Gallium Nitride Device Market Size, Share & COVID-19 Impact Analysis, By Device Type (Opto-Semiconductor Device, Power Semiconductor Device, and Rf Semiconductor Device), By Wafer Size (2-Inch Wafer, 4-Inch Wafer, and 6-Inch and Above Wafer), By Component (Transistor, Diode, Rectifier, Power IC, and Other), By Application (Light Detection & Ranging, Wireless and EV Lade-, Radar- und Satelliten-Funkfrequenz und andere), nach Endbenutzer und regionale Prognose, 2020-2027

Die globale Marktgröße für Gallium-Nitrid-Geräte betrug im Jahr 2019 20,56 Milliarden USD und wird voraussichtlich im Zeitraum 2020 bis 2020 auf 39,74 Mrd. USD im Zeitraum 2020 bis 2032 von 21,18 Mrd. USD wachsen. Nordamerika dominierte den Gallium -Nitrid -Gerätemarkt mit einem Marktanteil von 35,89% im Jahr 2019.

Der Anstieg der CAGR ist auf die Nachfrage und das Wachstum dieses Marktes zurückzuführen und kehrt nach Ablauf der Pandemie auf vor-pandemische Ebene zurück. Die globalen Auswirkungen von Covid-19 waren beispiellos und stolperig, wobei GANDRID-Geräte (GAN) in allen Regionen inmitten der Pandemie einen positiven Einfluss auf die Nachfrage verzeichneten. Basierend auf unserer Analyse wird der globale Markt für GAN-Geräte im Jahr 2020 ein Wachstum von 1,03% aufweisen, verglichen mit dem durchschnittlichen Wachstum des Vorjahres in den Jahren 2016-2019.

Galliumnitrid (GaN) ist ein technologisch fortschrittliches Halbleiter-Gerät dritter Band. Das GaN-Gerät ist für Hochleistungstransistoren gut geeignet und kann bei hohen Temperaturen operieren. Große elektrische Felder, höhere Energieeffizienz, höhere Sättigungsgeschwindigkeit, Breakdown-Spannung und thermische Leitung sind die Hauptmerkmale des GaN-basierten Geräts. Im Februar 2020 arbeiteten STMICROELECTRONICS und TAIWAN SEMICONDUCOR Fertigungsunternehmen zusammen, um die Entwicklung der GAN -Prozesstechnologie für die Versorgung von integriertem und diskretem zu beschleunigen.

Covid-19-Pandemie, um die Nachfrage zu erhöhen, die durch höhere Umsätze von IoT-basierten Systemen unterstützt wird

Die Covid-19-Pandemie hat den Markt positiv beeinflusst. Dieses Wachstum ist auf die zunehmende Nachfrage nach Elektronikprodukten und -dienstleistungen im Zeitraum von März 2020 bis September 2020 zurückzuführen. Die USA, China und die Europäische Union setzen nationale Sperrungen durch, um die Auswirkungen von Coronavirus zu verringern. Während der Lockdown-Ära haben mehrere multinationale Unternehmen strenge Regierungsregeln und -vorschriften vorgelegt, um die Kultur der Arbeit von Häusern zu initiieren, die die wachsende Nachfrage nach Elektronikprodukten wie Mobiltelefonen, Ladegeräten, Laptops und IoT-basierten Geräten widerspiegeln soll. Die hohe Nachfrage nach schnellen Ladegeräten und IoT-basierten Diensten soll den Umsatz von Halbleitersystemen auf Gallium-Basis direkt erhöhen. Die Covid-19-Pandemie würde die Lieferkette verbessern und zum Wachstum von Gallium-Nitrid-Halbleiter-Geräten (GaN) führen. Daher wird erwartet, dass es sich positiv auf den Markt auswirkt.

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Unter allen Regionen zeigte der Markt in Nordamerika und asiatisch-pazifik den höchsten Einfluss aufgrund der verbessertenLieferkettenmanagementvon Herstellern. Unternehmen im asiatisch-pazifischen Raum wie Toshiba Corporation und Mitsubishi Electric Corporation verbesserten die operativen Aktivitäten von GAN-Geräten, um ihre Nachfrage zu erfüllen. Es wird erwartet, dass dies die Lieferungen von GaN-basierten Systemen erheblich erhöht. Mehrere Unternehmen wie Cree, Inc., Infineon Technologies AG und Epistar Corporation investieren jedoch in die digitale Transformation von GaN -Geräten, um eine bessere Produktivität, Beweglichkeit und Konnektivität zu bieten. Dies kann den Markt im Zeitraum 2022-2027 wiedererlangen.

Global Gallium Nitrid (GaN) -Derätigungsindustrie Landschaftsübersicht

Marktgröße und Prognose:

• 2019 Marktgröße: USD 20,56 Milliarden
• 2020 Marktgröße: USD 21,18 Milliarden
• 2032 Prognose Marktgröße: USD 39,74 Milliarden
• CAGR: 5,20% von 2020 bis 2032

Marktanteil:

• Nordamerika dominierte den GAN -Gerätemarkt mit einem Anteil von 35,89% im Jahr 2019, was auf starke Ausgaben für die Verteidigung der Verteidigungselektronik, eine frühzeitige Einführung der 5G -Infrastruktur und die Anwesenheit wichtiger Akteure wie CREE, QORVO, EPC und Texas Instrumente zurückzuführen war.
• Nach dem Gerätetyp hielten Opto-Semiconductors im Jahr 2019 den größten Marktanteil aufgrund weit verbreiteter Anwendungen in LEDs, Solarzellen, Laserdioden und Lidar, insbesondere in der Luft- und Raumfahrt und Verteidigung.
• Nach Wafergröße machten 4-Zoll-Gan-Wafers den größten Anteil im Jahr 2019 aus, der durch ihre Effizienz in der Telekommunikationsinfrastruktur, der Satellitenkommunikation und der Hochfrequenzverstärkersysteme unterstützt wurde.

Key Country Highlights:

• Vereinigte Staaten: Das Wachstum wird durch die Erweiterung der Anwendungen von GaN in Radarsystemen, elektronischen Kriegsführung, 5G -Kommunikation und Militärmodernisierungsprogrammen vorangetrieben.
• China: groß angelegte 5G-Einsatz, starke inländische Fertigung und staatlich unterstützte Semiconductor-Selbstverständnis-Initiativen tanken die Nachfrage der Gan.
• Japan: Unternehmen wie Toshiba und Mitsubishi Electric führen Innovationen in GaN-Geräten für Elektrofahrzeuge, optische Kommunikation und hocheffiziente Stromversorgungen.
• Deutschland: Die Akzeptanz wird durch industrielle Automatisierung, Projekte für erneuerbare Energien und Nachfrage nach energieeffizienten EV-Stromversorgungssystemen unterstützt.
• INDIEN: Erhöhte Nutzung von GaN in Satellitenkommunikation, Verteidigung Avionik und Telekommunikationsbasisstationen im Rahmen von Initiativen wie Make in Indien treibt die Markterweiterung vor.
• Kanada: Gan Systems leitet die Einführung in Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronik mit hocheffizienten GAN-Stromtransistoren.
• Naher Osten: GaN gewinnt an Öl- und Gasinstrumenten, fortschrittlichen Sicherheitssystemen und Hochleistungs-Telekommunikationsanwendungen an der Anstiegung.

Gallium -Nitrid -Gerätemarkttrends

Die Einführung schneller mobiler Ladegeräte mit GaN -Technologie ist ein bedeutender Trend 

Die Integration der GAN-Technologie bietet mobile Mobilteile schnell aufladet. Im September 2020 kündigte BBK Electronics (Oppo Company) die vollständige Einführung von Gallium-Nitrid Power ICS an, um die Produktion von ultra-dünnen 50-Watt-Schnellbatterien-Ladegeräten zu ermöglichen. Die Verwendung von GaN -Komponenten und integrierten Kontrolllösungen wird so eingestellt, dass die Ladezeit von Handys verkürzt wird. Gallium-Nitrid-Geräte werden verwendet, um die ultrahohigen Frequenz-Leistungslösungen zu verwalten, um eine Revolution im Stromversorgungsfeld auszulösen. Die zunehmende Verwendung von Galliumnitrid -Halbleitern im Radardesign dürfte das Marktwachstum vorantreiben. Darüber hinaus werden Gan -Halbleiter in Kampfflugzeugen verwendet, um taktische Funkgeräte für die Breitbandkommunikation zu bauen. Nordamerika verzeichnete das Wachstum des Gallium -Nitrid -Gerätemarktes von 7,14 Milliarden USD im Jahr 2018 auf 7,38 Milliarden USD im Jahr 2019.

Marktwachstumsfaktoren für Gallium -Nitrid -Geräte -Markt

Steigende Verwendung von GaN für kommerzielle Anwendungen, um das Wachstum voranzutreiben

Die zunehmende Nachfrage nach energieeffizienten GAN-Geräten und Stromversemduktoren bei der Kabelverkommunikation wird voraussichtlich das Marktwachstum vorantreiben. Dieses Wachstum wird auf die Ausweitung des Telekommunikationsbereichs zurückgeführt, da sich verschiedene Internetdienstanbieter hauptsächlich darauf konzentrieren, Netzwerke mit höherer Kapazität, allgegenwärtiger Konnektivität und geringerer Latenz mit optischen Kabeldraht bereitzustellen. Die Halbleiter auf Siliziumcarbid (SIC) und Galliumnitridbasis sind energieeffizient, da sie eine höhere Leistungseffizienz bei geringeren Kosten ermöglichen. Infineon Technologies stellt Silizium (SI), Siliciumcarbid (SIC) und Galliumnitrid (GaN) zur Entwicklung von Lichtemittierdioden (LEDs) und Blitzstörungen her, um einen externen Lückenschutz für Krafttransformatoren zu gewährleisten.

Die mögliche Verwendung von Galliumnitrid in5G Infrastruktursoll auch das Marktwachstum erweitern. Die 4G -Technologie wird durch 5G -Technologien in Bezug auf Verkehrskapazität, Latenz, Energieeffizienz und Datenraten ersetzt.  Die 5G -Technologie wird voraussichtlich im Jahr 2021 kommerziell eingeführt. Sie würde zahlreiche Vorteile bieten, z. B. ein effizienteres Kommunikationsnetz mit weniger Kosten. Telekommunikationsgiganten wie AT & T und Nokia nehmen an der Initiative Research and Development (F & E) teil, um die 5G -Technologie in den USA aufzubauen.

Steigende Verwendung von GaN-basierten Komponenten in der Verteidigungsindustrie zum Tankwachstum

Der zunehmende Einsatz von technologisch fortschrittlichen GaN -Systemen im Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtsektor wird erwartet, dass das Marktwachstum steigert. Das Wachstum wird auf den steigenden Bedarf an erhöhter Bandbreite sowie die Leistungszuverlässigkeit in der Funkkommunikation, Radars, elektronischer Kriegsführung und anderen zurückgeführt. Das SIC-Material ist aufgrund seiner Stärke und Härte eine ideale Wahl für die Herstellung von kugelsicheren Jacken. ICs auf GaN-basierter ICs werden in Radaren verwendet, um eine effiziente Navigation und Echtzeit zu ermöglichenFlugverkehrskontrolle. Darüber hinaus kann Gan höhere Betriebsfrequenzen für Militärangehörige, terrestrische Funkgeräte und Radarkommunikation liefern. Die zunehmende Einführung von Breitband -Gan -Stromtransistoren mehrerer Verteidigungskräfte weltweit wird voraussichtlich das Wachstum unterstützen.

Rückhaltefaktoren

Die Reduzierung des Verteidigungsbudgets kann das Wachstum einschränken

Das US-amerikanische Haushaltsbüro des Kongresses schätzte, dass das Bundeshaushaltsdefizit in Höhe von 3,7 Billionen USD im laufenden Geschäftsjahr (2020-2021) beträgt und im Geschäftsjahr 2021 aufgrund hoher Ausgaben für die Erholung der Covid-19-Erholung bis zu 2 Billionen USD überschreiten wird. Es wird voraussichtlich eine langfristige Auswirkungen des Verteidigungsbudgets widerspiegeln. Das Verteidigungsbudget wurde aufgrund des Defizits im Bundeshaushalt reduziert. Die Reduzierung des Verteidigungsbudgets wird sich direkt auf die geringere Nachfrage nach beeinflussenMilitärradare, taktische Funkgeräte und softwaredefinierte Funkgeräte. Es wird die Dynamik dieser globalen Branche weiter verändern. Darüber hinaus sind die mit dem Bau von Galliumnitrid -Komponenten verbundenen hohen Entwicklungs- und Wartungskosten ein Hauptfaktor, der das Wachstum dieses Marktes behindern kann.

Marktsegmentierungsanalyse von Gallium -Nitrid -Geräten

Nach Analyse der Gerätetyp

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Opto-Semiconductor-Gerätesegment für die steigende Verwendung von Solarzellen und Lasern dominieren

Auf der Grundlage des Gerätetyps ist der Markt in Opto-Semiconductor-Geräte, Power-Semiconductor-Geräte und RF-Halbleiter-Geräte unterteilt. Das Segment opto-Semiconductor-Geräte enthielt 2019 einen dominanten Marktanteil von Galliumnitrid-Geräten. Dieses Wachstum ist auf die zunehmende Nachfrage nach Opto-Semiconductor-Geräten in den Anwendungen von Solarzellen, Fotodioden, Lasern, LEDs und Optoelektronik zurückzuführen. Darüber hinaus werden Opto-Semiconductors hauptsächlich in Luft- und Raumfahrtanwendungen wie gepulstem Laser und verwendetLichtdetektion und Reichweite (Lidar), was das segmentale Wachstum vorantreiben würde.

Der Power -Halbleiter wird zum Zwecke der Stromversorgung hauptsächlich in Satelliten, Raumschaltungen und Flugzeugen eingesetzt. Das RF -Halbleitersegment wird im Prognosezeitraum eine höhere CAGR registrieren, die durch die steigende Verwendung dieses Geräts in fortschrittlichen mobilen Kommunikationsanwendungen begeistert ist. Es verfügt über zahlreiche vorteilhafte Eigenschaften, wie z. B. eine hohe Stromverstärkung und einen niedrigen Stromverbrauch aus dem Zustand.

Durch Wafergrößenanalyse

4-Zoll-Wafer-Segment, um den höchsten Anteil durch den Einsatz in Hochleistungsverstärkern zu halten

Auf der Grundlage der Wafergröße wird der Markt als 2-Zoll-Wafer, 4-Zoll-Wafer und 6-Zoll und über dem Wafer eingestuft. Die 2-Zoll-Größe ist eine Kombination von esoterischen Verbindungen wie Indiumphosphid und Graphen. Es wird hauptsächlich in Verteidigungsanwendungen eingesetzt. Das 4-Zoll-Wafer-Segment hielt während des Prognosezeitraums den größten Marktanteil. Dieses Wachstum ist aufgrund seiner zunehmenden Nachfrage nach der Verwendung von Optoelektronikgeräten, Telekommunikationsfrontenden, Hochleistungsverstärkern und Hochtemperaturgeräten zurückzuführen. Die Anpassungsfähigkeit eines 4-Zoll-Substrats für Weltraumkommunikationsanwendungen soll das Wachstum beschleunigen.

Das 6-Zoll-und über dem Wafer-Segment wird voraussichtlich im Prognosezeitraum eine höhere CAGR registrieren. Dieses Wachstum wird durch den zunehmenden Einsatz dieses Wafers in Verteidigungsausrüstung für hohe Breakdown -Spannung und niedrige Stromverletzung angeheizt. Die steigende Einführung dieses Wafers in kommerziellen Anwendungen wie Kollisionsvermeidungssystemen und drahtlosen Zellbasisstationen würde ebenfalls zum Wachstum beitragen.

Durch Komponentenanalyse

Transistorsegment, um durch ihre zunehmende Einführung in 4G-fähigen Geräten verderbt zu werden

Basierend auf Komponenten dieGallium -Nitrid -Gerätemarktwird in den Transistor, die Diode, den Gleichrichter, den Power IC und andere unterteilt. Das Transistor-Segment wird in den kommenden Jahren aufgrund der wachsenden Einführung von Transistoren in 4G-fähigen Geräten einen dominanten Marktanteil haben. Außerdem würde die zunehmende Einführung von GaN-Transistoren in Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge in Form isolierter bipolarer Transistoren und Feldeffekttransistoren das Wachstum stärken.

Dioden werden verwendet, um Signale aus Versorgungsquellen zu isolieren. Sie sind elektrische Prüfventile und ermöglichen es, Elektrizität in nur einer Richtung von positiv nach negativ zu fließen. Korrektur, Lichtemission und induktive Belastungsableitung sind einige der Hauptmerkmale von Dioden.

Gleichrichter sind Leistungswandler, mit denen Wechselstrom (AC) in Gleichstrom (DC) umwandelt und umgekehrt. Sie fungieren als Stromversorgung für Fernseher, Computerausrüstung und taktische Funkkommunikation.

Das Power -IC -Segment wird im Prognosezeitraum voraussichtlich eine signifikante CAGR aufweisen. Dieses Wachstum wird auf die zunehmende Verwendung von ICS-Basis-ICS in GaN-basierten Stromversorgungen in drahtlosen Luftbasisstationen zurückgeführt, um die Kommunikationszuverlässigkeit zu verbessern. Das andere Segment besteht aus einer Gleichrichterdiode, die in mehreren Anwendungen verwendet wird, wie z.       

Durch Anwendungsanalyse

Zunehmender Einsatz in Kampfflugzeugen zur Steigerung der Lichtdetektion und des Segments

In Bezug auf die Anwendung ist der Markt für Gallium -Nitrid -Geräte in Lichtkennung und -rangladung, drahtlos und eV, Radar- und Satelliten -Funkfrequenz sowie andere unterteilt. Das leichte Erkennung und das Segment der leichten Segment werden in den kommenden Jahren voraussichtlich einen dominanten Marktanteil erreichen und erzeugen. Die Dominanz ist auf die zunehmende Verwendung in Kampfflugzeugen zur Berechnung der Entfernungen zurückzuführen. Es wird durchgeführt, indem das Ziel mit Hilfe von Laserlicht beleuchtet und die Reflexion mit einem Sensor berechnet wird. Die hohe Nachfrage nach UAV -LIDAR in Korridorzuordnungsanwendungen wird erwartet, dass sie das Wachstum steigern.

Das drahtlose und EV -Ladesegment wird erwartet, dass sie eine bedeutende CAGR präsentieren. Dieses Wachstum wird auf die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen weltweit zurückgeführt. In den Battlefield -Operationen können Warfighter 15 kg oder mehr Batterien mit sich bringen, um ihre Funkgeräte und andere elektronische Geräte mit Strom zu versorgen, die für ihre Missionen von entscheidender Bedeutung sind. Die drahtlose und EV -Aufladung wird wahrscheinlich die zusätzliche Ladung von Batterien beseitigen und damit die Effizienz des Soldaten für Schlachtfeldoperationen erhöht.

Das GaN-basierte Radarsystem ist zum Schutz von Flugzeugen und Marineschiffen vor Raketen, Artillerie, Kreuzfahrtraketen, schützt.Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs), Mörser und andere Ziele mit niedrig beobachteten Zielen. Die Satelliten-Radiofrequenz wird für Satellitenkommunikation, Vollzeit-Satelliten-TV-Netzwerke sowie für rohe Satellitenfeeds verwendet. Die X-Band-Radarfrequenz-Unterbänder werden hauptsächlich in zivil-, militärischen und staatlichen Institutionen für die Flugsicherung, die Verkehrskontrolle der Seefahrzeuge, die Wetterüberwachung und die Erkennung von Fahrzeuggeschwindigkeit für die Strafverfolgung eingesetzt.

Das andere Segment besteht aus Stromtreibern. Sie revolutionieren die Power Engineering -Welt, indem sie die Geschwindigkeit verbessern, die Effizienz erhöhen und eine höhere Stromdichte durch den Einsatz von Silizium -MOSFETs bieten.

Durch Endbenutzeranalyse

Das Verteidigungssegment, um während des Prognosezeitraums eine höhere CAGR zu registrieren

In Bezug auf Endbenutzer ist der Markt in Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Gesundheitswesen, erneuerbare Energien, Information und Kommunikationstechnologie und andere unterteilt. Das Segment für Informations- und Kommunikationstechnologie wird voraussichtlich einen dominanten Anteil beschaffen. Dies würde aufgrund der zunehmenden Einführung der Internet-of Things (IoT) -Technologie für kommerzielle Anwendungen auftreten. Anwendungen wie Echtzeitanalysen, künstliche Intelligenz (KI) und Konnektivität mit dem Aufkommen von 5G können die Aktivitäten von lokalen Geräten in die Cloud-Technologie verändern.

Im Luft- und Raumfahrtsegment werden GaN -Geräte hauptsächlich in kleinen Zellen, der Densifikation von Remote -Funkkopfnetzwerk und verteilten Antennensystemen (DAS) verwendet. Diese Geräte werden in Rechenzentren, Servern, Übertragungsleitungen, Basisstationen und Satellitenkommunikation verwendet. Die wachsende Nachfrage nach kostengünstigen IoT-Geräten und -komponenten, medizinischen Bildgebung, Radiographie, Ultraschall und Magnetresonanztomographie in der Gesundheitsbranche wird projiziert, um das Wachstum zu bevorzugen

Es wird erwartet, dass das Verteidigungssegment im Prognosezeitraum eine signifikante CAGR prognostiziert. Dieses Wachstum ist auf die zunehmende Einführung von GaN-basierten Systemen im Militärradar zurückzuführen,elektronische Kriegsführung, Counter IED-Jammers und 3G/4G-Basisstationen. Diese Geräte haben einzigartige Merkmale und werden daher verwendet, um effiziente optoelektronische industrielle Geräte und Geräte für erneuerbare Energien und Hochtemperaturanwendungen in der Verbraucher- und Unternehmensindustrie aufzubauen.

Regionale Erkenntnisse

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Der Gallium Nitrid (GaN) -Gerätemarkt in Nordamerika lag 2019 bei 7,38 Milliarden USD. Der Markt in dieser Region wird im Prognosezeitraum als der größte sein. Dieses Wachstum ist aufgrund der Anwesenheit von wichtigsten Akteuren in den USA, nämlich Cree, Inc., effiziente Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop Grumman Corporation, Qorvo, Inc. und andere. Die Dominanz dieser Region ist auch auf die zunehmende Beschaffung von Gallium -Nitrid -Geräten und anderen verwandten Technologien in den USA und Kanada zurückzuführen. Private Firmen wie Texas Instruments Incorporated und Qorvo, Inc konzentrieren sich darauf, Mittel zum Aufbau von GAN-basierten Geräten in den USA zu sammeln, in den USA. 

Der Markt in Europa wird voraussichtlich im Prognosezeitraum erheblich wachsen. Dieses Wachstum wird auf die zunehmende Nachfrage nach drahtlosen Geräten in Großbritannien, Frankreich und Deutschland zurückgeführt. Die Luftfahrtindustrie in Großbritannien wird allmählich erwartet, dass sie eine fortschrittliche Stromverwaltungslösung in SIC -Geräten für Stromversorgungs- und Motorkontrollanwendungen einnimmt. Der SIC ist eine Komponente mit niedrigem Gewicht, die hauptsächlich zur Reduzierung des Kraftstoffverbrauchs und der Emissionen in der Luftfahrtindustrie verwendet wird.

Es wird erwartet, dass der asiatisch -pazifische Raum ein beträchtliches Wachstum durch die Anwesenheit wichtiger Marktteilnehmer in dieser Region wie Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation und Toshiba Corporation registriert. Die hohe Nachfrage nach GAN -Geräten aus Schwellenländern wie China und Indien nach Verwendung in ihrer Verteidigungsindustrie wird ebenfalls erwartet, um das Wachstum zu begünstigen.

Im Nahen Osten dürfte die zunehmende Nachfrage nach Gan -Geräten aus Saudi -Arabien nach Offshore -Öl- und Gasxploration und Rettungsdiensten das Wachstum tanken. Der Rest der Welt zeigt auch ein signifikantes Wachstum aufgrund der steigenden Einführung der IoT -Technologie in Afrika und Lateinamerika.

Hauptakteure der Branche

Die wichtigsten Spieler konzentrieren sich auf die Geschäftserweiterung durch neue Produkteinführungen und Unterzeichnungsverträge

Die Branche ist durch das Vorhandensein vieler dominierender Akteure vertreten, die bedeutende Marktanteile haben. Sie konzentrieren sich auf strategische Partnerschaften, Fusionen und Akquisitionen und Kooperationen. Die Wettbewerbslandschaft des Marktes zeigt die Vorherrschaft ausgewählter Akteure wie Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Epistar Corporation, Gan Systems und Macom. Die wichtigsten Akteure konzentrieren sich hauptsächlich auf verschiedene Produktportfolios des Global Gallium Nitrid Semiconductor, Inventory Management, Supply Chain Management, Wartung und anderen Lösungen.  Im Juni 2019 unterzeichneten Integra Technologies und die US Air Force (USAF) einen Vertrag zur Erweiterung der GAN -Geräte -Technologie für Radaranwendungen. Die Nitrid Gan Semiconductor-Geräte-Technologie wird hauptsächlich für Festkörper-Funkfrequenzanwendungen (RF) verwendet.

Liste der obersten Gallium -Nitrid -Geräteunternehmen:

• Cree, Inc. (die USA)
• Infineon Technologies AG(Deutschland)
• Effiziente Stromversorgungsunternehmen. (Die USA)
• Epistar Corporation (Taiwan)
• Gan Systems (Kanada)
• Macom (die USA)
• Microsemi (die USA)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
• Nichia Corporation (Japan)
• Northrop Grumman Corporation (die USA)
• NXP -Halbleiter. (Niederlande)
• Qorvo, Inc (die USA)
• Texas Instruments Incorporated. (Die USA)
• Toshiba Corporation (Japan)

Schlüsselentwicklungen der Branche:

• Januar 2025 -WolfSpeed ​​startete seine Gen 4 MOSFET-Technologieplattform und lieferte eine bahnbrechende Leistung für Hochleistungsanwendungen, wodurch die Effizienz und Zuverlässigkeit unter realen Bedingungen verbessert wird.
• November 2024 -Infineon stellte die weltweit erste 300 -mm -Power Gallium -Nitrid (GaN) -Wafertechnologie bei Electronica 2024 ein und markierte einen erheblichen Fortschritt bei der Herstellung von Leistungselektronik.
• Februar 2024 -Bei APEC 2024 präsentierte EPC sein umfassendes Portfolio an GaN-basierten Leistungslösungen und demonstrierte Fortschritte in Bezug auf Hochdichte, Motorantriebe, Automobilelektrifizierung und Satellitenanwendungen.
• Oktober 2023 -Gan Systems führte seine Gan Power -Plattform der 4. Generation ein und bietet einen Leistungsvorteil von 20% und verbessert die Effizienz bei Anwendungen für Verbraucher-, Industrie- und Elektrofahrzeuge.
• Oktober 2023 - Infineon Technologies AG hat den Erwerb von GAN -Systemen abgeschlossen, das GAN -Portfolio verstärkt und seine globale Führungsrolle in Stromversorgungssystemen verstärkt.
• November 2024 -Macom wurde ausgewählt, um ein Entwicklungsprojekt zu leiten, um fortschrittliche Gallium -Nitrid (GaN) auf Siliciumcarbide (SIC) -Prozessechnologien für Funkfrequenz- und Mikrowellenanwendungen festzulegen.
• September 2024 -Bei ECOC 2024 präsentierte MacOM seine Hochgeschwindigkeitsanalogon-Konnektivitätslösungen und präsentierte fortschrittliche Halbleitertechnologien, die die Zukunft der Hochgeschwindigkeitskonnektivität prägten.
• April 2025 -Microchip stellte ein neues Leistungsmodul mit hoher Dichte vor, das für KI an den Edge-Anwendungen ausgelegt ist und die Leistung und Effizienz in kompakten Formfaktoren verbessert.
• 2024 -Das Unternehmen erweiterte sein MI-V RISC-V-Ökosystem und bietet eine Reihe von Werkzeugen und Entwurfsressourcen an, die RISC-V-Initiativen unterstützen und die beschleunigte Entwicklung eingebetteter Systeme erleichtert.

Berichterstattung

An Infographic Representation of GALIUM NITRIDE (GAN) -Gerricht Markt

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Der Marktforschungsbericht für Gallium -Nitrid -Geräte bietet eine strukturierte Analyse des Marktes. Es konzentriert sich hauptsächlich auf wichtige Aspekte wie führende Marktteilnehmer, Gerätetyp, Komponenten, Anwendungen, industrielle Präsenz von globalen Gan -Nitrid -GaN -Geräten und die führenden technologischen Trends des Marktes für Gan -Halbleiter -Geräte. Darüber hinaus bietet der Bericht Highlights der wichtigsten Entwicklungen der Branche. Darüber hinaus bietet es mehrere Faktoren, die in den letzten Jahren zur Wachstumsrate des Marktberichts Gan Semiconductor Devices beigetragen haben.

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