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실리콘 카바이드 (SIC) 장치 시장 규모, 점유율 및 산업 분석, 제품 유형 (SIC MOSFET, SIC DIODES/SBD 및 SIC 모듈), 전압 등급 (최대 650V, 650V – 1200V, 1200V – 1700V), 전력 범위 (50 KW), AURNOSTIVE 및 ENGICES, ENTERFON, ENTERFON, ENGUNICE 및 INCUTIVE, ENTERFORIVE, ENGUNIVE 및 INCITIVE, ENGITIVE 및 ENTERSIVE, ENGITIVE 및 INTORIVE 및 OITORIVE, UNCLOTIVE 및 ENGITIVE 및 OUTIVE (AUTHORE). 및 기타) 및 지역 예측, 2024 - 2032

마지막 업데이트: November 24, 2025 | 형식: PDF | 신고번호: FBI112103

 

주요 시장 통찰력

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Global Silicon Carbide (SIC) 장치 시장 규모는 2023 년에 259 억 달러로 평가되었습니다. 시장은 2032 년 2024 년 3,210 억 달러에서 2032 억 달러로 증가하여 예측 기간 동안 26.7%의 CAGR을 나타냅니다.

실리콘 카바이드는 넓은 대역 갭입니다반도체기존 실리콘에 비해 우수한 특성을 가진 재료이므로 극한 조건에서 작동하는 고성능 전자 장치에 매우 적합합니다. 이러한 고유 한 특성으로 인해 SIC 장치는 고전력 응용 프로그램을 많이 찾아 가혹한 환경에서 효율성과 신뢰성을 제공합니다.

Global Silicon Carbide (SIC) 장치 시장 개요

시장 규모 :

  • 2023 값 :USD2.59 억
  • 2024 값 :USD3.21 억
  • 2032 예측 값 :USD21.27 억
  • CAGR (2024–2032) :26.7%

시장 점유율 :

  • 지역 리더 :아시아 태평양은 2023 년 EV, 재생 에너지 및 통신 인프라에 대한 강력한 투자로 인해 2023 년에 가장 많은 점유율을 차지했습니다.
  • 가장 빠른 성장 지역 :아시아 태평양은 또한 예측 기간 동안 가장 높은 성장률을 기록 할 것으로 예상됩니다.

산업 동향 :

  • SIC MOSFETS는 2023 년에 가장 큰 점유율을 차지했으며 SIC 모듈은 가장 빠른 CAGR에서 성장할 것으로 예상됩니다.
  • 650-1200V 범위의 장치는 2023 년에 시장을 이끌었고, 1200-1700V 장치가 고전압 응용 분야의 경우 빠르게 확장 될 것으로 예상됩니다.
  • 2023 년에 지배적 인 중형 장치 (1kw – 50kw)는 고급 장치 (> 50kW)가 EV 빠른 충전 및 대규모 전력 시스템이 확장됨에 따라 가장 빠른 성장을 위해 설정되었습니다.
  • 산업 응용 프로그램은 가장 큰 비중을 차지했으며 자동차 부문은 EV 채택이 증가함에 따라 가장 빠른 속도로 성장할 것으로 예상됩니다.

운전 요인 :

  • EV, 재생 가능 에너지 시스템 및 산업 응용 분야에서 에너지 효율적인 전력 전자 제품에 대한 수요 증가.
  • 더 높은 효율, 열 성능 및 전력 밀도를 포함한 SIC 장치의 장점, 자동차 인버터, 충전기 및 재생 가능한 인버터의 채택 주도.
  • 5G 네트워크 및 고주파 전자 시스템의 확장은 SIC 구성 요소의 필요성을 증가시킵니다.
  • 전 세계적으로 SIC 웨이퍼 및 모듈 생산을 확장하기위한 주요 제조업체의 상당한 투자.

전력 차량 충전 인프라에서 SIC 반도체 장치가 제공하는 다양한 응용 분야와 함께 전력 전자 장치에서 실리콘 카바이드 (SIC) 장치의 사용이 증가함에 따라 시장 확장에 연료를 공급하고 있습니다.

  • 예를 들어, Audi는 전기 자동차 모델에 SIC 반도체 인버터를 통합하여 차량의 효율성을 거의 60% 증가시키면서 신뢰도를 향상시킵니다. Audi는 현재 모델에서 이러한 수냉식 인버터를 제공하고 있으며, 특히 부분 하중 조건에서 탁월합니다.

COVID-19 Pandemic 동안 소비자 구매력의 전반적인 감소로 다양한 기술 제품에 대한 수요가 낮아서 SIC (Silicon Carbide) 반도체 장치 시장에 부정적인 영향을 미쳤습니다. 또한, SIC 반도체 장치의 수요와 공급의 불균형은 반도체 산업에서 격차를 창출했다.

생성 AI의 영향

시장 성장을 추진하기 위해 맞춤형 SIC 장치를 개발하기 위해 생성 AI에 대한 수요 증가

SIC (Silicon Carbide) 기기 산업에 대한 생성 AI의 영향은 다각적이며 설계, 제조 및 시장 역학이 향상됩니다. Gen AI는 다양한 산업에서 고객의 특정 요구를 충족시키기 위해 SIC 제품의 사용자 정의를 지원할 수 있습니다. 생성 설계 기술을 활용하여 AI는 특히 자동차, 에너지 또는 산업 용도에 대한 특정 운영 요구 사항에 맞는 맞춤형 SIC 구성 요소를 만들 수 있습니다. 이 개인화는 제조업체와 소비자 모두에게 더 맞춤형이고 효율적인 접근 방식으로 이어질 수 있습니다.

전력 전자 장치에서 다이오드, MOSFET 및 IGBT와 같은 SIC 장치는 에너지 변환 시스템의 효율성을 향상시키는 데 중요한 역할을합니다. 생성 AI는 다양한 운영 환경에서 전기, 열 및 기계적 상호 작용을 시뮬레이션하여보다 효율적인 전력 모듈을 설계하는 데 사용될 수 있습니다. 이로 인해 전력 전자 장치의 마켓 시간을 가속화하면서 설계 결함의 위험을 줄입니다.

따라서,생성 AI연구 개발을 가속화하고 생산 최적화, 제품 신뢰성 향상, 시장 동향에 대한 더 깊은 통찰력을 제공함으로써 SIC 산업에서 혁신적인 역할을 수행해야합니다.

실리콘 카바이드 (SIC) 장치 시장 동향

시장 성장을 촉진하기 위해 5G 기술에서 SIC 장치 채택 증가

5G 무선 네트워크는 전 세계적으로 통신 시스템에 혁명을 일으킬 것으로 예상되며, 이전 세대에 비해 훨씬 빠른 데이터 속도, 매우 낮은 대기 시간 및보다 안정적인 연결을 제공 할 것으로 예상됩니다.

5G 기술의 출현으로 인해 높은 주파수에서 작동 할 수있는 고성능 전자 부품에 대한 수요가 증가했습니다. 실리콘 카바이드 (SIC) 반도체는 더 높은 주파수 및 온도에서 효과적으로 수행하는 능력으로 인해 5G 기지국 및 기타 고속 통신 시스템에서 사용하기에 특히 적합합니다.

시장 역학

시장 동인

시장 성장을 주도하기 위해 효율적인 전력 전자 장치에 대한 수요 급증

전력 전자 장치는 인버터, 충전기 및 모터 제어 시스템을 포함한 EV의 전력을 변환하고 제어하는 데 중요합니다. EVS (인버터, 충전기 등)의 전력 전자 장치는 EV의 총 비용의 약 10% ~ 15%를 차지합니다. 이 시스템은 고전압 DC (직접 전류)를 The에서 변환합니다배터리모터의 AC (교대 전류) 및 충전 중 전력 흐름을 관리합니다. EV 채택이 가속화함에 따라 효율적이고 신뢰할 수있는 전력 전자 시스템에 대한 수요가 급증합니다.

에너지 저장 기술의 발전과 함께 재생 에너지로의 글로벌 전환은 전력 전자 제품에 대한 수요를 이끄는 또 다른 중요한 요소입니다. 전력 전자 장치는 풍력 터빈 인버터, 태양 광 인버터 및 에너지 저장 시스템에서 사용되어 전기 에너지의 전환, 조절 및 분포를 관리합니다.

  • 예를 들어,국제 재생 에너지 기관 (IRAN)에 따르면, 재생 가능 에너지 용량은 2032 년까지 매년 7.8% 성장할 것으로 예상됩니다. 2030 년까지 태양과 바람은 총 전력 발전의 70% 이상을 차지하여 태양 인버터, 풍력 터빈 컨트롤러 및 그리드 연결 장비의 전력 전자 장치에 대한 전력 전자 장치에 대한 수요가 더 높아질 것입니다.

시장 제한

복잡한 통합 문제는 비즈니스 간의 SIC 장치 사용을 제한 할 수 있습니다.

SIC 기반 장치의 혜택을받을 수있는 많은 산업은 여전히 전통적인 기존 시스템에 의존하고 있습니다.규소구성 요소, 기존 인프라와의 통합이 어렵습니다. SIC 장치를 통합하기 위해 기존 시스템 (예 : 전기 그리드, 산업용 모터 및 자동차 파워 트레인)을 업그레이드하려면 새로운 장비에 대한 상당한 투자가 필요하며 개조 프로세스는 기술적으로 복잡 할 수 있습니다. 인프라를 교체하거나 개조하는 데 드는 초기 비용은 특히 새로운 기술에 대한 자본 지출이 제한된 오래된 산업 플랜트 또는 부문에서 SIC 채택에 장애가 될 수 있습니다.

시장 기회

새로운 시장 기회를 창출하기 위해 자동차 및 전기 자동차 (EV)의 발전 증가

자동차 산업이보다 에너지 효율적이고 고성능 및 환경 친화적 인 기술로 이동함에 따라 SIC는 기존의 실리콘 기반 반도체와 비교하여 우수한 특성으로 인해 주요 인 에이 블러로 떠오르고 있습니다. 자동차 기술, 특히 전기 자동차의 발전은 전력 변환, 효율성 및 신뢰성 향상에 의해 SIC 플레이어에게 상당한 시장 기회를 창출하고 있습니다.

전기 자동차에는 배터리, 모터 및 기타 차량 구성 요소간에 에너지를 효율적으로 관리 할 수있는 전력 전자 시스템이 필요합니다. 실리콘 카바이드는 우수한 열전도율, 높은 스위칭 주파수 및 고전압에서의 효율로 인해 인버터, 온보드 충전기 및 DC-DC 변환기의 전원 모듈에 채택되고 있습니다. 따라서 자동차 및 전기 자동차의 발전은 시장 플레이어를위한 새로운 기회를 창출하고 있습니다.

  • 예를 들어,2022 년 10 월,Jaguar Land Rover는 Wolfspeed, Inc.와 제휴하여 미래 전기 자동차에 실리콘 카바이드 (SIC) 반도체를 공급했습니다. 이 협업은 파워 트레인 효율성을 높이고 운전 범위를 늘리는 데 중요합니다.

세분화 분석

제품 유형별

SIC MOSFETS는 다양한 산업 분야의 사용이 증가함에 따라 이끌었습니다.

시장은 제품 유형을 기반으로 SIC MOSFET, SIC DIODES/SBD 및 SIC 모듈로 분류됩니다.

SIC MOSFETS는 2023 년에 가장 높은 시장 점유율을 차지했으며, 많은 회사들이 다양한 부문의 수요가 급증하기 위해 실리콘 카바이드 MOSFET을 출시하고 있기 때문에. 예를 들어, 2022 년 8 월, Toshiba Corporation은 3 세대 650V 및 1200V 실리콘 카바이드 MOSFET을 출시하여 산업 기계의 스위칭 손실을 20% 감소 시켰습니다. MOSFET 트랜지스터가 제공하는 광범위한 장점은 최근 몇 년 동안 세그먼트의 성장을 주도했습니다.

SIC 모듈 세그먼트는 예측 기간 동안 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 실리콘 카바이드 전력 모듈은 전력 변환을위한 스위치로 실리콘 카바이드를 사용할 수 있으며 전자 동성, 산업 및 에너지 부문에서 널리 사용됩니다. 그들은 에너지 효율성과 운영 비용이 낮아집니다.

  • 예를 들어, 2024 년 1 월중국 자동차 칩 및 모듈 제조업체 인 United Nova Technology는 자동차 제조업체 인 NIO와 실리콘 카바이드 (SIC) 모듈 생산을 위해 계약을 체결했다고 발표했습니다.

전압 등급

다양한 산업 및 자동차 애플리케이션에서 고전압 전력의 요구가 높아짐 1200V-1700V의 성장

시장은 최대 650V, 650V – 1200V, 1200V – 1700V 및 전압 등급에 따라 1700V 이상으로 나뉩니다.

1200V – 1700V 세그먼트는 예측 기간 동안 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 충전 인프라, 모터 드라이브 및 태양 광 발전과 같은 다양한 산업 응용 프로그램은 1200V SIC 장치를 사용합니다. 1700-V 등급의 SIC 장치는 주로 산업, 운송 및 에너지 부문에 중점을 두어 전체 볼륨을 작게 설명합니다. 예를 들어,

  • 2024 년 3 월,Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation은 3 세대 실리콘 카바이드 (SIC) MOSFET 모듈 인“MG250V2YMS3”의 대량 생산을 시작했으며, 이는 산업 장비에 사용하기 위해 1700V의 전압 등급과 250A의 배수 전류 (DC) 등급을 특징으로하며 제품 범위를 넓 혔습니다.

650V – 1200V 세그먼트는 2023 년에 세계 시장을 지배했습니다.이 SIC 장치는 650V -1200V 사이의 등급으로 한때 실리콘이 지배했던 저전력 세그먼트를 효과적으로 다루고 있습니다. 오늘날 SIC 기술은 650V 이상의 응용 분야에서 진정한 옵션으로, 높은 전력, 중등도에서 높은 스위치 주파수 및 높은 온도 조건에서 신뢰할 수있는 성능을 제공합니다.

전력 범위에 의해

고유 한 재료 특성으로 인해 중간 전력 (1 kW – 50kW) 세그먼트가 지배적이었습니다.

전력 범위를 기준으로 시장은 저전력 (<1 kW), 중간 전력 (1kW –50 kW) 및 고전력 (> 50kW)으로 삼가됩니다.

중간 전력 (1 kW – 50 kW) 세그먼트는 2023 년에 세계 시장에서 가장 큰 점유율을 차지했습니다. 실리콘 카바이드는 높은 열전도율, 열 전도성, 경도, 경도, 화학적 불쾌감 등과 같은 고유 한 재료 특성으로 인해 실리콘의 유망한 대체물로 간주되어 중간 전원 응용 분야에서 사용합니다 (1 KW - 50 KW). 실리콘 카바이드 반도체 장치의 주요 응용 프로그램에는 온보드 충전기,전기 자동차배터리 충전기, 에너지 복구 시스템, 하이브리드 전기 차량 파워 트레인, DC-DC 컨버터, 태양 광 인버터, MRI 전원 공급 장치, 풍력 터빈, 에어컨 장치, 보조 전원 공급 장치, X- 레이 전원 공급 장치, 통합 차량 시스템 및 전력 분배.

예측 기간 동안 고전력 (> 50 kW) 세그먼트가 CAGR이 가장 높은 CAGR로 성장하고 있습니다. 이산 구성 요소는 <30kW 충전기에 사용되며 SIC 모듈은> 50kW 모듈 충전에 더 적합합니다. 2022 년 현재 상업용 고출력 DC 충전기는 270 킬로와트 (KW)에서 작동 할 수 있으며 향후 몇 년 동안 350kW에 도달 할 것으로 예상됩니다. 이러한 요인들은 향후 몇 년 동안 세그먼트의 성장에 기여할 것으로 예상됩니다.

응용 프로그램에 의해

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SIC 장치의 강력한 채택으로 인한 산업 부문 리드

응용 프로그램을 기반으로 시장은 자동차, 산업, 에너지 및 유틸리티, 항공 우주 및 방어 및 기타로 분류됩니다.

산업 부문은 가장 큰 시장 점유율을 차지합니다. 산업 부문은 자동화 및 로봇 공학을 통해 SIC의 탁월한 특성을 활용하고 있습니다. 고온에 대한 재료의 저항과 전기 응력 하에서 잘 수행 할 수있는 능력은 장비가 더욱 의존하고 정확도가 향상되도록 보장합니다. 이로 인해 생산성이 높아지고 유지 보수 비용이 줄어 듭니다.

자동차 부문은 예측 기간 동안 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 이는 전기 자동차 및 내연 자동차에서 SIC 반도체의 사용이 증가함에 따라 발생할 수 있습니다. 2024 년까지 Tesla 모델과 같은 400V 배터리 전기 시스템으로 구동되는 차량은 SIC 장치에 대한 최대 수요를 나타 냈습니다. OEM (Original Equipment Manufacturers)에 의해 800V 배터리 전기 자동차를 출시하면 세그먼트 성장이 가속화되고 있습니다. 예를 들어,

  • 2024 년 9 월,Stmicroelectronics는 4 세대 Stpower Silicon Carbide (SIC) MOSFET 기술을 출시했습니다. 이 최신 SIC MOSFET은 750V 및 1200V 변형으로 제공되며 400V 및 800V 전기 자동차 버스 트랙션 인버터의 에너지 효율 및 성능을 향상시킵니다. 이 회사는 2027 년까지 혁신에 대한 헌신의 일환으로 추가 고급 SIC 기술 혁신을 발표했습니다.

실리콘 카바이드 (SIC) 장치 시장 지역 전망

시장은 북미, 남아메리카, 유럽, 중동 및 아프리카 및 아시아 태평양 지역에서 지리적으로 연구되며 각 지역은 국가 전체에서 더 많이 연구됩니다.

아시아 태평양

Asia Pacific Silicon Carbide (SiC) Devices Market Size, 2023 (USD Billion)

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아시아 태평양은 2023 년에 Global Silicon Carbide (SIC) 장치 시장 점유율을 지배했습니다.이 지역의 성장은 주로 자동차, 정부, 에너지 및 전력 및 제조와 같은 지속적으로 발전하는 부문 때문입니다. 반도체 산업은 수요 증가를 겪고 있으며, 아시아 태평양 국가들이 연구 개발에 대한 노력을 강화하도록 촉구합니다. 예를 들어, 2024 년 상반기 중국은 Semi (Semiconductor Equipment and Materials International) 데이터에 따라 Chip Manufacturing Machinery의 인수에 상당한 미화 247 억 달러를 투자했습니다.

  • 2025 년까지, Rohm Co., Ltd.는 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation과 합류하여 전력 장치의 양을 생산하고 강화하여 경제 무역 및 산업부의 도움을 받아 신뢰할 수 있고 안정적인 반도체의 공급을 보장하기위한 일본 정부의 목표에 부합했습니다. Rohm과 Toshiba는 실리콘 카바이드 (SIC) 및 실리콘 (SI) 전력 장치에 상당한 투자를했으며 제조 기능을 향상시키고 서로의 생산 자원을 활용할 수있었습니다.

따라서 앞에서 언급 한 시나리오는 앞으로 몇 년 동안 실리콘 카바이드 (SIC) 장치에 대한 수요를 더욱 발전시킬 가능성이 높습니다.

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중국의 실리콘 카바이드 (SIC) 장치 산업은 예측 기간 동안 강력한 성장률을 경험할 것으로 예상됩니다. 업계 전문가에 따르면 2023 년 중국에서 50 개가 넘는 SIC 관련 확장 이니셔티브가 시작되었으며 총 투자는 ~ 1,700 억 달러를 능가했습니다. 2024 년에는 중국의 100 개 이상의 회사가 SIC 산업에 진출 할 것이며 50 개 이상의 SIC 프로젝트가 상당한 발전을 보이고있을 것으로 예상됩니다.

  • 2024 년 12 월미국은 구형 기술을 사용하는 실리콘 카바이드 및 레거시 반도체 장치를 포함시키기 위해 중국의 무역 제재 연장을 발표했다. 여기에는 실리콘 카바이드 (SIC) 장치가 포함되며, 미국 반도체 공급망에 중점을 둔 Wolfspeed 및 Microchip 기술과 같은 회사를 보호하기위한 전략으로 여겨지면서 캘리포니아의 Bosch SIC 시설을 지원합니다.

북아메리카

북미는 2023 년에 두 번째로 높은 시장 점유율을 차지했습니다.이 지역의 배출 감소와 전기 이동성 홍보에 중점을 두는 것은 실리콘 카바이드 (SIC) 장치의 수요를 지원합니다. 정부 인센티브, 규제 프레임 워크 및 주요 자동차 제조업체의 존재는이 지역의 실리콘 카바이드 (SIC) 장치 시장 성장에 기여합니다. 또한 SIC 기술의 발전과 연구 개발에 대한 투자 증가로 인해 시장 확장이 더욱 높아집니다.

  • 예를 들어,2024 년 12 월,상무부는 캘리포니아 로즈빌에 위치한 회사의 SIC 공장 확장을 위해 2 억 2 천 5 백만 달러의 자금을 제안하기 위해 Bosch와의 예비 이해 각서를 시작했습니다. 이 협정에 따르면, 미국은 Bosch의 미화 19 억 달러가 칩 및 과학 법에 따라 SIC 제조 공장을 업그레이드하기 위해 19 억 달러의 투자를 지원하여 회사가 2026 년에 200mm 웨이퍼로 칩을 제조 할 수있게 해줄 것입니다.

미국의 실리콘 카바이드 (SIC) 장치 시장은 2023 년 북미에서 가장 큰 시장 점유율을 선보였습니다. 미국의 정부와 조직은 야심 찬 에너지 효율 목표를 설정하고 있습니다. 미국은 2030 년까지 온실 가스 배출량이 50% 감소하기로 약속했습니다. 이러한 목표는 에너지 저장과 같은 응용 분야에서 고효율을 제공 할 수있는 고급 전력 전자 장치의 필요성을 주도하고 있습니다.재생 에너지통합 및 전기 이동성.

유럽

유럽은 예측 기간 동안 강력한 시장 점유율을 차지할 것으로 예상됩니다. 이 지역의 반도체 시장은 산업의 디지털화 증가와 전자 장치의 요구가 증가함으로써 혜택을 받고 있습니다. 고급 전자 제품에 대한 수요에 부응하기 위해 회사는 새로운 기술에 투자하고 생산 능력을 확대하고 있습니다.

2022 년 2 월에 발표 된 EU Chips Act는 2023 년 9 월 이후 운영되는 유럽의 반도체 산업에 최대 430 억 달러의 대상 재정 지원을 제공합니다. 이러한 인센티브는 EU의 프론트 엔드 제조 기능을 강화하고 차세대 기술에 대한 연구 개발 투자를 장려하도록 설계되었습니다.

중동 및 아프리카

UAE 및 사우디 아라비아와 같은 중동 및 아프리카 국가는 디지털화와 정부 이니셔티브가 증가함에 따라 온화한 CAGR로 성장하고 있습니다. 농축 공급망은 사우디 아라비아가 비전 2030 이니셔티브의 일환으로 지역 반도체 제조 기능을 설립하는 데 크게 투자하도록 주도했습니다. 현재 대만은 중국, 한국, 미국 및 일본과 함께 전 세계 반도체 파운드리 용량의 46%를 차지하고 있습니다. 이 집중 공급망으로 인해 사우디 아라비아는 비전 2030 이니셔티브에 따라 지역 반도체 제조 기능에 상당한 투자를하게되었습니다.

남아메리카

남미 시장은 예측 기간 동안 겸손한 CAGR을 등록 할 가능성이 높습니다. 마이크로 전자 산업의 세계화와 제조 능력의 현지화는이 지역에서 새로운 기회를 창출하고 있습니다. 이 추세는 남미 시장에서 전자 제조 및 공급망 회사에 대한 새로운 전망을 창출하고 있습니다. 결과적으로 아르헨티나의 Unitec Blue, Unitec Semiconductor 및 Brazil의 CEITEC와 같은 장치 제조업체가 전면 및 백엔드 제조에 새로운 투자가 이루어지고 있습니다.

경쟁 환경

주요 업계 플레이어

주요 플레이어는 특정 전력 요구 사항을 충족시키기 위해 새로운 제품을 시작하는 데 중점을 둡니다.

stmicroelectronics, Infineon Technologies AG, Onsemi, Wolfspeed, ROHM Semiconductors 등을 포함한 SIC (Silicon Carbide) 장치 시장의 주요 업체는 전력 변환, 신속한 충전 및 향상된 운영 효율성에 대한 특정 요구를 충족시키기 위해 맞춤형 새로운 제품을 시작하는 데 중점을두고 있습니다. 또한이 회사들은 반도체 및 배터리 관리 시스템 분야에서 고유 한 전문 지식과 리소스를 결합하기위한 협업을 구성했습니다. 이러한 파트너십은 종종 전기 자동차를위한 혁신적인 솔루션을 만드는 것을 목표로하며, 사용 및 기능 모두의 효율성을 향상시킵니다.

  • 예를 들어,2022 년 9 월,Semiconductor Corporation (Semi)에서는 실리콘 탄화물 제조 공장의 개장으로 체코로의 운영을 확대했습니다. 업그레이드 된 시설은 향후 2 년 동안 Onsemi의 웨이퍼 생산을 16 배 늘리고 마이크로 칩에 대한 수요가 증가 할 것으로 예상됩니다.

실리콘 카바이드 (SIC) 장치 시장의 주요 업체

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Global Silicon Carbide (SIC) 장치 시장은 건강한 경쟁이 특징이며 상위 5 명은 시장 점유율의 약 55% -60%를 차지합니다. 보다 저렴한 전기 자동차로의 전환과 전력 장치 수요의 후속 변화는 합병, 파트너십 및 인수를 유도 할 가능성이 높습니다. 시장 통합은 공급망에 실질적으로 영향을 줄 것으로 예상됩니다.

주요 SIC 웨이퍼 제조업체는 경쟁력있는 가격 책정 전술을 사용하여 소규모 경쟁 업체로부터 경쟁이 심화되고 있습니다. 중국이 국내 전력 장치 생산 능력을 향상시키기위한 이니셔티브를 강화함에 따라 유럽, 미국 및 일본의 기업은 경쟁이 커지고 있습니다.

주요 실리콘 카바이드 (SIC) 장치 목록 공부하는 회사 :

  • stmicroelectronics(우리를.)
  • Infineon Technologies AG (독일)
  • Wolfspeed, Inc.(우리를.)
  • Rohm Co., Ltd. (일본)
  • 반도체 구성 요소 산업, LLC (Onsemi) (미국)
  • 미쓰비시 전기 공사(일본)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (일본)
  • Microchip Technology Inc.(우리를.)
  • NXP 반도체 (네덜란드)
  • Coherent Corp. (미국)
  • Diodes Inc. (미국)
  • 유전자 반도체 (미국)
  • Allegro Microsystems, LLC (미국)
  • Renesas Electronics Corporation (일본)
  • TT Electronics Plc (영국)
  • Vishay Intertechnology, Inc. (미국)
  • Denso Corporation (일본)
  • Basic Semiconductor Co., Ltd. (중국)
  • 알파 & 오메가 반도체 (미국)

.. 그리고 더

주요 산업 개발

  • 2024 년 12 월 :Stmicroelectronics는 2026 년에 시작될 예정인 Ampere와 전략적 파트너십을 체결했습니다.이 파트너십은 Silicon Carbide (SIC) 전력 모듈을 제공하기 위해 Renault Group과 Stmicroelectronics 간의 다년 계약을 포함합니다. 이 모듈은 Ampere의 매우 효율적인 전력 트레인을 용이하게하는 인버터 용 전원 박스를 만드는 데 필수적입니다.
  • 2024 년 12 월 :Onsemi는 Qorvo의 United Silicon Carbide 자회사를 포함한 SIC JFET (Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor) 기술 부서의 인수를 발표했습니다. 이 인수는 Onsemi의 엘리트 전력 포트폴리오를 향상시킬 것이며 AI 데이터 센터의 높은 전력 밀도 및 에너지 효율에 대한 증가하는 수요를 충족시키는 데 도움이 될 것입니다.
  • 2024 년 11 월 :Rohm은 이전에 Kunitomi 공장으로 알려진 일본에서 일본 태양 광선 공장 세트를 인수했습니다. 이 공장은 Miyazaki Plant No.2로 Rohm Group Lapis Semiconductor의 자회사에 의해 운영됩니다.
  • 2024 년 11 월 :Infineon Technologies는 Stellantis와 협력하여 공동 전력 연구소를 설립했습니다. 이 실험실은 Stellantis의 소프트웨어 정의 차량을 지원하는 지능형 전력 및 차세대 확장 가능한 아키텍처를 정의하는 것을 목표로합니다.
  • 2024 년 9 월 :Wolfspeed는 내구성, 확장 성 효율 및 신뢰성을 향상시켜 에너지 저장, 재생 가능 에너지 및 고용량 빠른 속도 부문을 변환하기위한 실리콘 카바이드 모듈을 도입했습니다.

투자 분석 및 기회

전 세계 정부는 EV 기술의 발전과 지속 가능한 제품 개발에 대한 자금과 인센티브를 제공하고 있습니다. 이러한 이니셔티브는 Sic-Drive Power Semiconductor의 건설 및 개발에 대한 투자를 주도합니다. 예를 들어,

  • 2024 년 10 월Biden-Harris Administration은 Wolfspeed와 U.S. Department of Commerce, Inc.가 Chips and Science Act에 따른 계획된 직접 자금 조달에서 최대 7 억 5 천만 달러에 이르기까지 결합되지 않은 PMT (예비 임기 임기)를 계약했다고 밝혔다. 계획된 자금은 노스 캐롤라이나 주 실러 시티에 새로운 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 시설 건설에 도움이 될 것입니다. 그것은 에너지 경제의 임박한 진보를 강화할 반도체의 일관된 국가 공급을 확보하는 데 도움이됩니다.

보고서 적용 범위

시장 조사 보고서는 상세한 시장 분석을 제공합니다. 주요 회사, 오퍼링 및 응용 프로그램과 같은 핵심 사항에 중점을 둡니다. 이 외에도이 보고서는 최신 시장 동향에 대한 이해를 제공하고 주요 산업 개발을 강조합니다. 위에서 언급 한 요인 외에도이 보고서에는 최근 몇 년간 시장의 성장에 기여한 몇 가지 요인이 포함되어 있습니다.

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보고 범위 및 세분화

기인하다

세부

학습 기간

2019-2032

기본 연도

2023

예상 연도

2024

예측 기간

2024-2032

역사적 시대

2019-2022

성장률

2024 년에서 2032 년까지 26.7%의 CAGR

단위

가치 (USD Billion)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

분할

제품 유형별

  • sic mosfets
  • SIC 다이오드/SBD
  • SIC 모듈

전압 등급

  • 최대 650V
  • 650V – 1200V
  • 1200V – 1700V
  • 1700V 이상  

전력 범위에 의해

  • 저전력 (<1 kW)
  • 중간 전력 (1kW – 50 kW)
  • 고전력 (> 50 kW)

응용 프로그램에 의해

  • 자동차
  • 산업
  • 에너지 및 유틸리티
  • 항공 우주 및 방어
  • 기타 (소비자 전자 장치 등)

지역별

  • 북미 (제품 유형, 전압 등급, 전력 범위, 응용 프로그램 및 국가 별)
    • 우리를.
    • 캐나다
    • 멕시코
  • 남아메리카 (제품 유형, 전압 등급, 전력 범위, 응용 프로그램 및 국가 별)
    • 브라질
    • 아르헨티나
    • 남아메리카의 나머지
  • 유럽 (제품 유형, 전압 등급, 전력 범위, 응용 프로그램 및 국가별로)
    • 영국
    • 독일
    • 이탈리아
    • 프랑스
    • 스페인
    • 러시아 제국
    • 베넬 룩스
    • 북유럽
    • 나머지 유럽
  • 중동 및 아프리카 (제품 유형, 전압 등급, 전력 범위, 응용 프로그램 및 국가 별)
    • 칠면조
    • 이스라엘
    • GCC
    • 남아프리카
    • 북아프리카
    • 나머지 MEA
  • 아시아 태평양 (제품 유형, 전압 등급, 전력 범위, 응용 프로그램 및 국가 별)
    • 중국
    • 일본
    • 인도
    • 대한민국
    • 아세안
    • 오세아니아
    • 나머지 아시아 태평양

회사는 보고서에서 프로파일 링했습니다

Stmicroelectronics (미국), Infineon Technologies AG (독일), Wolfspeed, Inc. (미국), Rohm Co., Ltd. (일본), 반도체 구성 요소 산업, LLC (Onsemi) (미국), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Fuji Electric Co., Ltd. (일본), Microip Technology Incuctor, Microip Incitor. (네덜란드), Coherent Corp. (미국) 등



자주 묻는 질문

시장은 2032 년까지 2,27 억 달러에이를 것으로 예상됩니다.

2023 년에 시장의 가치는 259 억 달러로 평가되었습니다.

시장은 예측 기간 동안 26.7%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.

SIC MOSFETS 유형은 점유율 측면에서 시장을 지배했습니다.

효율적인 전력 전자 장치에 대한 수요 급증은 시장 성장을 주도하는 핵심 요소입니다.

Stmicroelectronics, Infineon Technologies AG, Onsemi, Wolfspeed 및 ROHM 반도체가 시장에서 최고의 플레이어입니다.

아시아 태평양은 시장 점유율이 가장 높았습니다.

적용에 따라 자동차 부문은 예측 기간 동안 CAGR이 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.

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