Marktgröße, Anteil und COVID-19-Auswirkungsanalyse für Galliumnitrid-Geräte, nach Gerätetyp (Optohalbleitergerät, Leistungshalbleitergerät und HF-Halbleitergerät), nach Wafergröße (2-Zoll-Wafer, 4-Zoll-Wafer und 6-Zoll-Wafer und mehr), nach Komponente (Transistor, Diode, Gleichrichter, Leistungs-IC und andere), nach Anwendung (Lichterkennung und -entfernung, drahtloses und EV-Laden, Radar- und Satellitenradiofrequenz usw.). Andere), nach Endbenutzer und regionale Prognose, 2020–2027

Die globale Marktgröße für Galliumnitrid-Geräte betrug im Jahr 2019 20,56 Milliarden US-Dollar und wird voraussichtlich von 21,18 Milliarden US-Dollar im Jahr 2020 auf 39,74 Milliarden US-Dollar im Jahr 2032 wachsen, bei einer jährlichen Wachstumsrate von 5,20 % im Zeitraum 2020–2032. Nordamerika dominierte den Markt für Galliumnitrid-Geräte mit einem Marktanteil von 35,89 % im Jahr 2019.

Der Anstieg der CAGR ist auf die Nachfrage und das Wachstum dieses Marktes zurückzuführen und kehrt nach dem Ende der Pandemie wieder auf das Niveau vor der Pandemie zurück. Die globalen Auswirkungen von COVID-19 waren beispiellos und erschütternd, da sich Galliumnitrid (GaN)-Geräte inmitten der Pandemie positiv auf die Nachfrage in allen Regionen auswirkten. Basierend auf unserer Analyse wird der globale Markt für GaN-Geräte im Jahr 2020 ein Wachstum von 1,03 % aufweisen, verglichen mit dem durchschnittlichen jährlichen Wachstum im Zeitraum 2016–2019.

Galliumnitrid (GaN) ist ein technologisch fortschrittliches Halbleiterbauelement mit dritter Bandlücke. Das GaN-Gerät eignet sich gut für Hochleistungstransistoren und kann bei hohen Temperaturen betrieben werden. Große elektrische Felder, höhere Energieeffizienz, höhere Sättigungsgeschwindigkeit, Durchbruchspannung und Wärmeleitung sind die Hauptmerkmale des GaN-basierten Geräts. Im Februar 2020 arbeiteten STMicroelectronics und Taiwan Semiconductor Manufacturing Company zusammen, um die Entwicklung der GaN-Prozesstechnologie für die Bereitstellung integrierter und diskreter Komponenten zu beschleunigen.

COVID-19-Pandemie steigert die Nachfrage, gestützt durch höhere Verkäufe von IoT-basierten Systemen

Die COVID-19-Pandemie hat sich positiv auf den Markt ausgewirkt. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach Elektronikprodukten und -dienstleistungen im Zeitraum von März 2020 bis September 2020 zurückzuführen. Die USA, China und die Europäische Union führen nationale Sperren ein, um die Auswirkungen des Coronavirus zu verringern. Während der Lockdown-Ära haben mehrere multinationale Unternehmen strenge staatliche Regeln und Vorschriften erlassen, um eine Work-from-Home-Kultur zu schaffen, die die wachsende Nachfrage nach Elektronikprodukten wie Mobiltelefonen, Ladegeräten, Laptops und IoT-basierten Geräten widerspiegeln soll. Die hohe Nachfrage nach Schnellladegeräten und IoT-basierten Diensten dürfte den Absatz von Galliumnitrid-basierten Halbleitersystemen direkt steigern. Die COVID-19-Pandemie würde die Lieferkette verbessern und zu einem Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Halbleiterbauelementen führen. Es wird daher erwartet, dass es einen positiven Effekt auf den Markt haben wird.

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Von allen Regionen zeigte der Markt in Nordamerika und im asiatisch-pazifischen Raum aufgrund der Verbesserung die größte AuswirkungLieferkettenmanagementder Hersteller. Unternehmen mit Sitz im asiatisch-pazifischen Raum, wie Toshiba Corporation und Mitsubishi Electric Corporation, haben die Betriebsaktivitäten von GaN-Geräten verbessert, um ihren Bedarf zu decken. Es wird erwartet, dass dies die Auslieferungen von GaN-basierten Systemen deutlich steigern wird. Allerdings investieren mehrere Unternehmen wie Cree, Inc., Infineon Technologies AG und EPISTAR Corporation in die digitale Transformation von GaN-Geräten, um eine bessere Produktivität, Agilität und Konnektivität zu bieten. Dadurch kann sich der Markt im Zeitraum 2022-2027 erholen.

Wichtige Erkenntnisse auf dem Markt für GALLIUMNITRID (GaN)-GERÄTE

Marktgröße und Prognose

• Marktgröße 2019: 35,96 Milliarden US-Dollar
• Marktgröße 2020: 21,18 Milliarden US-Dollar
• Prognostizierte Marktgröße 2032: 39,74 Milliarden US-Dollar
• CAGR: 5,20 % (2020–2032)

Marktanteil

• Nordamerika dominierte den Markt für Galliumnitrid-Geräte mit einem Anteil von 35,89 %.
• Den größten Marktanteil hielt das Segment Opto-Halbleitergeräte.
• Es wird erwartet, dass das Transistorsegment aufgrund der zunehmenden Verbreitung in 4G-fähigen Geräten und Elektrofahrzeugen einen dominanten Anteil behalten wird.

Wichtige regionale Highlights

Nordamerika

Die Marktgröße für Galliumnitrid (GaN)-Geräte in Nordamerika belief sich im Jahr 2019 auf 7,38 Milliarden US-Dollar. Der Markt in dieser Region dürfte im Prognosezeitraum der größte sein.

Europa

Aufgrund der steigenden Nachfrage nach drahtlosen Geräten und fortschrittlichen Energieverwaltungstechnologien in wichtigen Ländern wird für Europa ein deutliches Wachstum erwartet.

Asien-Pazifik

Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich ein beträchtliches Wachstum verzeichnen, das durch die Präsenz wichtiger Marktteilnehmer in dieser Region wie Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation und Toshiba Corporation unterstützt wird.

UNS.

Das Marktwachstum wird durch die Präsenz führender Branchenteilnehmer und steigende Investitionen in die Entwicklung von GaN-basierten Geräten und Technologien unterstützt.

Japan

Das Land profitiert von einem starken Ökosystem für die Halbleiterfertigung und der Präsenz großer GaN-Gerätehersteller, was die regionale Marktexpansion unterstützt.

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Markttrends für Galliumnitrid-Geräte

Die Einführung schneller mobiler Ladegeräte mit GaN-Technologie ist ein bedeutender Trend 

Die Integration der GaN-Technologie bietet Mobiltelefonen Schnellladekapazität. Im September 2020 gab BBK Electronics (OPPO Company) die vollständige Einführung von Galliumnitrid-Leistungs-ICs bekannt, um die Produktion ultradünner 50-Watt-Schnellladegeräte zu ermöglichen. Der Einsatz von GaN-Komponenten und integrierten Steuerungslösungen soll die Ladezeit von Mobiltelefonen verkürzen. Galliumnitrid-Geräte werden zur Verwaltung der Ultrahochfrequenz-Stromversorgungslösungen eingesetzt und lösen eine Revolution im Bereich der Stromversorgung aus. Der zunehmende Einsatz von Galliumnitrid-Halbleitern im Radardesign dürfte das Marktwachstum vorantreiben. Darüber hinaus werden GaN-Halbleiter in Kampfflugzeugen zum Bau taktischer Funkgeräte für die Breitbandkommunikation eingesetzt. In Nordamerika wuchs der Markt für Galliumnitrid-Geräte von 7,14 Milliarden US-Dollar im Jahr 2018 auf 7,38 Milliarden US-Dollar im Jahr 2019.

Wachstumsfaktoren für den Markt für Galliumnitrid-Geräte

Steigender Einsatz von GaN für kommerzielle Anwendungen zur Förderung des Wachstums

Es wird erwartet, dass die steigende Nachfrage nach energieeffizienten GaN-Geräten und Leistungshalbleitern in der kabelgebundenen Kommunikation das Marktwachstum vorantreiben wird. Dieses Wachstum ist auf die Ausweitung des Telekommunikationsbereichs zurückzuführen, da sich verschiedene Internetdienstanbieter hauptsächlich darauf konzentrieren, Netzwerke mit höherer Kapazität, allgegenwärtiger Konnektivität und geringerer Latenz über optische Kabel bereitzustellen. Die auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid basierenden Halbleiter sind energieeffizient, da sie eine höhere Energieeffizienz bei geringeren Kosten ermöglichen. Infineon Technologies stellt Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) für die Entwicklung von Leuchtdioden (LEDs) und Blitzableitern her, um einen externen Spaltschutz für Leistungstransformatoren bereitzustellen.

Der mögliche Einsatz von Galliumnitrid in5G-Infrastruktursoll auch das Marktwachstum steigern. Die 4G-Technologie wird hinsichtlich Verkehrskapazität, Latenz, Energieeffizienz und Datenraten durch 5G-Technologien ersetzt.  Die 5G-Technologie soll voraussichtlich im Jahr 2021 kommerziell eingeführt werden. Sie würde zahlreiche Vorteile bieten, beispielsweise ein effizienteres Kommunikationsnetz bei geringeren Kosten. Telekommunikationsgiganten wie AT&T und Nokia beteiligen sich an der Forschungs- und Entwicklungsinitiative (F&E), um die 5G-Technologie in den gesamten USA aufzubauen.

Zunehmender Einsatz von GaN-basierten Komponenten in der Verteidigungsindustrie zur Förderung des Wachstums

Es wird erwartet, dass der zunehmende Einsatz technologisch fortschrittlicher GaN-Systeme im Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtsektor das Marktwachstum ankurbeln wird. Das Wachstum ist auf den steigenden Bedarf an erhöhter Bandbreite sowie Leistungszuverlässigkeit in der Funkkommunikation, bei Radargeräten, in der elektronischen Kriegsführung und anderen Bereichen zurückzuführen. Aufgrund seiner Festigkeit und Härte ist das SiC-Material eine ideale Wahl für die Herstellung kugelsicherer Jacken. GaN-basierte ICs werden in Radargeräten verwendet, um eine effiziente Navigation und Echtzeit zu ermöglichenFlugsicherung. Darüber hinaus kann GaN höhere Betriebsfrequenzen für militärische Störsender, terrestrische Funkgeräte und Radarkommunikation bereitstellen. Der zunehmende Einsatz von Breitband-GaN-Leistungstransistoren bei mehreren Verteidigungskräften weltweit dürfte das Wachstum unterstützen.

EINHALTENDE FAKTOREN

Eine Kürzung des Verteidigungsbudgets könnte das Wachstum begrenzen

Das Haushaltsamt des US-Kongresses schätzt, dass das Haushaltsdefizit des Bundes im laufenden Haushaltsjahr (2020-2021) 3,7 Billionen US-Dollar beträgt und im Haushaltsjahr 2021 aufgrund der hohen Ausgaben für die Erholung von COVID-19 bis zu 2 Billionen US-Dollar überschreiten wird. Es soll langfristige Auswirkungen auf den Verteidigungshaushalt haben. Der Verteidigungshaushalt wurde aufgrund des Defizits im Bundeshaushalt gekürzt. Die Kürzung des Verteidigungsbudgets wird sich direkt auf die geringere Nachfrage auswirkenmilitärische Radargeräte, taktische Funkgeräte und softwaredefinierte Funkgeräte. Es wird die Dynamik dieser globalen Industrie weiter verändern. Darüber hinaus sind die hohen Entwicklungs- und Wartungskosten, die mit der Herstellung von Galliumnitrid-Komponenten verbunden sind, ein Hauptfaktor, der das Wachstum dieses Marktes behindern kann.

SEGMENTIERUNGSANALYSE des Marktes für Galliumnitrid-Geräte

Nach Gerätetypanalyse

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Opto-Halbleitergeräte-Segment wird durch zunehmenden Einsatz von Solarzellen und Lasern dominieren

Auf der Grundlage des Gerätetyps wird der Markt in Optohalbleitergeräte, Leistungshalbleitergeräte und HF-Halbleitergeräte unterteilt. Das Segment Opto-Halbleitergeräte hatte im Jahr 2019 einen dominanten Marktanteil bei Galliumnitrid-Geräten. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach Opto-Halbleitergeräten in den Anwendungen Solarzellen, Fotodioden, Laser, LEDs und Optoelektronik zurückzuführen. Darüber hinaus werden Optohalbleiter hauptsächlich in Luft- und Raumfahrtanwendungen wie gepulsten Lasern usw. eingesetztLichterkennung und Entfernungsmessung (LiDAR), was das Segmentwachstum vorantreiben würde.

Der Leistungshalbleiter wird vor allem in Satelliten, Raumfähren und Flugzeugen zur Stromversorgung eingesetzt. Es wird prognostiziert, dass das HF-Halbleitersegment im Prognosezeitraum eine höhere CAGR verzeichnen wird, was auf den zunehmenden Einsatz dieses Geräts in fortschrittlichen Mobilkommunikationsanwendungen zurückzuführen ist. Es verfügt über zahlreiche vorteilhafte Eigenschaften, wie z. B. eine hohe Stromverstärkung und einen geringen Stromverbrauch im ausgeschalteten Zustand.

Durch Wafergrößenanalyse

Das 4-Zoll-Wafer-Segment hält dank der Verwendung in Hochleistungsverstärkern den höchsten Anteil

Auf der Grundlage der Wafergröße wird der Markt in 2-Zoll-Wafer, 4-Zoll-Wafer und 6-Zoll-Wafer und mehr unterteilt. Die 2-Zoll-Größe ist eine Kombination esoterischer Verbindungen wie Indiumphosphid und Graphen. Es wird hauptsächlich in Verteidigungsanwendungen eingesetzt. Das 4-Zoll-Wafer-Segment hielt im Prognosezeitraum den größten Marktanteil. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach optoelektronischen Geräten, Telekommunikations-Frontends, Hochleistungsverstärkern und Hochtemperaturgeräten zurückzuführen. Auch die Anpassungsfähigkeit eines 4-Zoll-Substrats für Weltraumkommunikationsanwendungen wird das Wachstum beschleunigen.

Das Wafersegment mit 6 Zoll und mehr wird im Prognosezeitraum voraussichtlich eine höhere CAGR verzeichnen. Dieses Wachstum wird durch die zunehmende Verwendung dieses Wafers in Verteidigungsgeräten mit hoher Durchbruchspannung und geringem Leckstrom vorangetrieben. Auch der zunehmende Einsatz dieses Wafers in kommerziellen Anwendungen, etwa in Kollisionsvermeidungssystemen für Kraftfahrzeuge und drahtlosen Mobilfunkbasisstationen, würde zum Wachstum beitragen.

Durch Komponentenanalyse

Das Transistor-Segment ist von der zunehmenden Verbreitung in 4G-fähigen Geräten begeistert

Basierend auf Komponenten, dieMarkt für Galliumnitrid-Geräteist in Transistor, Diode, Gleichrichter, Leistungs-IC und andere unterteilt. Aufgrund der zunehmenden Verbreitung von Transistoren in 4G-fähigen Geräten wird das Transistorsegment in den kommenden Jahren einen dominanten Marktanteil einnehmen. Darüber hinaus würde auch der zunehmende Einsatz von GaN-Transistoren in Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge in Form von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Feldeffekttransistoren das Wachstum fördern.

Dioden werden verwendet, um Signale von Versorgungsquellen zu isolieren. Sie sind elektrische Rückschlagventile und ermöglichen den Stromfluss von Plus nach Minus nur in eine Richtung. Gleichrichtung, Lichtemission und induktive Lastableitung sind einige der Hauptmerkmale von Dioden.

Gleichrichter sind Stromrichter, die Wechselstrom (AC) in Gleichstrom (DC) und umgekehrt umwandeln. Sie dienen als Stromversorgung für Fernseher, Computerausrüstung und taktische Funkkommunikation.

Es wird erwartet, dass das Leistungs-IC-Segment im Prognosezeitraum eine erhebliche CAGR aufweisen wird. Dieses Wachstum ist auf den zunehmenden Einsatz von GaN-basierten Leistungs-ICs in drahtlosen Luftwaffenstützpunkten zur Verbesserung der Kommunikationszuverlässigkeit zurückzuführen. Das Segment „Andere“ besteht aus einer Gleichrichterdiode, die in verschiedenen Anwendungen verwendet wird, beispielsweise zum Gleichrichten einer Spannung, zum Umwandeln von Wechselspannung in Gleichspannung und zum Mischen verschiedener Signale.       

Durch Anwendungsanalyse

Zunehmender Einsatz in Kampfflugzeugen zur Stärkung des Segments Lichterkennung und Entfernungsmessung

Im Hinblick auf die Anwendung ist der Markt für Galliumnitrid-Geräte in Lichterkennung und Entfernungsmessung, drahtloses Laden und Laden von Elektrofahrzeugen, Radar und Satellitenfunkfrequenz und andere unterteilt. Es wird erwartet, dass das Segment Lichterkennung und Entfernungsmessung in den kommenden Jahren einen dominanten Marktanteil erreichen und generieren wird. Die Dominanz ist auf den zunehmenden Einsatz in Kampfflugzeugen zur Entfernungsberechnung zurückzuführen. Dies geschieht, indem das Ziel mit Hilfe von Laserlicht beleuchtet und die Reflexion mit einem Sensor berechnet wird. Es wird erwartet, dass die hohe Nachfrage nach UAV-LIDAR in Korridorkartierungsanwendungen das Wachstum ankurbeln wird.

Es wird erwartet, dass das Segment des kabellosen Ladens und Ladens von Elektrofahrzeugen eine signifikante CAGR aufweisen wird. Dieses Wachstum ist auf die weltweit steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen zurückzuführen. Bei Einsätzen auf dem Schlachtfeld können Kriegskämpfer 15 kg oder mehr Batterien mit sich führen, um ihre Funkgeräte und andere elektronische Geräte mit Strom zu versorgen, die für ihre Missionen von entscheidender Bedeutung sind. Durch das kabellose Laden und Laden von Elektrofahrzeugen entfällt wahrscheinlich die zusätzliche Belastung durch Batterien, wodurch die Effizienz des Soldaten bei Einsätzen auf dem Schlachtfeld erhöht wird.

Das GaN-basierte Radarsystem soll Flugzeuge und Marineschiffe vor Raketen, Artillerie und Marschflugkörpern schützen.unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs), Mörser und andere schlecht sichtbare Ziele. Die Satellitenfunkfrequenz wird für Satellitenkommunikation, Vollzeit-Satellitenfernsehnetze sowie Rohsatelliten-Feeds verwendet. Die X-Band-Radarfrequenz-Subbänder werden hauptsächlich in zivilen, militärischen und staatlichen Einrichtungen zur Flugsicherung, zur Kontrolle des Seeschiffverkehrs, zur Wetterüberwachung und zur Fahrzeuggeschwindigkeitserkennung für die Strafverfolgung eingesetzt.

Das andere Segment besteht aus Leistungstreibern. Sie revolutionieren die Welt der Energietechnik, indem sie die Geschwindigkeit verbessern, die Effizienz erhöhen und durch den Einsatz von Silizium-MOSFETs eine höhere Leistungsdichte bieten.

Durch Endbenutzeranalyse

Das Verteidigungssegment wird im Prognosezeitraum eine höhere CAGR verzeichnen

Im Hinblick auf die Endnutzer ist der Markt in Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Gesundheitswesen, erneuerbare Energien, Informations- und Kommunikationstechnologie und andere unterteilt. Es wird erwartet, dass das Segment der Informations- und Kommunikationstechnologie einen dominanten Anteil erlangt. Dies wäre auf die zunehmende Verbreitung der Internet-of-Things-Technologie (IoT) für kommerzielle Anwendungen zurückzuführen. Anwendungen wie Echtzeitanalysen, künstliche Intelligenz (KI) und Konnektivität können mit der Einführung von 5G daher Aktivitäten von lokalen Geräten hin zur Cloud-Technologie verlagern.

Im Luft- und Raumfahrtsegment werden GaN-Geräte hauptsächlich in kleinen Zellen, Remote-Radio-Head-Netzwerkverdichtungen und verteilten Antennensystemen (DAS) eingesetzt. Diese Geräte werden in Rechenzentren, Servern, Übertragungsleitungen, Basisstationen und in der Satellitenkommunikation eingesetzt. Die wachsende Nachfrage nach kostengünstigen IoT-Geräten und -Komponenten, KI-basierter medizinischer Bildgebung, Radiographie, Ultraschall und Magnetresonanztomographie in der Gesundheitsbranche dürfte das Wachstum begünstigen

Es wird erwartet, dass das Verteidigungssegment im Prognosezeitraum eine erhebliche CAGR prognostiziert. Dieses Wachstum ist auf den zunehmenden Einsatz von GaN-basierten Systemen im militärischen Radar zurückzuführen.elektronische Kriegsführung, Gegen-IED-Störsender und 3G/4G-Basisstationen. Diese Geräte verfügen über einzigartige Eigenschaften und werden daher zum Bau effizienter optoelektronischer Industrieanlagen und Geräte für erneuerbare Energien und Hochtemperaturanwendungen in der Verbraucher- und Unternehmensindustrie verwendet.

REGIONALE EINBLICKE

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Die Marktgröße für Galliumnitrid (GaN)-Geräte in Nordamerika belief sich im Jahr 2019 auf 7,38 Milliarden US-Dollar. Der Markt in dieser Region dürfte im Prognosezeitraum der größte sein. Dieses Wachstum ist auf die Präsenz wichtiger Akteure in den USA zurückzuführen, nämlich Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop Grumman Corporation, Qorvo, Inc. und andere. Die Dominanz dieser Region ist auch auf die zunehmende Beschaffung von Galliumnitrid-Geräten und anderen verwandten Technologien in den USA und Kanada zurückzuführen. Private Firmen wie Texas Instruments Incorporated und Qorvo, Inc konzentrieren sich auf die Beschaffung von Mitteln für den Bau von GaN-basierten Geräten in den USA. 

Der Markt in Europa wird im Prognosezeitraum voraussichtlich deutlich wachsen. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach drahtlosen Geräten in Großbritannien, Frankreich und Deutschland zurückzuführen. Es wird erwartet, dass die Luftfahrtindustrie in Großbritannien schrittweise eine fortschrittliche Energiemanagementlösung in SiC-Geräten für Stromversorgungs- und Motorsteuerungsanwendungen einführt. Das SiC ist eine Komponente mit geringem Gewicht, die vor allem zur Reduzierung des Treibstoffverbrauchs und der Emissionen in der Luftfahrtindustrie eingesetzt wird.

Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich ein beträchtliches Wachstum verzeichnen, das durch die Präsenz wichtiger Marktteilnehmer in dieser Region wie Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation und Toshiba Corporation unterstützt wird. Auch die hohe Nachfrage nach GaN-Geräten aus Schwellenländern wie China und Indien für den Einsatz in der Verteidigungsindustrie dürfte das Wachstum begünstigen.

Im Nahen Osten dürfte die steigende Nachfrage nach GaN-Geräten aus Saudi-Arabien für die Offshore-Öl- und Gasexploration sowie für medizinische Notfalldienste das Wachstum ankurbeln. Es wird geschätzt, dass der Rest der Welt aufgrund der zunehmenden Einführung der IoT-Technologie in Afrika und Lateinamerika ebenfalls ein erhebliches Wachstum verzeichnen wird.

WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE

Hauptakteure konzentrieren sich auf die Geschäftsausweitung durch die Einführung neuer Produkte und die Unterzeichnung von Verträgen

Die Branche ist durch die Präsenz zahlreicher dominanter Akteure mit bedeutenden Marktanteilen vertreten. Sie konzentrieren sich auf strategische Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen sowie Kooperationen. Die Wettbewerbslandschaft des Marktes zeigt die Dominanz ausgewählter Akteure wie Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Epistar Corporation, GaN Systems und Macom. Die Hauptakteure konzentrieren sich hauptsächlich auf vielfältige Produktportfolios des globalen Galliumnitrid-Halbleiters, Bestandsmanagement, Lieferkettenmanagement, Wartung und andere Lösungen.  Im Juni 2019 unterzeichneten Integra Technologies und die US Air Force (USAF) einen Vertrag zur Erweiterung der GaN-Gerätetechnologie für Radaranwendungen. Die Nitrid-GaN-Halbleiterbauelementtechnologie wird hauptsächlich für Festkörper-Hochfrequenz-(RF)-Leistungsanwendungen verwendet.

Liste der führenden Hersteller von Galliumnitrid-Geräten:

• Cree, Inc. (USA)
• Infineon Technologies AG(Deutschland)
• Effiziente Energieumwandlungsgesellschaft. (Die USA)
• Epistar Corporation (Taiwan)
• GaN-Systeme (Kanada)
• Macom (USA)
• Microsemi (USA)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
• Nichia Corporation (Japan)
• Northrop Grumman Corporation (USA)
• Nxp Semiconductors. (Niederlande)
• Qorvo, Inc (USA)
• Texas Instruments Incorporated. (Die USA)
• Toshiba Corporation (Japan)

WICHTIGSTE ENTWICKLUNGEN IN DER BRANCHE:

• Januar 2025 –Wolfspeed hat seine MOSFET-Technologieplattform der 4. Generation auf den Markt gebracht, die bahnbrechende Leistung für Hochleistungsanwendungen liefert und die Effizienz und Zuverlässigkeit unter realen Bedingungen verbessert.
• November 2024 –Infineon stellte auf der Electronica 2024 die weltweit erste 300-mm-Power-Galliumnitrid-(GaN)-Wafer-Technologie vor und markierte damit einen bedeutenden Fortschritt in der Leistungselektronikfertigung.
• Februar 2024 –Auf der APEC 2024 präsentierte EPC sein umfassendes Portfolio an GaN-basierten Stromversorgungslösungen und demonstrierte Fortschritte in den Bereichen High-Density-Computing, Motorantriebe, Automobilelektrifizierung und Satellitenanwendungen.
• Oktober 2023 –GaN Systems stellte seine GaN-Stromversorgungsplattform der 4. Generation vor, die einen Leistungsvorteil von 20 % bietet und die Effizienz in Verbraucher-, Industrie- und Elektrofahrzeuganwendungen steigert.
• Oktober 2023 – Die Infineon Technologies AG hat die Übernahme von GaN Systems abgeschlossen und damit ihr GaN-Portfolio gestärkt und ihre weltweite Führungsposition im Bereich Energiesysteme gestärkt.
• November 2024 –MACOM wurde ausgewählt, ein Entwicklungsprojekt zu leiten, um fortschrittliche Prozesstechnologien für Galliumnitrid (GaN) auf Siliziumkarbid (SiC) für Hochfrequenz- und Mikrowellenanwendungen zu etablieren.
• September 2024 –Auf der ECOC 2024 stellte MACOM seine analogen Hochgeschwindigkeits-Konnektivitätslösungen vor und präsentierte fortschrittliche Halbleitertechnologien, die die Zukunft der Hochgeschwindigkeits-Konnektivität prägen.
• April 2025 –Microchip stellte ein neues hochdichtes Leistungsmodul vor, das für KI-Anwendungen am Rande entwickelt wurde und die Leistung und Effizienz in kompakten Formfaktoren verbessert.
• 2024 -Das Unternehmen erweiterte sein Mi-V-RISC-V-Ökosystem und bot eine Reihe von Tools und Designressourcen zur Unterstützung von RISC-V-Initiativen an, die eine beschleunigte Entwicklung eingebetteter Systeme ermöglichen.

BERICHTSBEREICH

An Infographic Representation of GALIUM NITRIDE (GAN) -Gerricht Markt

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Der Marktforschungsbericht für Galliumnitrid-Geräte bietet eine strukturierte Analyse des Marktes. Es konzentriert sich hauptsächlich auf Schlüsselaspekte wie führende Marktteilnehmer, Gerätetyp, Komponenten, Anwendungen, industrielle Präsenz globaler Galliumnitrid-GaN-Geräte und die führenden technologischen Trends des Marktes für GaN-Halbleitergeräte. Darüber hinaus bietet der Bericht Highlights wichtiger Branchenentwicklungen. Darüber hinaus bietet es mehrere Faktoren, die in den letzten Jahren zur Wachstumsrate des Marktberichts über GaN-Halbleitergeräte beigetragen haben.

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