

Basierend auf der Wafergröße wird der Markt in 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll und mehr unterteilt.

Das 4-Zoll-Segment hatte im Jahr 2025 den größten Marktanteil bei GaN-Substraten. Dies ist auf die praktische Kombination aus Kosten, einfacher Zugänglichkeit, etabliertem Produktionsprozess und Geräteausbeute sowohl für GaN-HF-Anwendungen als auch für Leistungsanwendungen zurückzuführen. Die weit verbreitete Kompatibilität mit bestehenden Produktionslinien und geringere Übergangskosten im Vergleich zu 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern führten zu einer Segmentdominanz.

Das Segment mit 8 Zoll und mehr wird im Prognosezeitraum voraussichtlich mit der höchsten jährlichen Wachstumsrate von 8,4 % wachsen. Dies ist auf die zunehmenden Bemühungen der Industrie zurückzuführen, die GaN-Produktion auf größere Wafer zu skalieren, was den Fertigungsdurchsatz verbessern, die Kosten pro Gerät senken und Leistungselektronikanwendungen in großen Stückzahlen unterstützen kann.

Auf Antrag

Das Segment HF-Geräte hielt aufgrund der starken Nachfrage von Hochleistungs-HF-Anwendungen den Mehrheitsanteil

Je nach Anwendung ist der Markt in HF-Geräte, Leistungselektronik, Optoelektronik und andere (Sensoren, Quantengeräte usw.) unterteilt.

Das Segment HF-Geräte hatte im Jahr 2025 den größten Marktanteil. Dies ist auf die bedeutende Verwendung von GaN-Substraten für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen einschließlich Radar, Satellitenkommunikationssystemen, 5G-Basisstationen usw. zurückzuführenelektronische Kriegsführung. Die zunehmende Beliebtheit von GaN-auf-SiC-Anwendungen in HF-Leistungsverstärkern und HEMTs, bei denen Leistungsdichte und thermische Eigenschaften von entscheidender Bedeutung sind, trug zu ihrem Umsatzanteil bei.

Das Segment Leistungselektronik wird im Prognosezeitraum voraussichtlich mit der höchsten jährlichen Wachstumsrate von 19,6 % wachsen. Dies ist auf den zunehmenden Einsatz von GaN-basierten Geräten in Elektrofahrzeugen, Schnellladegeräten, Systemen für erneuerbare Energien, industriellen Stromversorgungen und Rechenzentren zurückzuführen, bei denen eine höhere Effizienz und Leistungsdichte von entscheidender Bedeutung sind.

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Nach Endverbrauchsindustrie

Der Ausbau der 5G- und drahtlosen Infrastruktur stärkte die Dominanz des Telekommunikationssegments

Basierend auf der Endverbrauchsindustrie wird der Markt in Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Automobil, Unterhaltungselektronik, Gesundheitswesen und andere (Sensoren, Quantengeräte usw.) unterteilt.

Das Telekommunikationssegment hielt im Jahr 2025 einen dominierenden Marktanteil. Dies ist auf den hohen Einsatz von Galliumnitrid-Substraten bei der Herstellung von Hochfrequenz-HF-Komponenten zurückzuführen, die in 5G-Basisstationen, Satellitenkommunikationssystemen und drahtloser Infrastruktur verwendet werden. Das Konzept der Verwendung von GaN in HF-Verstärkern und HEMTs wurde durch die Notwendigkeit einer erhöhten Leistungsdichte, thermischen Leistung und verbesserten Signaleffizienz weiter vorangetrieben.

Es wird erwartet, dass das Automobilsegment im Prognosezeitraum mit der höchsten CAGR von 22,0 % wächst. Dies ist auf die zunehmende Verbreitung von GaN-basierten Leistungsgeräten in Elektrofahrzeugen, Bordladegeräten, DC/DC-Wandlern, Schnellladesystemen und anderer hocheffizienter Automobilelektronik zurückzuführen.

Regionaler Ausblick für den GaN-Substratmarkt

Geografisch ist der Markt in Nordamerika, Südamerika, Europa, den Nahen Osten und Afrika sowie den asiatisch-pazifischen Raum unterteilt.

Asien-Pazifik

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Der asiatisch-pazifische Raum hielt im Jahr 2024 mit einem Wert von 121,5 Millionen US-Dollar den größten Marktanteil und behielt auch im Jahr 2025 mit 139,9 Millionen US-Dollar den Spitzenanteil. Es wird erwartet, dass der Markt im asiatisch-pazifischen Raum im Prognosezeitraum mit der höchsten CAGR von 20,4 % wachsen wird, was auf die große Konzentration von GaN-Wafern, Epitaxiematerial undHalbleiter, LED- und Leistungselektronikfertigung in China, Japan, Taiwan und Südkorea. Diese Region ist auch für die enorme Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, Unterhaltungselektronik, 5G-Infrastruktur, industriellen Stromversorgungssystemen und Anwendungen für erneuerbare Energien bekannt, was zu einem höheren Einsatz von Galliumnitrid-Substraten führt.

• Im Juli 2025 ging Navitas Semiconductor eine Partnerschaft mit der Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation ein, um mit der Produktion und Weiterentwicklung der 200-mm-GaN-auf-Silizium-Technologie im Powerchip-Werk in Taiwan zu beginnen.

Markt für GaN-Substrate in China

Der chinesische Markt wird voraussichtlich einer der größten Märkte weltweit sein. Der Umsatz im Jahr 2026 wird auf rund 47,4 Millionen US-Dollar geschätzt, was etwa 12,1 % des weltweiten Umsatzes entspricht. Dies ist auf die rasche Ausweitung der heimischen Herstellung von Verbindungshalbleitern, eine starke Produktion von Elektrofahrzeugen und Unterhaltungselektronik, eine umfangreiche 5G-Infrastruktur und zunehmende Investitionen in GaN-basierte Energie- und HF-Technologien zurückzuführen

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Japanischer GaN-Substratmarkt

Schätzungen zufolge wird der japanische Markt im Jahr 2026 etwa 32,3 Millionen US-Dollar erreichen, was etwa 8,7 % des weltweiten Umsatzes ausmacht.

Indischer GaN-Substratmarkt

Der indische Markt wird im Jahr 2026 auf etwa 15,1 Millionen US-Dollar geschätzt, was etwa 3,8 % des weltweiten Umsatzes ausmacht.

Nordamerika

Der nordamerikanische Markt wird im Jahr 2026 voraussichtlich 104,9 Millionen US-Dollar erreichen und sich die Position der zweitgrößten Region im Markt sichern. Dies ist auf den Bedarf verschiedener Sektoren wie militärische Kommunikationssysteme, Luftfahrtelektronik, Rechenzentren und Energiesysteme zurückzuführenElektrofahrzeugeund drahtlose Kommunikationssysteme, hauptsächlich aufgrund der etablierten Kapazitäten und des F&E-Ökosystems für die Produktion von Verbindungshalbleiterbauelementen. Das Wachstum der Investitionen in die inländische Produktion von 200-mm-GaN-Halbleitern erhöht die Lieferkapazität von GaN-Geräten in der Region.

• Im Dezember 2024 erhielt GlobalFoundries weitere 9,5 Millionen US-Dollar an US-Bundesmitteln, um die Herstellung von GaN-auf-Silizium-Halbleitern in seinem Werk in Vermont voranzutreiben. Dies würde das Unternehmen der Serienproduktion von 200-mm-GaN-Chips näher bringen.

US-GaN-Substratmarkt

Basierend auf dem bedeutenden Beitrag Nordamerikas und der Dominanz der USA in der Region kann der US-Markt analytisch auf etwa 86,2 Millionen US-Dollar im Jahr 2026 geschätzt werden, was etwa 22,0 % des weltweiten Umsatzes entspricht.

Europa

Der europäische Markt wird im Prognosezeitraum voraussichtlich eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von 16,4 % verzeichnen, was die dritthöchste aller Regionen ist, und bis 2026 einen Wert von 91,0 Mio. USD erreichen. Das regionale Marktwachstum ist auf eine steigende Nachfrage nach Anwendungen wie Automobilelektrifizierung, industrieller Leistungselektronik, erneuerbaren Energiesystemen und fortschrittlicher Telekommunikation zurückzuführen. Die Produktnachfrage wird durch die fortschrittliche Halbleiterfertigungsbasis in der Region beeinflusst. Der Markt verändert sich durch die zunehmenden Investitionen in die Produktion größerer GaN-Wafer und die Produktion von Halbleitern mit großer Bandlücke.

• Im September 2024 kündigte Infineon Technologies die Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Power-GaN-Wafer-Technologie in seinem Werk Villach in Österreich an und nutzt dabei die bestehende skalierbare 300-mm-Siliziumfertigungsinfrastruktur.

Britischer GaN-Substratmarkt

Schätzungen zufolge wird der britische Markt im Jahr 2026 etwa 17,3 Millionen US-Dollar erreichen, was etwa 4,4 % des weltweiten Umsatzes entspricht.

Deutschland GaN-Substratmarkt

Der deutsche Markt wird im Jahr 2026 voraussichtlich etwa 19,5 Millionen US-Dollar erreichen, was etwa 5,0 % des weltweiten Umsatzes entspricht.

Südamerika

Für Südamerika wird im Prognosezeitraum ein moderates Wachstum erwartet. Der südamerikanische Markt wird im Jahr 2026 voraussichtlich einen Wert von 13,5 Millionen US-Dollar erreichen. Dies ist auf den Ausbau der Telekommunikationsinfrastruktur, Projekte für erneuerbare Energien, die industrielle Elektrifizierung und die zunehmende Einführung fortschrittlicher Leistungselektronik in wichtigen Märkten wie Brasilien, Argentinien, Chile und Kolumbien zurückzuführen. In Südamerika soll der brasilianische Markt im Jahr 2026 einen Wert von 7,5 Millionen US-Dollar erreichen.

Naher Osten und Afrika

Der Markt im Nahen Osten und in Afrika wird im Jahr 2026 schätzungsweise 20,8 Millionen US-Dollar erreichen und im Analysezeitraum voraussichtlich mit einer deutlichen Wachstumsrate wachsen. Dies ist auf den steigenden Bedarf an 5G- und Telekommunikationseinrichtungen, Verteidigungselektronik, erneuerbaren Energien und die zunehmende Finanzierung der fortschrittlichen Fertigung in der gesamten Region, beispielsweise im Golf-Kooperationsrat, in Israel, der Türkei und sogar in einigen Teilen Nordafrikas, zurückzuführen. Die zunehmende Entwicklung von Rechenzentren, die Elektrifizierung von Industrien und die schrittweise Umsetzung staatlicher Initiativen im Halbleiter- und Elektroniksektor unterstützen auch die Produktnachfrage in der Region. Im Nahen Osten und in Afrika soll der GCC-Markt bis 2026 einen Wert von 8,1 Millionen US-Dollar erreichen.

WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT

Wichtige Akteure der Branche

Hauptakteure konzentrieren sich auf Wafer mit größerem Durchmesser, Kristallqualität und fortschrittliche Substrattechnologien, um sich einen Vorsprung gegenüber anderen Unternehmen zu verschaffen

Der globale GaN-Substratmarkt weist eine halbkonsolidierte Marktstruktur auf, wobei die wichtigsten Akteure Mitsubishi Chemical Corporation, Sumitomo Chemical Co., Ltd., NGK Corporation, Soitec und IQE plc sind. Diese Unternehmen konzentrieren sich auf GaN-Wafer mit größerem Durchmesser, geringere Defektdichten, verbesserte Kristallqualität und fortschrittliche GaN-auf-SiC- und GaN-auf-Silizium-Plattformen, um den wachsenden Anforderungen überall gerecht zu werdenTelekommunikation, Automobil, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung sowie industrielle Energieanwendungen.

Weitere namhafte Akteure auf dem Weltmarkt sind Kyma Technologies, Inc., Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Enkris Semiconductor, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. und SweGaN AB. Es wird erwartet, dass der zunehmende Wettbewerb rund um die Entwicklung von 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern, die Herstellung von GaN-auf-Silizium, hochwertige Massengalliumnitridsubstrate und fortschrittliche GaN-auf-SiC-Epitaxietechnologien die Produktinnovation beschleunigen, die Skalierbarkeit der Fertigung verbessern und die Marktexpansion in den Bereichen HF-Geräte, Leistungselektronik, Optoelektronik, Elektrofahrzeuge, Rechenzentren und fortschrittliche Kommunikationssysteme unterstützen wird.

Liste der wichtigsten GaN-Substrat-Unternehmen im Profil

• Mitsubishi Chemical Corporation (Japan)
• Sumitomo Chemical Co., Ltd. (Japan)
• NGK Corporation (Japan)
• Soitec (France)
• IQE plc (U.K.)
• Kyma Technologies, Inc. (U.S.)
• Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd. (China)
• Enkris Semiconductor (China)
• Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China)
• SweGaN AB (Sweden)

WICHTIGE ENTWICKLUNGEN IN DER INDUSTRIE

• August 2026:SweGaN sicherte sich eine Serie-B-Finanzierung in Höhe von 14 Millionen US-Dollar, angeführt von Thisbe AB, North Ventures und bestehenden Aktionären, wodurch sich die Gesamtfinanzierung auf 41 Millionen US-Dollar erhöhte. Die Investition wird verwendet, um die Produktionskapazität zu erweitern und die Forschung und Entwicklung von GaN-auf-SiC-Epitaxiematerialien der nächsten Generation für HF- und HF-Anwendungen zu beschleunigenLeistungselektronik.
• März 2026:Soitec und die Nanyang Technological University Singapore gaben die Ergebnisse ihrer vierjährigen Zusammenarbeit mit epitaktischen Soitec-GaN-auf-Silizium-Substraten für 6G-HF-Geräte der nächsten Generation bekannt.
• April 2025:IQE und X-FAB unterzeichneten eine gemeinsame Entwicklungsvereinbarung zur Entwicklung einer marktreifen 650-V-GaN-Stromversorgungsplattform, die die GaN-Epitaxie-Expertise von IQE mit den Gerätefertigungsfähigkeiten von X-FAB kombiniert. Die zweijährige Zusammenarbeit zielt auf Automobil-, Rechenzentrums- und Verbraucherstromanwendungen ab und unterstützt eine breitere Kommerzialisierung der GaN-Epitaxie-Wafer-Technologie.
• März 2025:NGK stellte auf der OFC 2025 seinen 4-Zoll-gebondeten halbisolierenden GaN-Wafer vor, der einen GaN-Dünnfilm mit geringer Versetzungsdichte mit einem SiC-Basissubstrat kombiniert. Der neu entwickelte Wafer soll die Wärmeableitung und Leistung verbessern und gleichzeitig die Kosten für Hochfrequenz-GaN-Geräte senken, die in der 5G- und 6G-Kommunikation verwendet werden.
• November 2024:Sumitomo Chemical gab bekannt, dass sein Projekt zur Entwicklung von 6-Zoll-GaN-auf-GaN-Wafern für die Leistungselektronik für ein NEDO-Programm zur Unterstützung energiesparender Technologien ausgewählt wurde.
• November 2024:Die Mitsubishi Chemical Group plante, aktiv in GaN-Entwicklungsanlagen zu investieren und gleichzeitig mit The Japan Steel Works zusammenzuarbeiten, um die Entwicklung der GaN-Technologie zu beschleunigen.
• April 2024:Enkris Semiconductor und das in Belgien ansässige Unternehmen Incize haben eine Absichtserklärung für eine strategische Zusammenarbeit bei der Modellierung, Simulation und Prüfung der GaN-auf-Silizium-Epitaxietechnologie für drahtlose Kommunikationsanwendungen unterzeichnet.

BERICHTSBEREICH

Die globale GaN-Substrat-Marktanalyse umfasst eine umfassende Untersuchung der Marktgröße und -prognose für alle im Bericht enthaltenen Marktsegmente. Es enthält Einzelheiten zur Marktdynamik und den Markttrends, die den Markt im Prognosezeitraum voraussichtlich antreiben werden. Es bietet Informationen zu wichtigen Aspekten, einschließlich eines Überblicks über technologische Fortschritte, Pipeline-Kandidaten, das regulatorische Umfeld und Produkteinführungen. Darüber hinaus werden Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen sowie wichtige Branchenentwicklungen nach Schlüsselregionen detailliert beschrieben. Der globale Marktforschungsbericht bietet außerdem eine detaillierte Wettbewerbslandschaft mit Informationen zu Marktanteilen und Profilen der wichtigsten operativen Akteure.

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Berichtsumfang und Segmentierung